Kf это соль какая: Задания 5. Классификация и номенклатура неорганических веществ. — Детская игровая комната «Волшебный лес»

Posted on 03.11.197029.07.2021 by alexxlab

Содержание

Задания 5. Классификация и номенклатура неорганических веществ.

Задание №1

Установите соответствие между формулой вещества и классом/группой, к которому(-ой) это вещество принадлежит: к каждой позиции, обозначенной буквой, подберите соответствующую позицию из второго столбца, обозначенную цифрой.

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) NH₄HCO₃

Б) KF

В) NО

1) соль средняя

2) оксид кислотный

3) оксид несолеобразующий

4) соль кислая

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-4; Б-1; В-3

Пояснение:

Кислыми солями называют соли, получившиеся в результате неполного замещения подвижных атомов водорода на катион металла, катион аммония или алкиламмония.

В неорганических кислотах, которые проходят в рамках школьной программы, все атомы водорода являются подвижными, то есть способны замещаться на металл.

Примерами кислых неорганических солей среди представленного списка является гидрокарбонат аммония NH₄HCO₃ — продукт замещения одного из двух атомов водорода в угольной кислоте на катион аммония.

По сути кислая соль — нечто среднее между нормальной (средней) солью и кислотой. В случае NH₄HCO₃ — среднее между нормальной солью (NH₄)₂CO₃ и угольной кислотой H₂CO₃.

В органических веществах на атомы металла способны замещаться только атомы водорода, входящие в состав карбоксильных групп (-СOOH) или гидроксильных групп фенолов (Ar-OH). То есть, например, ацетат натрия CH₃COONa, несмотря на то что в его молекуле не все атомы водорода замещены на катионы металла, является средней, а не кислой солью (!). Атомы водорода в органических веществах, прикрепленные непосредственно к атому углерода, практически никогда не способны замещаться на атомы металла, за исключением атомов водорода при тройной С≡С связи.

Несолеобразующие оксиды — оксиды неметаллов, не образующие с основными оксидами или основаниями соли, то есть либо не реагирующие с ними вовсе (чаще всего), либо дающие в реакции с ними иной продукт (не соль). Часто говорят, что несолеобразующие оксиды — оксиды неметаллов, не реагирующие с основаниями и основными оксидами. Тем не менее, для выявления несолеобразующих оксидов такой подход срабатывает не всегда. Так, например, CO, будучи несолеобразующим оксидом, реагирует при нагревании с основным оксидом железа (II), но с образованием не соли, а свободного металла:

CO + FeO = CO₂ + Fe

К несолеобразующими оксидам относятся оксиды неметаллов в степени окисления +1 и +2 (кроме Cl₂O). Всего их встречается в ЕГЭ 4 — это CO, NO, N₂O и SiO (последний SiO лично мне никогда в заданиях не встречался).

Задание №2

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) CrO₃

Б) (CuOH)₂CO₃

В) (NH₄)₂HPO₄

1) основная соль

2) оксид амфотерный

3) оксид кислотный

4) кислая соль

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-3; Б-1; В-4

Пояснение:

А) CrO₃ – оксид хрома (VI)

Данное соединение представляет собой оксид металла в высокой степени окисления. Оксиды металлов в степенях окисления +5, +6 и +7 относятся к кислотным оксидам.

Б) (CuOH)₂CO₃ – гидроксокарбонат меди (II).

Представляет собой продукт неполного замещения гидроксогрупп в двухкислотном основании Cu(OH)₂ на кислотный остаток CO₃^2- . Соединения, представляющие собой продукт неполного замещения гидроксогрупп в основании или амфотерном гидроксиде на кислотный остаток называют основными солями.

В) (NH₄)₂HPO₄ – соединение представляющее собой продукт неполного замещения катионов водорода в фосфорной кислоте на катионы аммония. Соединения представляющие собой продукты неполного замещения катионов водорода в кислоте на катион металла, аммония или органического производного аммония называют кислыми солями.

* под производными катиона аммония следует понимать катионы, которые получаются заменой в нем одного или нескольких атомов водорода на органические заместители.

Например: [CH₃-NH₃]⁺, [(CH₃)₂NH₂]⁺

Задание №3

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) CO

Б) P₂O5

В) HCOOK

1) оксид несолеобразующий

2) оксид амфотерный

3) оксид кислотный

4) соль средняя

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-1; Б-3; В-4

Пояснение:

A) CO, а также NO, N₂O и SiO, относятся к несолеобразующим оксидам (данный список надо запомнить!).

Б) P₂O₅ — оксид неметалла. Все оксиды неметаллов кроме тех, что относятся к несолеобразующим, являются кислотными. Практически все кислотные оксиды, образованные неметаллами, содержат элемент-неметалл в степени окисления ≥3. Также кислотными являются все оксиды металлов в степени окисления ≥+5 (V₂O₅, CrO₃, Mn₂O₇ и т.д.).

В) HCOOK — формиат калия, соль муравьиной кислоты.

Нередко по ошибке данную соль классифицируют как кислую. Однако, следует не забывать, что это соль органической кислоты, а атомы водорода, соединенные с атомом углерода не являются «кислыми» или иначе говоря подвижными, т.е. не способны замещаться на металл при действии щелочей.

Задание №4

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) SO₃

Б) BeO

В) Ca(OH)Cl

1) основная соль

2) средняя соль

3) кислотный оксид

4) амфотерный оксид

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-3; Б-4; В-1

Пояснение:

А) Все оксиды неметаллов в степени окисления больше либо равной +3 относятся к кислотным. В оксиде SO₃ неметалл сера имеет степень окисления +6, следовательно оксид кислотный.

* Также к кислотным оксидам в качестве исключения относится Cl₂O. Данному кислотному оксиду соответствует кислота HClO.

Б) Все оксиды вида Me(OH)₂ являются основными. BeO, ZnO, PbO и SnO в качестве исключений относят к амфотерным оксидам.

В) Соединение Ca(OH)Cl можно рассматривать как продукт неполного замещения гидроксид-ионов в основании (Ca(OH)₂) на кислотный остаток (Cl^—). Соединения такого типа относят к основным солям.

Задание №5

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) Be(OH)₂

Б) Fe(OH)₂

В) Ca(OH)Cl

1) основание

2) амфотерный гидроксид

3) комплексная соль

4) основная соль

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-1; В-4

Пояснение:

A) Б) Гидроксиды металлов вида Me(OH)₂ являются основаниями. Гидроксиды Be(OH)₂, Zn(OH)₂, Sn(OH)₂ и Pb(OH)₂ в качестве исключений относятся к амфотерным.

Задание №6

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) H₂[SiF₆]

Б) KAl(SO₄)₂

В) Na[Al(OH)₄]

1) комплексная соль

2) бескислородная кислота

3) двойная соль

4) основание

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-3; В-1

Задание №7

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) Cr₂O₃

Б) HCOONH₄

В) CH₃NH₃Cl

1) основный оксид

2) амфотерный оксид

3) кислая соль

4) средняя соль

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-4; В-4

Задание №8

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) CH₃COONa

Б) KCl × MgCl₂ × 6H₂O

В) ClCH₂COOH

1) кислота

2) средняя соль

3) двойная соль

4) комплексная соль

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-3; В-1

Задание №9

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) HClO₃

Б) NaHCO₃

В) Cu(OH)₂

1) основание

2) кислота

3) соль кислая

4) соль средняя

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-3; В-1

Задание №10

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) H₂CrO₄

Б) NO

В) Al₂O₃

1) оксид несолеообразующий

2) оксид амфотерный

3) основание

4) кислота

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-4; Б-1; В-2

Задание №11

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) KHC₂O₄

Б) Cu₂O

В) Cr₂O₃

1) кислая соль

2) средняя соль

3) основный оксид

4) амфотерный оксид

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-1; Б-3; В-4

Задание №12

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) HCl

Б) Fe(OH)₂

В) Fe(OH)Cl

1) основная соль

2) смешанная соль

3) основание

4) кислота

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-4; Б-3; В-1

Задание №13

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) H₂SO₄

Б) NH₄HSO₄

В) (NH₄)₂SO₄

1) кислая соль

2) средняя соль

3) двойная соль

4) кислота

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-4; Б-1; В-2

Задание №14

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) HClO

Б) CaCl₂

В) Cl₂O₇

1) кислота

2) средняя соль

3) кислотный оксид

4) гидроксид

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-1; Б-2; В-3

Задание №15

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) CO

Б) CrO

В) KAlO₂

1) средняя соль

2) несолеобразующий оксид

3) основный оксид

4) амфотерный оксид

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-3; В-1

Задание №16

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) KMnO₄

Б) Cr(OH)₃

В) NaHSO₄

1) кислая соль

2) средняя соль

3) амфотерный гидроксид

4) основание

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-3; В-1

Задание №17

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) Fe₂O₃

Б) K₂C₂O₄

В) Cl₂O

1) основный оксид

2) амфотерный оксид

3) кислотный оксид

4) средняя соль

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-4; В-3

Задание №18

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) H₃BO₃

Б) Zn(OH)2

В) Na₂ZnO₂

1) основание

2) амфотерный гидроксид

3) соль

4) кислота

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-4; Б-2; В-3

Задание №19

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) Cr(OH)₃

Б) H₂CrO₄

В) Cr₂O₃

1) амфотерный оксид

2) основание

3) кислота

4) амфотерный гидроксид

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-4; Б-3; В-1

Задание №20

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) MnO

Б) HMnO₄

В) K₂MnO₄

1) основный оксид

2) кислотный оксид

3) кислота

4) средняя соль

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-1; Б-3; В-4

Задание №21

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) Fe(OH)₂

Б) HBrO₂

В) NaAlO₂

1) основание

2) кислота

3) соль кислая

4) соль средняя

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-1; Б-2; В-4

Задание №22

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) HMnO₄

Б) Be(OH)₂

В) NaOH

1) кислоты

2) щёлочи

3) соли

4) амфотерные гидроксиды

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-1; Б-4; В-2

Задание №23

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) HNO₂

Б) NH₄Cl

В) NH₄HSO₄

1) средние соли

2) кислые соли

3) кислоты

4) амфотерные гидроксиды

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-3; Б-1; В-2

Задание №24

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) Ca(HCO₃)₂

Б) Са(OН)2

В) Са(OCl)₂

1) основания

2) кислые соли

3) основные оксиды

4) средние соли

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-1; В-4

Задание №25

НАЗВАНИЕ ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) сульфид натрия

Б) гидрокарбонат кальция

В) гидроксид меди(II)

1) кислые соли

2) средние соли

3) щёлочи

4) нерастворимые основания

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-1; В-4

Задание №26

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) BaO

Б) CrO₃

В) Al₂O₃

1) кислотные оксиды

2) основные оксиды

3) амфотерные оксиды

4) несолеобразующие оксиды

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-1; В-3

Задание №27

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) CrO₃

Б) Cr(OH)₂

В) H₂CrO₄

1) кислотные оксиды

2) основания

3) кислоты

4) амфотерные оксиды

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-1; Б-2; В-3

Задание №28

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) H₂S

Б) NaHS

В) Na₂S

1) соли средние

2) кислоты

3) соли кислые

4) основания

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-3; В-1

Задание №29

Установите соответствие между названием вещества и классом/группой, к которому(-ой) это вещество принадлежит: к каждой позиции, обозначенной буквой, подберите соответствующую позицию, обозначенную цифрой.

НАЗВАНИЕ ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) гидросульфит натрия

Б) карбонат калия

В) дигидрофосфат магния

1) кислые соли

2) средние соли

3) кислоты

4) амфотерные гидроксиды

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-1; Б-2; В-1

Задание №30

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) NaOH

Б) Be(OH)₂

В) BaCrO₄

1) средние соли

2) амфотерные гидроксиды

3) основания

4) амфотерные оксиды

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-3; Б-2; В-1

Задание №31

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) Cr₂O₃

Б) Be(OH)₂

В) Ca(OH)₂

1) амфотерные гидроксиды

2) кислотные оксиды

3) основания

4) амфотерные оксиды

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-4; Б-1; В-3

Задание №32

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) Cr₂O₃

Б) SO₃

В) NO

1) кислотные оксиды

2) основные оксиды

3) несолеобразующие оксиды

4) амфотерные оксиды

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-4; Б-1; В-3

Задание №33

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) H₃PO₄

Б) Sr(OH)₂

В) P₂O₃

1) кислотные оксиды

2) основания

3) кислоты

4) амфотерные оксиды

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-3; Б-2; В-1

Задание №34

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) H₂SiO₃

Б) Sr(OH)₂

В) NaHS

1) основания

2) кислоты

3) соли средние

4) соли кислые

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-1; В-4

Задание №35

НАЗВАНИЕ ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) оксид углерода(II)

Б) гидроксид серы(VI)

В) гидроксид хрома(III)

1) кислотные оксиды

2) амфотерные гидроксиды

3) несолеобразующие оксиды

4) кислоты

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-3; Б-4; В-2

Задание №36

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) HCN

Б) Mn(OH)₂

В) NaHS

1) кислые соли

2) основания

3) кислоты

4) средние соли

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-3; Б-2; В-1

Задание №37

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА

КЛАСС/ГРУППА

А) HNO₃

Б) Ca₃(РO₄)₂

В) NaHSe

1) средние соли

2) кислоты

3) амфотерные оксиды

4) кислые соли

Запишите в поле ответа номера выбранных соединений.

Решение

Ответ: А-2; Б-1; В-4

Задание 5

Задание 5.1

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА	КЛАСС/ГРУППА
А) NH₄HCO₃ Б) KF В) NO	1) соли средние 2) оксиды кислотные 3) оксиды несолеобразующие 4) соли кислые

Запишите в таблицу выбранные цифры под соответствующими буквами.

Источник — Демонстрационный вариант КИМ ЕГЭ по химии 2019 года

Решение

NH₄HCO₃ относится к кислым солям, для которых характерно содержание катионов водорода, способных в ходе обменных реакций замещаться другими катионами.

KF относится к средним солям, которые характеризуются отсутствием ионов водорода и гидроксид-ионов, способных к ионному обмену.

NO является несолеобразующим оксидом, который не проявляет кислотных или основных свойств.

Ответ: 413

Задание 5.2

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА	КЛАСС/ГРУППА
А) Fe(OH)NO₃ Б) K₂HPO₄ В) HCOONH₄	1) соли кислые 2) соли средние 3) соли основные 4) гидроксиды

Запишите в таблицу выбранные цифры под соответствующими буквами.

Решение

Fe(OH)NO₃ относится к основным солям, для которых характерно присутствие гидроксильных групп, способных замещаться на анионы в ходе обменных реакций.

K₂HPO₄ относится к кислым солям, для которых характерно содержание катионов водорода, способных в ходе обменных реакций замещаться другими катионами.

HC(O)ONH₄ (формиат аммония, аммонийная соль муравьиной кислоты) относится к средним солям, которые характеризуются отсутствием ионов водорода и гидроксид-ионов, способных к ионному обмену.

Ответ: 312

Задание 5.3

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА	КЛАСС/ГРУППА
А) P₂O₃ Б) SnO В) Mn₂O₇	1) оксиды основные 2) оксиды кислотные 3) оксиды несолеобразующие 4) оксиды амфотерные

Запишите в таблицу выбранные цифры под соответствующими буквами.

Решение

P₂O₃ относится к кислотным оксидам (оксиды, гидраты которых являются кислотами).

SnO относится к амфотерным оксидам, которые проявляют как основные, так и кислотные свойства.

Mn₂O₇ относится к кислотным оксидам (оксиды, гидраты которых являются кислотами).

Ответ: 242

Задание 5.4

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА	КЛАСС/ГРУППА
А) Cr(OH)₃ Б) KOH В) H₂S	1) сильная кислота 2) слабая кислота 3) амфотерный гидроксид 4) щелочь

Запишите в таблицу выбранные цифры под соответствующими буквами.

Решение

Cr(OH)₃ является амфотерным гидроксидом, проявляющим как основные, так и кислотные свойства.

KOH является щелочью (растворимые основания).

H₂S является слабой кислотой.

Ответ: 342

Задание 5.5

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА	КЛАСС/ГРУППА
А) HCN Б) H₂SO₄ В) CH₃COONa	1) сильная кислота 2) средняя соль 3) кислая соль 4) слабая кислота

Запишите в таблицу выбранные цифры под соответствующими буквами.

Решение

HCN является слабой кислотой.

H₂SO₄ является сильной кислотой.

CH₃COONa относится к средним солям, которые характеризуются отсутствием ионов водорода и гидроксид-ионов, способных к ионному обмену.

Ответ: 412

Задание 5.6

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА	КЛАСС/ГРУППА
А) SO₂ Б) BaO В) Cr₂O₃	1) оксиды основные 2) оксиды кислотные 3) оксиды несолеобразующие 4) оксиды амфотерные

Запишите в таблицу выбранные цифры под соответствующими буквами.

Решение

SO₂ относится к кислотным оксидам (оксиды, гидраты которых являются кислотами).

BaO относится к основным оксидам (оксиды, гидраты которых являются основаниями).

Cr₂

O₃ относится к амфотерным оксидам, которые проявляют как основные, так и кислотные свойства.

Ответ: 214

Задание 5.7

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА	КЛАСС/ГРУППА
А) N₂O Б) BeO В) SiO₂	1) оксиды несолеобразующие 2) оксиды кислотные 3) оксиды основные 4) оксиды амфотерные

Запишите в таблицу выбранные цифры под соответствующими буквами.

Источник — Открытый банк заданий ЕГЭ

Решение

N₂O является несолеобразующим оксидом, который не проявляет кислотных или основных свойств.

BeO является амфотерным оксидом, который проявляет как основные, так и кислотные свойства.

SiO₂ относится к кислотным оксидам (оксиды, гидраты которых являются кислотами).

Ответ: 142

Задание 5.8

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА	КЛАСС/ГРУППА
А) гидроксид хрома (II) Б) гидроксид хрома (III) В) гидроксид хрома (VI)	1) основания 2) основные оксиды 3) амфотерные гидроксиды 4) кислоты

Запишите в таблицу выбранные цифры под соответствующими буквами.

Источник — Открытый банк заданий ЕГЭ

Решение

Гидроксид хрома (II) Cr(OH)₂ относится к основаниям.

Гидроксид хрома (III) Cr(OH)₃ является амфотерным гидроксидом, проявляющим как основные, так и кислотные свойства.

Гидроксид хрома (VI) (хромовая кислота H₂CrO₄, дихромовая кислота H₂Cr₂O₇) относится к кислотам.

Ответ: 134

Задание 5.9

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА	КЛАСС/ГРУППА
А) NO Б) FeO В) ZnO	1) оксиды несолеобразующие 2) оксиды кислотные 3) оксиды основные 4) оксиды амфотерные

Запишите в таблицу выбранные цифры под соответствующими буквами.

Источник — Открытый банк заданий ЕГЭ

Решение

NO является несолеобразующим оксидом, который не проявляет кислотных или основных свойств.

FeO относится к основным оксидам (оксиды, гидраты которых являются основаниями).

ZnO является амфотерным оксидом, который проявляет как основные, так и кислотные свойства.

Ответ: 134

Задание 5.10

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА	КЛАСС/ГРУППА
А) NO₂ Б) Na₂O В) SiO₂	1) оксиды амфотерные 2) оксиды кислотные 3) оксиды основные 4) оксиды несолеобразующие

Запишите в таблицу выбранные цифры под соответствующими буквами.

Источник — Открытый банк заданий ЕГЭ

Решение

NO₂ относится к кислотным оксидам (оксиды, гидраты которых являются кислотами).

Na₂O является основным оксидом (оксиды, гидраты которых являются основаниями).

SiO₂ относится к кислотным оксидам (оксиды, гидраты которых являются кислотами).

Ответ: 232

Задание 5.11

ФОРМУЛА ВЕЩЕСТВА	КЛАСС/ГРУППА
А) Ca(OH)₂ Б) Na₂HPO₄ В) Mg(OH)Cl	1) соли средние 2) соли кислые 3) соли основные 4) гидроксиды

Запишите в таблицу выбранные цифры под соответствующими буквами.

Решение

Ca(OH)₂ является гидроксидом.

Na₂HPO₄ относится к кислым солям, для которых характерно содержание катионов водорода, способных в ходе обменных реакций замещаться другими катионами.

Mg(OH)Cl относится к основным солям, для которых характерно присутствие гидроксильных групп, способных замещаться на анионы в ходе обменных реакций.

Ответ: 423

Фторид калия — это… Что такое Фторид калия?

Фтори́д калия, фтористый калий — KF, калиевая соль плавиковой кислоты.

Распространение в природе

Фторид калия встречается в природе в виде редкого минерала кароббиитa.

Физико-химические свойства

Термодинамические параметры

Свойство	Значение^[1]
Энтальпия образования (298К, в твёрдой фазе)	-567,4 кДж/моль
Энтропия образования (298К, в твёрдой фазе)	66,6 Дж/(моль·К)
Энтальпия плавления	28,5 кДж/моль
Энтальпия кипения	172,8 кДж/моль
Теплоёмкость (298К, в твёрдой фазе)	49,32 Дж/(моль·К)

Растворимость

Дипольный момент молекулы фторида калия равен 7,33 Дб.

Молярная электропроводность при бесконечном разведении при 25 °C равна 128,9 Cм·см²/моль.

Проявляет диамагнитные свойства.^[2]

Методы получения

Простым лабораторным методом получения фторида калия является растворение KOH или K₂SO₃ в плавиковой кислоте HF.
В природе фторид калия встречается редко, и поэтому для промышленного получения KF часто используют природный минерал флюорит (CaF₂), который спекают с поташом (K₂CO₃), затем выщелачивают, и после выпаривания воды получают достаточно чистый фторид калия.^[3]

Химические свойства

Типичная соль. В водном растворе подвергается диссоциации:

KF ↔ K⁺ + F⁻.

Применение

Применяется при изготовлении кислотоупорных замазок и специальных стёкол.
В металлургии в качестве флюса.
Как реагент при фторировании органических соединений.
Для получения фторсдержацих соединений калия.
Кислые соли — гидрофториды, легкоплавкие кристаллические вещества, используемые как электролиты при получении элементарного фтора.

Токсичность

Смертельная доза фторида калия для крыс (LD₅₀), полученная орально составляет 245 мг/кг массы тела^[4]

Примечания

↑ Рабинович В.А., Хавин З.Я. «Краткий химический справочник» Л.: Химия, 1977
↑ Фторид калия на Портале Естественных Наук
↑ Наука в Сибири (газета Сибирского отделения РАН)
↑ Свойства KF на ChemicalLand21 англ.

Недвижимость в La Zagaleta — виллы в Ла Загалета

Элитная недвижимость в Ла Загалета

Абсолютно вся база объектов в нашем каталоге. Считается, что La Zagaleta – это лучшее из всего, что может предложить испанское курортное побережье Коста дель Соль самым взыскательным VIP-персонам мира. Это место, или, как его называют Ла Загалету, загородный комплекс, элитный клуб отдыха, находится в 450 метрах над уровнем моря между холмами Бенахависа в Андалусии.
Это – последняя частная заповедная зона в регионе. Отсюда открывается прекрасный вид на Средиземное море, Гибралтар и даже северное побережье Африки.

Из 900 гектаров этой заповедной зоны треть выделена под строительство частных особняков и резиденций. Каждый участок отделятся от соседнего не менее чем на 100 метров – так административный совет Ла Загалеты позаботился об окружающей среде и окрестном ландшафте. Согласно тому же постановлению, минимальная площадь участка должна составлять 3000 м2. Размеры участков не ограничены.

Обслуживание внутри резиденции La Zagaleta осуществляется силами персонала специального технического департамента, служба консьерж. Ла Загалета по сравнению со многими подобными курортными резиденциями элитного класса обладает массой преимуществ. Среди них – вертолётная площадка, два поля для игры в гольф на 18 лунок каждое. Стоит отметить, поиграть в гольф могут только члены клуба Club de Golf La Zagaleta и их гости. Жители резиденции могут поиграть здесь в теннис, покататься на лошадях (в конюшне резиденции – 20 превосходных скакунов, среди которых – и всемирно известные арабские, и знаменитые андалузские, и даже пони для маленьких наездников и девушек). Также жители La Zagaleta могут порыбачить на любом из трёх местных озёр, поиграть в бильярд, посетить роскошный ресторан Клубного дома и многое другое.

Благодаря тому, что на всём побережье Коста дель Соль налажено удобное сообщение, а в резиденции La Zagaleta великолепная инфраструктура, она стала одной из самых элитных заповедных зон для отдыха не только в Испании, но и в Европе в целом. Кстати, выбирая Ла Загалету, её житель автоматически становится членом клуба – закрытого частного клуба со многими привилегиями, что тоже весьма удобно. И всё это всего в 10 минутах езды от моря, города Марбелья и знаменитого Пуэрто Банус, с его магазинами высокой моды, ресторанами и пристанью для частных яхт.

Наша компания готова предоставить информацию и организовать показы абсолютно всех объектов недвижимости в La Zagaleta на текущий момент

Районы Коста дель Соль

Марбелья

Изысканная еда для гурманов, бутики известных дизайнеров, гольф мирового уровня, захватывающая ночная жизнь, постоянное солнце, современная инфраструктура, высокий уровень безопасности, восхитительные пляжи – все это есть в Марбелье.

Вам нужна еще более привлекающая информация? Что Вы скажете о пятнадцати полях для гольфа в 26 км или 15 мин езды от залитого солнцем побережья Андалузии, катания на лыжах в Сьерре Неваде в 2 часах езды, и аэропорте, из которого за 3 часа можно долететь до любого европейского города? Несмотря на то, что город превратился в коммерческий центр, он очаровывает и Старым Городом (Casco Antiguo). Узкие вековой давности улочки ведут в современные магазины, в мавританский замок и к зданию XVI века, в котором располагается мэрия Марбельи.

В Марбелье можно найти жилье на любой вкус: от большого особняка до квартир. Верхом элегантности считается “Золотая Миля”. При таком большом количестве необычайных атрибутов Марбелью трудно превзойти и как туристическое место, и как город — достопримечательность.

Восточная Марбелья (East Marbella) – Калаонда (Calahonda)– Фуэнхирола (Fuengirola)

Восточная Марбелья заметно отличается от центральной ее части, ведь это живописная местность с прекрасными сосновыми и дубовыми лесами, красивыми пляжами и знаменитыми золотистыми песчаными дюнами. На восток от Марбельи, в сторону Михаса, Бенальмадены и Фуэнхиролы этот девственный участок побережья сменяют роскошные отели и поля для гольфа.

Асьенда- Лас- Чапас (Hacienda Las Chapas), Лос Монтерос (Los Monteros) и Эльвирия (Elviria) отличаются элегантными виллами. Жители восточной части Марбельи соседствуют с туристами в течение всего года. Эта зона также обладает рядом преимуществ в виде современных медицинских учреждений, первоклассных школ и торговых комплексов. Это спокойное место на пороге жизни Марбельи.

Порт Банус (Puerto Banus)

Всемирно известный Порт Банус в Марбелье прославился своей пристанью для яхт и роскошными яхтами. Это настоящий рай для покупателей; здесь есть только самые модные магазины и товары от известных дизайнеров. Каждую субботу на распродажи на Блошином рынке, устраиваемые на Арене для боя быков, съезжаются покупатели со всего побережья.

Приезжего, впервые вышедшего на улицу, просто поражает огромное разнообразие ресторанов, баров, ночных клубов и кафе. Построенный 40 лет назад, Порт Банус превратился в уникальнейшее место. Стильные квартиры у кромки Средиземного моря и на фоне горы Конча, выглядят, как на открытке с изумительным испанским видом.

Новая Андалузия (Nueva Andalucía)

Простираясь от всемирно известного Порта Банус до подножья соседних холмов, Н. Андалузия — это очень необычный жилой район Марбельи, находящийся в непосредственной близости от полей для гольфа, где проводятся чемпионаты Лас Брисас, Алоа и Лос Наранхос (Las Brisas, Aloha, Los Naranjos). Недалеко Ла Дама де Ноче и Ла Кинта (La Dama de Noche , La Quinta) — замечательные поля для гольфа — также привлекают игроков. Это обширное международное сообщество пользуется услугами расположенного поблизости Международного Колледжа Алоа.

В этом регионе причудливые виллы на склонах гор и поражающие воображение апартаменты с полем для гольфа вытесняются многоквартирными домами, построенными рядом с полем для гольфа на побережье. Изобилие магазинов и ресторанов в близлежащих Порт Банус и Сан Педро делает это место идеальным.

Сан — Педро-де-Алькантара (San Pedro de Alcántara)

Это быстро растущий жилой район на западной окраине Марбельи с большим количеством магазинов, ремесел и предлагаемых услуг. Сан Педро, находящийся всего лишь в 2 км от Пуэрто Банус и в 10 км от Марбельи, является туристической достопримечательностью благодаря широкому разнообразию бутиков, магазинов, художественных галерей, ресторанов и баров.

Любители ресторанов могут прокатиться 7 км на север, в Бенаавис, где кухне посвящены более 20 заведений. Те, кого интересуют отели, смогут отдохнуть в Отель Гуадалмина Спа и Гольф Резорт (Guadalmina Spa and Golf Resort), Кортихо Бланко (Cortijo Blanco), или NH Сан Педро (NH San Pedro), среди прочих.

Гольфистам здесь предложат хороший уровень обслуживания с большим количеством опций. Гольф поля в Гуадалмине (Guadalmina), Ла-Кинте (La Quinta), Лос-Аркерос (Los Arqueros) и Нуэва Андалусия (Nueva Andalucía) находятся всего в нескольких минутах езды. Западные районы Марбельи, такие как Аталайя (Atalaya), Эль Параисо (El Paraíso), Лос-Фламингос (Los Flamingos) и Марбелья Клуб Гольф Резот (Marbella Club Golf Resort) привлекают на Коста-дель-Соль многих игроков в гольф.

Эстепона (Estepona)

Находящийся за Марбельей старинный город Эстепона уникален по своему местоположению. Этот 37-тысячный город, расположившийся на побережье на половине пути между Марбельей и гольф-клубом Сотогранде, являет собой средоточие контрастов. Центр города сохраняет очарование старой Испании, тогда как на востоке и западе вырастают мастерски спланированные дома высшей категории.

Любители лодочных прогулок оценят яхтенный причал на западном краю Эстепоны и ее приморский бульвар, близость и к порту Ла Дукеса, и к Пуэрто Банус, на западе и востоке, соответственно.

На роскошном пятизвездочном курорте Лас Дунас и в курортном отеле Кемпински можно найти только все самое лучшее. Для отдыхающих здесь неисчерпаемые возможности развлечься. Гольф, изысканная кухня, разнообразная ночная жизнь и верховая езда – вот только несколько примеров развлечений в Эстепоне. Одной из самых привлекательных достопримечательностей является Сельво Сафари Парк (Selwо Safari Park), где на хорошо охраняемой территории посетители могут наблюдать за повадками сотен диких животных в их природной среде обитания.

Бенаавис (Benahavís)

Бенаавис — это не просто типичное андалузское местечко с узкими улочками и белыми домами, окруженное пышной зеленью и нетронутой природой. Это район площадью более чем 145 км2, расположенный в непосредственной близости от Марбельи и даже соревнующийся с ней по популярности как место с международной репутацией для проживания или посещения. Здесь протекают реки Гуадалмина, Гуадаиса и Гуадалманса. Бенаавис хорошо связан с аэропортом Малаги, до которого можно добраться за 60 минут. Большое разнообразие полей для гольфа, спа отелей, публичных бассейнов, теннисных кортов и прогулочных маршрутов превращает Бенаавис в первоклассное направление, на которое следует обратить внимание.

Сотогранде (Sotogrande)

Всего в 30 мин от Марбельи и в 20 мин от Гибралтара и его аэропорта находится Сотогранде, в котором течет собственная Элитная жизнь. Внушительных размеров дома разбросаны по склонам холмов, группируются вокруг полей для гольфа мирового класса и тихих рощ, здесь много возможностей для занятий спортом, в том числе соревнования на кубок Райдера в Вальдерама (Valderrama), одном из шести полей для гольфа в этом регионе. Площадки для поло, великолепная гавань для яхт и виндсерфинг в Тарифе — все это притягивает любителей спорта. Неподалеку необычайные города: Вехер, Химена де ла Фронтера, Касарес, Гаусин и Ронда (Vejer, Jimena de la Frontera, Casares, Gaucin, Ronda), а винные погреба возле Хереса и Санлукара (Jerez, Sanlucar) достойны самого пристального внимания.

Inland

В нескольких минутах езды от Марбельи, за горным перевалом, вы обнаружите настоящую Испанию, где традиционные белые деревеньки вкраплены во впечатляющий, пока еще тихий, испанский ландшафт. Здесь в изобилии представлены различные виды отдыха, самые популярные из которых – отдых на лоне природы, рыбалка, пешеходные и велосипедные прогулки.

История этой территории, которая долгое время принадлежала мавританцам, находит отражение в необычных названиях деревень. Очарование таких городков как Михас (Mijas), Охен (Ojén), Монда (Monda), Коин (Coín), Истан (Istán), Касарес (Casares) и Гаусин (Gaucín) привлекает внимание любознательных посетителей со всего мира.

Ресторан в самаре, банкетный зал, гостиница, отель La Maison

Ресторанно-гостиничный комплекс «La Maison» в Самаре

События

14.05.2020 / 09:57
«La Maison» ценит своих гостей
При онлайн-бронировании номеров со страницы сайта РГК «La Maison», постоянным клиентам, каждое воскресение месяца, предоставляется скидка в размере 10%.
02.09.2018 / 00:00
Скидка 20% при заказе блюд на вынос
На любое блюдо из меню ресторана.
Акция действует в любое рабочее время и любой день.
Доставка блюд не осуществляется.
МЕНЮ РЕСТОРАНА
01.09.2018 / 00:00
Отметить День Рождение в ресторане.
Проведи свой ДЕНЬ РОЖДЕНИЯ в «Ла Мезон».
Скидка 20% на все меню действует с воскресенья по четверг, кроме праздничных дней.
Скидка 10% на все меню в пятницу и субботу и праздничные дни.
Скидка действует при предъявлении удостоверяющего документа.
Не суммируется с другими скидками и акциями.
Подробную информацию, а так же забронировать столик можно по тел. (846) 990-79-70 (доб. 1)
08.05.2018 / 00:00
Скидки от «Ла Мезон»
Напоминаем, что дисконтные карты ресторана «Ла Мезон» накопительные.
Изначальная скидка 5%, может возрасти до 20%. Карта действуют до 8 персон.
Если картой не пользовались в нашем ресторане год, то она автоматически аннулируется.
Всю подробную информацию можно уточнить у администраторов по тел. (846) 990-79-70 (доб. 1)
Всегда рады гостям! Ваш РГК «Ла Мезон».

Читать все новости

Отзыв посетителя

Выражаю свою благодарность ресторану La Maison, за хорошее обслуживание и прекрасную кухню. С удовольствием и гордостью пригласил сюда своих друзей из Германии. Очень внимательные официанты. Желаю Вашему ресторану процветания и больше благодарных посетителей!

Денис Владимирович

Смотреть все отзывы

Vista Sol Punta Cana Beach Resort & Casino 4* (Доминиканы/Провинция Ла-Альтаграсия/Пунта Кана/Плайа Баваро). Рейтинг отелей и гостиниц мира

ПРАВОВАЯ ОГОВОРКА

Используя сервисы, предлагаемые www.tophotels.ru, Вы выражаете свое согласие с Условиями пользования ресурса.
Пользуясь сервисами, предлагаемыми www.tophotels.ru, Вы принимаете условия нижеизложенного Соглашения об условиях пользования ресурса, вне зависимости от того, являетесь ли вы «Гостем» (что подразумевает простое использование Вами сервиса) или «Зарегистрированным пользователем» (что подразумевает регистрацию на интернет-ресурсе www.tophotels.ru), а так же, вне зависимости от цели и субъекта использования.

СОГЛАШЕНИЕ ОБ УСЛОВИЯХ ПОЛЬЗОВАНИЯ РЕСУРСА

в редакции от 29 декабря 2014г.

1.Термины и определения

Соглашение – Соглашение об условиях пользования ресурса www.tophotels.ru.
Администратор – администраторы, модераторы, правообладатели, а равно иные законные владельцы ресурса www.tophotels.ru.
Ресурс (Сервис) – интернет сайт www.tophotels.ru.
Материалы — информация, размещенная на ресурсе: тексты, статьи, фотоизображения, видеоизображения, иллюстрации.
Пользователь — это конкретное лицо, либо организация, которое посещает интернет-ресурс www.tophotels.ru.

В зависимости от цели и субъекта использования ресурса различают виды Пользователей:
1.Обычные пользователи — физические лица, чаще всего туристы, а также лица, планирующие свой отдых, посещающие ресурс в личных целях, не преследуя возможности извлечения прибыли.
2.Коммерческие пользователи – юридические лица, индивидуальные предприниматели, а также их представители или иные лица, действующие в интересах вышеперечисленных субъектов, посещающие ресурс в связи с их профессиональной деятельностью, преследующие коммерческие цели. К коммерческим пользователям в тексте настоящего Соглашения отнесены включая, но не ограничиваясь, следующие Пользователи – турагентства, туроператоры, отели, туристические поисковые и информационные системы и прочие субъекты туристического бизнеса, а равно лица, действующие в их интересах.

2.Общие положения

2.1.Необходимым условием использования сервиса www.tophotels.ru является согласие Пользователя действовать в полном соответствии со всеми применяемыми правовыми нормами РФ и нормами международного права, а также в соответствии с данным Соглашением.
2.2.Администраторы сайта могут менять данное Соглашение в любое время. Любые изменения данного Соглашения вступают в силу с момента их публикации на сайте www.tophotels.ru. Продолжая использование сервиса www.tophotels.ru после публикации изменений, Вы соглашаетесь действовать в соответствии с условиями, указанными в модифицированном Соглашении.
2.3.Администраторы ресурса (в т.ч. отели, сотрудничающие с ресурсом) вправе направлять Пользователю полезную, актуальную, интересную и иную информацию путем рассылки по электронной почте и размещения в личном кабинете. В любой момент Пользователи могут отказаться от рассылок через личный кабинет.

2.4Посещение и использование ресурса означает, что Пользователь принимает все условия настоящего Соглашения в полном объеме без каких-либо изъятий и ограничений. Использование ресурса на иных условиях не допускается.
2.5.Виду того, что активная ссылка на Соглашение размещена на главной странице ресурса и доступна неопределенному кругу лиц, Соглашение считается заключенным с конкретным Пользователем с момента посещения ресурса этим Пользователем, даже не смотря на отсутствие регистрации Пользователя на ресурсе.

3.Описание ресурса

3.1.www.tophotels.ru является информационным рейтингом отелей и гостиниц мира, основанным на мнениях и отзывах профессионалов туристического бизнеса (турагентов) и туристов.
3.2.Данный ресурс представляет собой ежедневно пополняемый каталог отелей и гостиниц мира, в который включены описания отелей, их фотографии и контакты. На нашем ресурсе каждый человек, побывавший в том или ином отеле, может оставить о нем свой отзыв, оценить размещение, уровень сервиса и питания в отеле, дополнительно аргументировав свои оценки в отзыве, таким образом формируя рейтинг TOP Hotels.
3.3.Кроме общей информации об отелях, пользователи могут найти на www.tophotels.ru ряд дополнительных материалов и сервисов, которые могут пригодиться при выборе места проведения отдыха. К ним относится информация о специальных акциях, новости отелей и прочая сопутствующая информация.
3.4.www.tophotels.ru, равно как и правообладатель данного ресурса не является туристическим агентством и не продает туристические услуги.

4.Интеллектуальная собственность. Ограничения использования ресурса

Общие ограничения, вне зависимости от вида Пользователя
4.1.Все материалы на ресурсе www.tophotels.ru, включая, без ограничений, любую документацию, текст, наполнение, данные, графические изображения, интерфейсы или другие материалы, на которые распространяется действие закона об авторских правах, охраняются федеральным и международным законодательством. Материалы сайта могут содержать торговые марки, знаки обслуживания и торговые имена (названия). Все права защищены.
4.2.Информация, размещенная Администраторами на ресурсе: тексты, статьи, фотоизображения, видеоизображения, иллюстрации является собственностью правообладателя ресурса или его партнеров, за исключением материалов, авторство которых оговорено непосредственно в их содержании (статьи, тексты, фотографии и иллюстрации) или информации загруженной Пользователями.
4.3.Использование информации (текстовой, графической, аудиовизуальной и иной), размещаемой на Сайте может осуществляться только при условии соблюдения требований действующего законодательства РФ об авторском праве и интеллектуальной собственности, а также настоящего Соглашения.
4.4.Дизайн, структура Сайта, изображение, графика и иные элементы, являющиеся объектом охраны по законодательству РФ, не могут воспроизводиться полностью или частично для создания новых информационных объектов, за исключением случаев договорных или партнерских отношений с Администраторами ресурса, при этом условия воспроизведения оговариваются в каждом случае индивидуально.
4.5.Определенные части данного ресурса могут быть защищены паролем и могут требовать регистрации пользователя, желающего просмотреть их. После процесса регистрации на нашем сайте, Пользователю на безвозмездной основе, если иное не оговорено отдельно, предоставляются учетная запись и пароль, позволяющие получать доступ ко всем услугам и сервисам www.tophotels.ru. Пользователь обязуется обеспечивать конфиденциальность пароля, и несет полную ответственность за любой ущерб и любые обязательства, ставшие последствием неспособности обеспечивать конфиденциальность пароля.
4.6.Пользователь соглашается не использовать www.tophotels.ru для:
— загрузки материалов, не соответствующих действующему законодательству, являющихся вредными, угрожающими, оскорбительными, клеветническими, вульгарными или неприличными;
— того, чтобы выдавать себя за другое лицо или организацию, включая, но не ограничиваясь, официальных представителей www.tophotels.ru или поставщиков туристических услуг, а также для того, чтобы отражать несуществующую связь между Вами и другими лицами, или организациями;
— загрузки, рассылки, или любой другой формы публикации материалов, которые Вы не имеете права публиковать;
— загрузки, рассылки, или любой другой формы публикации незатребованной или запрещенной рекламы, промо-материалов, спама, и любых других материалов рекламного характера;
— загрузки, рассылки, или любой другой формы публикации материалов, содержащих компьютерные вирусы или любые другие программные коды, файлы или программы, созданные с целью прерывания, ликвидации или ограничения функциональности любого программного обеспечения или аппаратуры;
— препятствования или прерывания функционирования Сервиса, или серверов и сетей, связанных с ресурсом.
4.7.Пользователь ресурса обязуется:
— не переконструировать, не пытаться получить доступ к исходному коду, не распространять и не создавать какие-либо производные работы, основанные на использовании Ресурса или любой из его частей;
— не входить на Ресурс какими-либо путями, отличными от предоставленного www.tophotels.ru интерфейса. В дополнение к этому, любое программное обеспечение, доступ к которому предоставляется на данном сайте, включая, но не ограничиваясь всеми HTML кодами и онлайн средствами управления, является собственностью администраторов. Любое воспроизведение или распространение данного программного обеспечения строго запрещено.
4.8.Администратор ресурса может по своему усмотрению и без предварительного уведомления запретить/ограничить Пользователю пользование ресурсом. Причины данных мер могут включать в себя, но не ограничиваются следующим:
— нарушения данных Условий пользования или других договоров с администрацией www.tophotels.ru;
— соответствующие запросы правоохранительных или других государственных органов;
— возникновение неожиданных технических неполадок или проблем с системой безопасности;
— участие Пользователя в мошеннических или незаконных операциях, и/или невыплата каких-либо денежных сумм, взимаемых за предоставление услуг, связанных с Сервисом.

Ограничения использования ресурса для Обычного пользователя:
4.9.www.tophotels.ru предоставляет бесплатные услуги, предназначенные для личного некоммерческого использования. Пользователю не разрешается использовать данный сайт для получения прибыли, за исключением договорных отношений с Администратором ресурса;
4.10.Если обратное не указано на сайте, данное Соглашение разрешает Обычному пользователю просматривать, загружать, кэшировать, копировать и распечатывать Материалы, в соответствии со следующими условиями:
— Любая копия Материалов или отдельной их части должна содержать ссылку на страницу ресурса www.tophotels.ru , содержащую скопированную информацию;
— Обычному пользователю дается ограниченное, неэксклюзивное право создавать гипертекстовые ссылки на главную и внутренние страницы ресурса, с условием того, что такая ссылка не ведет к ложному, уничижительному, обманному восприятию сервиса www.tophotels.ru.
При этом, www.tophotels.ru оставляет за собой право отменить вышеуказанные разрешения в любое время, без объяснения причин, вследствие чего любое использование Материалов должно быть немедленно прекращено по соответствующему уведомлению Администратора.
Ограничения использования ресурса для Коммерческого пользователя:
4.11.Коммерческому пользователю не разрешается загружать, кэшировать, копировать и распечатывать Материалы с сайта без получения предварительного письменного соглашения Администратора сайта
4.12.Коммерческому пользователю разрешается размещать ссылки только на полную версию Ресурса, главную страницу www.tophotels.ru.
4.13.Коммерческому пользователю не разрешается размещать ссылки на внутренние страницы www.tophotels.ru, в том числе спецссылки с окончанием «?_mode —» вне зависимости от цели их размещения.
4.14.Коммерческому пользователю не разрешается использовать никакие из торговых марок, логотипов или торговых названий с ресурса, равно как и любую другую авторскую информацию, включая графические изображения, а также любой текст, или интерфейс/дизайн любой страницы или любой формы, содержащейся на странице Сайта без получения предварительного письменного соглашения Администратора сайта.

5.Материалы, передаваемые (размещаемые) Пользователем для публикации и/или распространения посредством www.tophotels.ru

5.1.Пользователь гарантирует, что вся информация, размещенная им, является подлинной. Ответственность за указание недостоверной, ложной, ошибочной информации лежит на Пользователе.
5.2.Пользователь несет ответственность за законность, соответствие реальному положению дел, соответствие контексту, оригинальность и авторство любого из размещаемых им материалов.
5.3.Модератор имеет право вносить корректировки в комментарии и отзывы с ошибками или ненормативной лексикой. Комментарии и отзывы, содержащие рекламу или любые другие предложения коммерческого характера, будут удаляться с сайта. Активные или неактивные ссылки, используемые в комментариях, в большинстве случаев будут вырезаны. Администратор/модератор проекта вправе удалять отзывы/комментарии/фото, загруженные пользователями без объяснения причин.
5.4.Правообладатель сайта www.tophotels.ru не распространяет свои авторские права на материалы, доступные на ресурсе (включая фотографии и графические элементы), публикуемые Пользователем. Однако, публикуя такие материалы на ресурсе Пользователь передает www.tophotels.ru международную, неэксклюзивную и безвозмездную лицензию (разрешение) на использование, распространение, адаптацию и публикацию данных материалов с целью описания и рекламы описываемого отеля или услуги. Срок действия разрешения заканчивается, когда Пользователь, либо администрация www.tophotels.ru убирает данные материалы со страниц сайта.
5.5.Администрация ресурса не несёт ответственности за корректность представленной в отзывах и комментариях информации. www.tophotels.ru не обеспечивает контроль материалов, публикуемых Пользователями на ресурсе, и, вследствие этого, не гарантирует точность, целостность или качество данных материалов. Пользователь самостоятельно должен оценивать потенциальный риск и нести полную ответственность за использование любых материалов, включая уверенность в их точности, полноте и полезности.
5.6.Администраторы могут просматривать, либо не просматривать материалы перед их публикацией. Представители www.tophotels.ru имеют право (но не обязанность) отслеживать, отклонять или переносить любые материалы, доступные с помощью Сервиса.
5.7.Пользователям ЗАПРЕЩЕНО размещать на ресурсе любые материалы, распространение которых запрещено действующим законодательством Российской Федерации и/или нормами международного права. Пользователь несет ответственность за несоответствие содержания рекламно-информационных материалов, действующему законодательству РФ, в том числе, нормам федеральных законов «О рекламе», «О средствах массовой информации», «Об авторском праве и смежных правах», «О товарных знаках, знаках обслуживания и наименованиях мест происхождения товаров». Пользователь гарантирует, что публикуемые им материалы не являются ненадлежащей рекламой, а также не нарушают неприкосновенность частной жизни, личной и семейной тайны, других охраняемых законом прав и интересов третьих лиц.

6.Ограничение ответственности

6.1.Администраторы сайта прилагают все надлежащие усилия по обеспечению корректности всей информации, размещенной на Сайте. Вместе с тем не гарантируют абсолютную точность, полноту или достоверность информации, содержащейся на Сайте, не отвечают за неточности, возможные ошибки или другие недостатки в размещаемой информации.
6.2.Оценка качества размещенной на Сайте информации, ее актуальности, полноты и применимости — в ведении и компетенции Пользователя.
6.3.www.tophotels.ru не предоставляет никаких гарантий. Информация и услуги, предлагаемые на сайте, могут быть неточными, так как большинство данной информации предоставляется непосредственно поставщиками услуг.
6.4.Администраторы не гарантируют, что:
— сервис будет соответствовать вашим требованиям;
— результаты, полученные в процессе пользования сервисом, будут точными или достоверными;
— качество любых услуг, информации, или других материалов, приобретаемых вами с помощью ресурса, будут соответствовать вашим требованиям.
6.5.Рейтинги отелей, отражаемые на данном сайте, могут быть использованы только в качестве общих рекомендаций.
6.6. Администраторы www.tophotels.ru и/или работающие с ним третьи лица могут вносить изменения в информацию на данном сайте в любое время.
6.7.Партнеры www.tophotels.ru, включая, без ограничений, отели, туристические агентства и туристических операторов, предоставляющие туристические или какие-либо другие услуги посредством сервиса www.tophotels.ru не являются агентами или представителями www.tophotels.ru.
6.8. www.tophotels.ru не несет ответственность за действия, ошибки, обещания, гарантии своих партнеров или третьих лиц, размещающих информацию на ресурсе, а также за нарушения или несоблюдения ими договоров, равно как и за любой материальный, моральный прямой или косвенный ущерб, или любые другие потери, возникающие вследствие вышеуказанного.
6.9.Администраторы сайта не могут нести ответственность за любой прямой, косвенный убыток, связанный с использованием данного сайта, или с задержкой или невозможностью его использования, а также за любую информацию, продукты и услуги, приобретенные посредством данного сайта, или другим способом полученные с его помощью.
6.10.Данный сайт содержит гиперссылки на Интернет-ресурсы, управляемые лицами, не связанными с www.tophotels.ru. Эти гиперссылки публикуются исключительно в информационных и ознакомительных целях. Администратор не контролирует эти Интернет-ресурсы и не несет ответственности за их содержимое и использование данного содержимого Пользователями.
6.11.Пользователь несет ответственность по искам и претензиям третьих лиц к администраторам сайта и лично Пользователю за нарушения, вызванные размещением им информационных материалов.
6.12.Администраторы ресурса не несут ответственности за временные технические сбои и перерывы в предоставлении услуг, за временные сбои и перерывы в работе линий связи, иные аналогичные сбои, а также за неполадки компьютера, с которого Пользователь осуществляет выход в Интернет.

7.Разрешение споров и применяемая правовая норма

7.1.В случае публикации материалов, содержащихся на страницах сайта, без соблюдения условий изложенных в настоящем Соглашении, администраторы оставляют за собой право на защиту своих нарушенных прав в соответствии с действующим гражданским законодательством и законодательством об авторском праве и смежных правах.
7.2.При обнаружении фактов нарушения условий настоящего Соглашения Администратор отправляет «нарушителю» досудебное уведомление с требованием устранить выявленные нарушения в установленный срок. При неисполнении указанных требований защита нарушенных прав и взыскание причиненных убытков производится в судебном порядке по месту регистрации правообладателя Сайта www.tophotels.ru
7.3.Любые судебные процессы по данному Соглашению будут проводиться в Российской Федерации в г. Москве, в соответствии с подсудностью судов судебной системы в РФ и условиями настоящего Соглашения.

8.Заключительные положения

8.1.Если Вы не согласны с Условиями пользования, или какой-либо их частью, пожалуйста, воздержитесь от использования ресурса www.tophotels.ru.

Администраторы ресурса
www.tophotels.ru

Читать полностью на https://www.tophotels.ru/about/agreement

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Разделение и свойства La₂O₃ в расплавленной соли LiF-NaF-KF

Абстрактные

Исследования ядерных технологий продолжаются с тех пор, как ядерная энергия стала исключительно важной для достижения целей в области изменения климата при одновременном отказе от ископаемого топлива. Исследования высокотемпературного реактора (FHR), охлаждаемого фторидной солью, который финансируется Министерством энергетики США (DOE), прошли гладко с конечной целью — развертыванием в 2030 году. Одна из проблем, представленных FHR, заключается в том, что соль теплоносителя первого контура может загрязняться из-за отказа топлива и попадания влаги в систему.Если произойдет загрязнение, это приведет к низкой концентрации продуктов деления, топлива, трансурановых материалов и оксидных примесей в теплоносителе. Эти примеси будут влиять на свойства расплавленной соли в долгосрочной перспективе, и их необходимо удалять без введения новых примесей. Большинство исследований, проведенных в последнее время, было сосредоточено на разделении примесей в хлоридных расплавленных солях. Срочно необходимо провести дополнительные исследования для изучения метода отделения примесей для расплавленных солей фторидов.В этом исследовании система La₂O₃-LiF-NaF-KF (La₂O₃-FLiNaK) используется для демонстрации отделения примесей в расплаве фторидной соли. Поскольку оксид лантана необходимо растворить в расплавленной соли фторида, а исследования в этой области еще не завершены, растворимость оксида лантана в FLiNaK была измерена при различных температурах, чтобы получить зависящую от температуры растворимость и сначала понять соответствующие механизмы растворения. В экспериментах, связанных с растворимостью, масс-спектрометрия с индуктивно связанной плазмой (ICP-MS) используется для анализа концентрации ионов лантана в расплавленной соли FLiNaK, в то время как порошковая дифракция рентгеновских лучей (XRD) применяется для определения фазовых структур расплавленной соли. .Во-вторых, электрохимические эксперименты с вольфрамом и графитом в качестве рабочих электродов проводились индивидуально, чтобы продемонстрировать отделение растворенного оксида от соли. При наложении вольфрамового рабочего электрода ионы лантана восстанавливались до металлического лантана на вольфрамовом катоде, в то время как ионы фтора реагировали с вольфрамовым анодом с образованием фторида вольфрама. В экспериментах производство фторида вольфрама могло привести к увеличению тока в ячейке, даже к перегрузке.Более того, теоретически фторид вольфрама WF4 растворим во фторидной соли, что приводит к появлению новых примесей. Все эти проблемы делают вольфрам не лучшим выбором для разделения ионов кислорода. Поэтому используется еще один распространенный рабочий электрод — графит. Он не только обладает всеми преимуществами вольфрама, но также обладает хорошими характеристиками по разделению ионов кислорода. При нанесении графитового электрода ионы лантана были отделены в форме карбида лантана (LaC), тогда как ионы кислорода могут быть удалены в форме диоксида углерода (CO₂) или монооксида углерода (CO).Кроме того, в течение всего процесса разделения потреблялся только графит, поэтому графитовый анодный электрод называют «жертвенным электродом». В-третьих, для изучения свойств расплавленной соли фторида было проведено моделирование молекулярной динамики первого принципа (FPMD) с помощью пакета моделирования Vienne Ab initio (VASP). В этом исследовании были получены структурная информация и энтальпия образования. Как правило, процесс моделирования можно разделить на четыре этапа: (1) системы моделирования подготавливаются путем случайной упаковки ионов с помощью пакета Packmol в ячейке моделирования; (2) выполняется расчет равновесия для предварительного уравновешивания систем; (3) моделирование FPMD в ансамбле NVT реализовано в VASP; (4) на основе результатов моделирования FPMD, радиус первого пика и координационное число первой оболочки были оценены с помощью анализа частичной функции радиального распределения (PRDF) для определения статистики информации о структуре расплавленной соли, в то время как транспортные свойства, например.g., коэффициент самодиффузии был рассчитан в соответствии с функцией среднеквадратичного смещения (MSD) времени, генерируемой уравнением Эйнштейна-Смолуховши. Вязкость и ионная проводимость были получены путем объединения коэффициента самораспределения с формулой Эйнштейна-Стокса и уравнением Нернста-Эйнштейна.

Аннотация для широкой аудитории

С быстрым развитием современного общества и экономики все больше и больше энергии необходимо срочно для удовлетворения роста промышленности.Поскольку традиционная энергия, такая как природный газ, уголь, имеет ограниченное хранение и не является устойчивой, ядерная энергия привлекала большое внимание в последние несколько десятилетий. Несмотря на то, что тысячи исследователей провели множество исследований, связанных с применением ядерной энергии, в этой области все еще есть некоторые проблемы, среди которых удаление примесей является наиболее сложной частью. Высокотемпературный реактор (FHR), охлаждаемый фторидной солью, является одним из наиболее многообещающих типов реакторов IV поколения.Как следует из названия, солевой расплав является охлаждающей жидкостью, которая служит промежуточной средой теплообменника. Кроме того, продукты деления, то есть лантан, влага, неизбежно будут просачиваться в трубопровод теплоносителя, что повлияет на свойства расплавленных солей, даже ухудшит работу реактора, поэтому эти примеси должны быть удалены без введения новых примесей. В этом исследовании система La₂O₃-LiF-NaF-KF (La₂O₃-FLiNaK) используется для демонстрации разделения примесей на расплав фторидной соли. Во-первых, растворимость оксида лантана в FLiNaK была измерена при различных температурах, чтобы понять механизмы его растворения.Затем по отдельности были проведены электрохимические эксперименты с вольфрамом и графитом в качестве рабочих электродов, чтобы продемонстрировать отделение растворенного оксида от соли. Был сделан вывод, что вольфрам хорошо справляется с разделением La3 +, а не с O2-. Однако с помощью графитового рабочего электрода удалось удалить La³⁺ и O²⁻. Наконец, было проведено молекулярно-динамическое моделирование с использованием первого принципа, чтобы лучше понять локальную структуру и теплоту образования расплавленных солей FLiNaK и La₂O₃-FLiNaK.

Выбор редакции

— Электроосаждение кремния в водорастворимой расплавленной соли KF – KCl: использование SiCl4 в качестве источника Si

Электроосаждение Si было исследовано в расплавленной смеси солей KF – KCl (эвтектический состав, 45:55 мол.%) После введения SiCl ₄, чтобы продемонстрировать новый метод производства подложек солнечных элементов. Газообразный SiCl ₄ вводили непосредственно в солевой расплав при 1023 К методом переноса пара с использованием Ar в качестве газа-носителя.Эффективность растворения SiCl ₄ превышала 80%, даже когда для барботирования использовалась простая трубка. Гальваностатический электролиз проводили при 923 К на подложке из Ag при 155 мА см ^–2 в течение 20 мин в расплавленной смеси солей KF – KCl после растворения 2.30 мол.% SiCl ₄. Хотя плотный слой Si был сформирован, его гладкость была хуже, чем у расплава после добавления K ₂ SiF ₆. Молярная доля фторид-аниона предлагается как один из факторов, влияющих на морфологию отложений.

Текущий метод производства Si-подложек, используемых в фотоэлектрических элементах, состоит из нескольких процессов, включая этап нарезки слитков Si высокой чистоты, произведенных по технологии Siemens. Этот метод имеет несколько недостатков с точки зрения энергоэффективности и выхода из-за низкой производительности процесса Сименс и значительных потерь пропила на этапе нарезки. Таким образом, разработка альтернативного эффективного процесса производства подложек из кристаллического Si необходима для значительных улучшений в фотоэлектрической промышленности.

Прямое формирование пленок Si было исследовано как один из альтернативных методов производства солнечных элементов из поликристаллического Si. Об электроосаждении кристаллического Si с использованием высокотемпературных расплавов солей сообщалось несколькими исследователями с 1970-х годов. ^1–10 Использование расплавов солей на основе фторидов, таких как LiF – KF и LiF – NaF – KF, эффективно для получения компактных и гладких пленок Si. ^1,2,5,9,10 Однако предыдущие исследования, в которых использовались расплавленные соли на основе фторидов, показали, что низкая растворимость LiF и NaF в воде делает удаление соли, которая прилипает к осажденному Si, серьезной проблемой.^10,11 Другой существенной проблемой является отсутствие высокочистых и недорогих источников кремния, на которых был основан ранее изученный процесс. Обычно в качестве источника ионов Si использовали либо K ₂ SiF ₆, либо анодное растворение стержня Si. Однако дешевое приготовление стержней из K ₂ SiF ₆ и Si солнечной чистоты затруднено.

Мы предложили и исследовали новый процесс электроосаждения для формирования пленок Si из расплавленного электролита KF – KCl с газообразным SiCl ₄ высокой чистоты в качестве источника Si (рис.1) с целью разработки нового метода производства пленок поликристаллического Si для солнечных элементов. ^12–14 В этом процессе газообразный SiCl ₄ растворяется в расплаве соли с образованием комплексных ионов Si (IV). Затем пленки Si электроосаждены на катод соответствующей подложки, и газ Cl ₂ выделяется на углеродном аноде. Соль, приставшая к осадку Si, легко удаляется промыванием водой.

Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

Рисунок 1. Схематическое изображение принципа процесса гальваники Si в расплаве соли KF – KCl. ^12,13

В этом процессе электроосаждение Si достигается без введения примесей или изменения состава расплавленной соли. Кроме того, рециркуляция галогена осуществляется путем извлечения побочного газообразного продукта Cl ₂, который можно использовать для хлорирования Si с получением SiCl ₄. Одним из преимуществ предлагаемого нами процесса является высокая растворимость затвердевшей соли KF – KCl в воде (растворимость KF и KCl составляет 101.6 и 35,9 г соответственно на 100 г H ₂ O) по сравнению с другими фторидными солями (растворимость LiF, NaF, MgF ₂ и CaF ₂ составляет 0,13, 4,15, 0,13, 0,0016 г соответственно , на 100 г H ₂ O). ¹⁵ Эта расплавленная соль представляет собой уникальный фторидсодержащий электролит с высокой растворимостью в воде, и присутствие фторида во время электролиза необходимо для получения компактных и гладких пленок Si. Ранее мы исследовали электроосаждение Si из комплексных ионов Si (IV) на Ag-электроде в расплавленной системе KF – KCl – K ₂ SiF ₆ при 923 K в качестве первого шага исследования без использования SiCl. ₄ газ.^12–14 Пленки Si, электроосажденные из солевого расплава, содержащего 0,5–5,0 мол.% K ₂ SiF ₆, показали адгезионные, компактные и гладкие характеристики. Кроме того, остаточная соль на осажденном Si легко удалялась простым замачиванием в воде.

В данной работе мы исследуем возможность использования газа SiCl ₄ в качестве источника Si. Газообразный SiCl ₄ вводили в расплав KF – KCl методом переноса пара с использованием Ar в качестве газа-носителя.Электроосаждения получали гальваностатическим электролизом расплава. Осажденный Si анализировали с помощью сканирующей электронной микроскопии поперечного сечения (SEM) и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDX).

Экспериментальная установка схематически проиллюстрирована на рис. 2. KF (Wako Pure Chemical Co. Ltd.,> 99,0%) и KCl (Wako Pure Chemical Co. Ltd.,> 99,5%) смешивали с образованием эвтектики. смесь (45 мол.% KF + 55 мол.% KCl, точка плавления = 878 K ¹⁶) и загружали в графитовый тигель (Toyo Tanso Co.Ltd., наружный диаметр: 90 мм, внутренний диаметр: 80 мм, высота: 120 мм). Смесь в тигле сначала сушили в вакууме при 453 K в течение 72 ч для удаления остаточной влаги. Тигель помещали на дно кварцевого сосуда в герметичный контейнер Kanthal с крышкой из нержавеющей стали. Далее соль сушили в вакууме при 673 K в течение 24 часов. Эксперименты проводились в атмосфере сухого аргона при 923 К или 1023 К. Жидкий SiCl ₄ (Aldrich, 99,998%), помещенный в бутыль Duran (100 мл), выдерживался при 293 К на водяной бане с использованием термостата (As -one, Cool Circulator CH-202).Трубы из пирекса (наружный диаметр: 6 мм, внутренний диаметр: 4 мм), соединенные с трубками из перфторалкоксиалкана (PFA) (внешний диаметр: 6,35 мм, внутренний диаметр: 4,35 мм), были прикреплены к резьбовой крышке (As-one, диаметр трубы: 6–8 мм). ) бутылки. Смешанный газ Ar – SiCl ₄ получали барботированием газа Ar (20 мл мин. ^–1, Kyoto Teisan, Inc.,> 99,998%) в жидкий SiCl ₄ с использованием трубы Pyrex. Смешанный газ барботировали в расплав эвтектики KF – KCl (200 г) при 1023 К с помощью графитовой трубки (Toyo Tanso Co., Ltd., ISO-68TS, o.диаметр: 12 мм, внутренний диаметр: 5 мм, длина: 470 мм). После барботирования смешанного газа в течение заданного периода нижний конец трубы извлекали из расплава, и поток газа переключался на чистый Ar. Затем температуру расплава снижали до 923 К, при которой проводились электрохимические измерения. Рабочие электроды представляли собой проволоку из серебра (Nilaco Corp., диаметр: 0,1 мм, 99,98%) и электроды из серебра (Nilaco Corp., толщина: 0,1 мм, 99,98%). ¹³ Стеклоподобный углеродный стержень (Tokai Carbon Co., Ltd., диаметр: 5,0 мм). Платиновая проволока (Tanaka Kikinzoku Kogyo,> 99,95%, диаметр: 1,0 мм) использовалась в качестве квазиэлектрода сравнения. Потенциал электрода сравнения был откалиброван относительно динамического потенциала K ⁺ / K, который был получен электроосаждением металлического K на проволоке Ag. Электролизованные образцы замачивали в горячей дистиллированной воде при 333 К на 24 ч для удаления солей, приставших к отложениям, и сушили в вакууме в течение 12 ч.Образцы анализировали с помощью SEM (Keyence Corp., VE-8800) и EDX (AMETEK Co. Ltd., EDAX Genesis APEX2). Для наблюдений поперечного сечения с помощью SEM образцы были залиты акриловой смолой и отполированы наждачной бумагой и полировальной пастой.

Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

Рис. 2. Схематический чертеж экспериментальной установки для введения SiCl ₄ методом переноса пара.

На рис. 3 показаны энергии Гиббса для реакций хлоридов с газообразным фтором с образованием фторидов и газообразного хлора. ¹⁷

Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

Рис. 3. Стандартные изменения энергии Гиббса для реакций хлоридов и газа F ₂ с образованием фторидов и газа Cl ₂. ¹⁷

Как показано на рисунке, изменение энергии Гиббса для образования SiF ₄ и Cl ₂ из SiCl ₄ и F ₂ гораздо более отрицательно, чем для реакции KF + Cl ₂ с образованием KCl + F ₂.Таким образом, превращение SiCl ₄ в SiF ₄ в реакции с KF является термодинамически выгодным. ¹⁷

Эти термодинамические расчеты показывают, что газ SiCl ₄, введенный в расплав KF – KCl, должен растворяться с образованием комплексных ионов SiF ₆ ^2-, которые очень стабильны в расплавленных солях.

Пароперенос SiCl

₄

SiCl ₄ подавали с помощью метода переноса пара с использованием Ar в качестве газа-носителя и устройства, показанного на рис.2. Расход газа Ar и парциальное давление SiCl ₄ в смешанном газе Ar – SiCl ₄ использовались для модуляции скорости переноса пара, и эти факторы контролировались с помощью расходомера газа и термостата. соответственно. Давление паров SiCl ₄ определяется температурой T согласно следующим уравнениям. ¹⁸

В данной экспериментальной системе полное давление газа составляло 1 атм.

, где P _Ar — парциальное давление Ar.Таким образом, объемный расход SiCl ₄« выражается как функция объемного расхода Ar, f _Ar, при 298 К.

Таким образом, скорость переноса SiCl ₄« равна

, где R — газовая постоянная, а P ₀ — атмосферное давление окружающей среды (1,013 × 10 ⁵ Па).

Приведенные выше соотношения действительны только тогда, когда газ идеален и испарение происходит достаточно быстро, чтобы достичь равновесия.Справедливость этих условий была подтверждена путем пропускания газообразного аргона (20 мл мин. ^-1) в жидкий SiCl ₄ в течение 50 мин при 293 К, где значение составляет 0,257 атм, и измерения результирующего изменения веса. Скорость переноса SiCl ₄, рассчитывается по формулам. 14 и 15.

Здесь и представляют собой общий вес жидкого SiCl ₄ и бутылки Duran до и после потока газа Ag, соответственно. Величина показывает вес SiCl ₄, перевезенный во время эксперимента.Как показано в Таблице I (Exp. # VT-1), экспериментальное значение было рассчитано как 2,86 × 10 ^-4 моль мин ^-1 из = 2,43 г и уравнение. 15. Теоретическое значение по формуле. 13 равно 2,83 × 10 ⁻⁴ моль мин ⁻¹. Хорошее согласие между экспериментальными и теоретическими значениями подтверждает, что настоящий метод переноса пара обеспечивает точное управление подачей SiCl ₄.

Таблица I. Скорость переноса SiCl ₄ методом паропереноса.

^а. ^б. ^с. ^г.

Инжекция SiCl

₄ в расплав KF – KCl

В нашем предыдущем исследовании K ₂ SiF ₆ с концентрацией 2,0–3,5 мол.% И плотностями тока 50–200 мА см ⁻² при 923 K были определены как оптимальные условия для электроосаждения адгезионных, плотных и гладких слоев Si в расплаве KF – KCl – K ₂ SiF ₆. ¹⁴ Таким образом, мы ввели 2.86 мол.% SiCl ₄ (относительно эвтектической соли KF – KCl) барботированием смешанного газа Ar – SiCl ₄. Таким образом, 14,90 г газообразного SiCl ₄ было перемещено из жидкого SiCl ₄ в 200 г расплава KF – KCl при 1023 К. Как показано в Таблице I (Эксп. № VT-2), имеется хорошее согласие между экспериментальной и теоретической скоростями переноса, которая составила 2,83 × 10 ⁻⁴ моль мин ⁻¹.

После введения SiCl ₄ температура ванны была понижена с 1023 K до 923 K, и расплав исследовали методом циклической вольтамперометрии.Сплошной линией на рис. 4 показана вольтамперограмма, полученная с помощью флажкового электрода из серебра. Когда потенциал был развернут в отрицательном направлении, наблюдается пик катодного тока при 0,57 В по сравнению с K ⁺ / K, что соответствует осаждению Si. ¹³ Кроме того, наблюдается небольшое катодное плечо тока при ~ 0,8 В, что, вероятно, вызвано уменьшением примесей. Вольтамперограмма сравнивалась с той, которая была ранее получена для расплава после добавления 2,0 мол.% K ₂ SiF ₆, как показано пунктирной кривой на рис.4. Соответствующие пиковые плотности тока для осаждения Si составляют –1,742 А см ^–2 и –1,521 А см ^–2 на сплошной кривой (SiCl ₄) и пунктирной кривой (K ₂ SiF ₆) соответственно. Поскольку пиковая плотность тока пропорциональна концентрации ионов Si, ¹³, по нашим оценкам, концентрация ионов SiF ₆ ^2- составляла 2,30 мол.%. Таким образом, был успешно приготовлен расплав с оптимальной концентрацией ионов Si (2,0–3,5 мол.%) Для электроосаждения компактных пленок.

Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

Рис. 4. Циклические вольтамперограммы для серебряного флагового электрода в расплаве KF – KCl – K ₂ SiF ₆ (2,0 мол.%) При 923 К и расплавленном KF – KCl при 923 К после введения SiCl ₄. Скорость сканирования: 0,50 В с ⁻¹.

Эффективность растворения SiCl ₄ (2,30 мол.% Растворенного) была рассчитана как 80% от подаваемого количества (2.86 мол.%). Напротив, поставляемый SiCl ₄ практически не растворялся в расплаве в системе расплавленный LiCl – KCl при 723 К. ¹⁹ Примечательно, что мы достигли высокой эффективности растворения даже при использовании простой трубы с внутренним диаметром 5 мм. для пузырьков. Мы ожидаем, что время между контактом газа SiCl ₄ и реакцией с расплавленной солью KF – KCl в нашей экспериментальной системе было очень коротким.

Высокая скорость растворения SiCl ₄ в расплаве демонстрирует, что использование SiCl ₄ и расплавленной соли KF – KCl в качестве источника Si и электролита, соответственно, для электроосаждения Si весьма целесообразно.Высокая реакционная способность объясняется большой термодинамической движущей силой реакции между SiCl ₄ и KF, как показано термодинамическим расчетом на рис. 3 и уравнением. 7. Ожидается, что использование пористого газового барботера для получения более мелких пузырьков повысит эффективность растворения.

Электроосаждение Si

Поскольку вольтамперометрия показала наличие некоторых примесей в расплаве, для их удаления был проведен предварительный электролиз. После электролиза при 0,95 В vs.K ⁺ / K в течение 88 мин, на проволочном электроде из серебра был получен черный осадок. EDX установил, что месторождение состоит в основном из металлического железа. Небольшая утечка в системе подачи газа приведет к реакции SiCl ₄ и влаги с образованием SiO ₂ и хлористого водорода. Газообразный хлористый водород, вероятно, вызвал коррозию соединителя из нержавеющей стали между трубкой из PFA и графитовой трубкой, введя хлориды железа в расплавленную соль.

После предварительного электролиза электроосаждение Si проводили гальваностатическим электролизом при –155 мА см ^–2 в течение 20 мин.На рис. 5 показаны поперечные сечения полученного образца с помощью СЭМ. На подложке из серебра наблюдается компактная пленка Si. Этот результат подтверждает возможность использования газа SiCl ₄ в качестве источника Si для осаждения Si.

Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

Рис. 5. СЭМ-изображения поперечного сечения образца, полученного гальваностатическим электролизом проволочного электрода из серебра при −155 мА см ⁻² в течение 20 мин в расплавленном KF – KCl при 923 K после введения SiCl ₄.

Однако гладкая морфология наблюдается только вблизи субстрата, а отложения имеют зернистый вид во внешнем слое. Такая морфология отличается от осадка, полученного с аналогичными концентрациями ионов Si в расплаве соли KF – KCl – K ₂ SiF ₆ (2,0–3,5 мол.% K ₂ SiF ₆). ¹⁴ Предполагается, что основным фактором этой морфологической разницы является разница в молярных долях ионов F ^— и Cl ^—.В таблице II сравнивается анионная фракция расплава после добавления 2,00 мол.% K ₂ SiF ₆ и введения 2,30 мол.% SiCl ₄ в эвтектический расплав KF – KCl. Здесь предполагается, что ионы Si (IV) существуют в форме SiF ₆ ^2- из-за более высокого сродства фтора и кремния, чем хлора и кремния, как обсуждается в разделе термодинамических расчетов, и что другие ионы существуют как свободные ионы. При добавлении в расплав 2,00 мол.% K ₂ SiF ₆ анионная доля свободных ионов F ^— составляет 44.1%, что сопоставимо с ионами Cl ^— (53,9%). Однако, когда газ SiCl ₄ подается в расплавленную соль KF – KCl, происходит реакция обмена между ионами F ^— и ионами Cl ^—. Таким образом, анионная доля ионов Cl ^— (66,0%) увеличивается и становится вдвое больше, чем у ионов F ^— (31,6%). В предыдущих исследованиях плотный и гладкий слой Si электроосаждался в расплавленных солях чистых фторидов. ^20–22 Таким образом, высокое соотношение ионов Cl ^— в настоящем эксперименте, вероятно, является причиной наблюдаемой гранулярной морфологии.Влияние анионной фракции на морфологию осадка Si будет исследовано в будущем.

Таблица II. Анионная фракция расплава после добавления 2,00 мол.% K ₂ SiF ₆ и введения 2,30 мол.% SiCl ₄ в расплав KF – KCl.

	Анионная фракция /%
Источник Si	Ф. ^—	Класс ^—	SiF ₆ ²⁻
K ₂ SiF ₆ (2.00 мол.%)	44,1	53,9	2,0
SiCl ₄ (2,30 мол.%)	31,6	66,0	2,4

Исследовано растворение газа SiCl ₄ в расплаве соли KF – KCl и электроосаждение Si из расплава. Смешанный газ Ar – SiCl ₄, содержащий 14,90 г SiCl ₄, вводился газотранспортным методом в расплав эвтектического KF – KCl (200 г) при 1023 К.Циклическая вольтамперометрия показала, что был получен расплав с концентрацией ионов Si 2,30 мол.%. Эффективность растворения SiCl ₄ была рассчитана как 80% на основании измерений количества SiCl ₄, которое было подано (2,86 мол.%) И растворено (2,30 мол.%). Пленка Si была нанесена на подложку из серебра при 923 К гальваностатическим электролизом при −155 мА · см ⁻² в течение 20 мин. Наблюдение с помощью SEM в поперечном сечении подтвердило, что был получен компактный осадок Si. Наблюдаемая гранулированная морфология могла быть вызвана молярным соотношением анионов F ^— и Cl ^—, что будет подтверждено в будущих исследованиях.

Это исследование было частично поддержано Core Research for Evolutionary Science and Technology (CREST) Японского агентства науки и технологий (JST).

(PDF) Растворимость KF и NaCl в воде с помощью молекулярного моделирования

С. Конешан, Дж. К. Расайя, Л. X. Данг, J. Chem. Phys. 114, 7544

共 2001 兲.

С. Чандрасекхар и С. Кришна Прасад, Contemp. Phys. 40, 237

共 1999 兲.

М.Cavallari, C. Cavazzoni и M. Ferrario, Mol. Phys. 102, 959

共 2004 兲.

Y. Laudernet, T. Cartailler, P. Turq, M. Ferrario, J. Phys. Chem. В

107, 2354 共 2003 兲.

Л. Дегрев и Ф. Л. Б. да Силва, J. Chem. Phys. 110, 3070 共 1999 兲.

Л. Дегрев и Ф. Л. Б. да Силва, J. Chem. Phys. 111, 5150 共 1999 兲.

J. P. Brodholt, Chem. Геол. 151,11 共 1998 兲.

E.Guàrdia, J. Martí, L. García-Tarres и D. Laria, J. Mol. Liq. 117,63

共 2005 兲.

Фрэнкс, Вода как матрица жизни 共 Королевское химическое общество, Кэм

—

мост, 2000 兲.

Л. Врбка, П. Юнгвирт, Phys. Rev. Lett. 95, 148501 共 2005 兲.

М. А. Кариньяно, Э. Баскаран, П. Б. Шепсон, И. Шлейфер, J. Cryst.

Рост 共 в прессе 兲.

Э. Санс, К. Вега, Дж.L. F. Abascal, L. G. MacDowell, Phys. Rev. Lett.

92, 255701 共 2004 兲.

E. Sanz, C. Vega, J. L. F. Abascal, L. G. MacDowell, J. Chem. Phys.

121,1165 共 2004 兲.

C. Vega, E. Sanz, and J. L. F. Abascal, J. Chem. Phys. 122, 114507

共 2005 兲.

J. L. F. Abascal, E. Sanz, R. G. Fernandez, C. Vega, J. Chem. Phys.

122, 234511 共 2005 兲.

М. Феррарио, Г.Ciccotti, E. Spohr, T. Cartailler и P. Turq, J. Chem.

Phys. 117, 4947 2002 兲.

Д. Зан, Phys. Rev. Lett. 92, 040801 共 2004 兲.

I. Okada, Y. Namiki, H. Uchida, M. Aizawa, and K. Itatani, J. Mol. Liq.

118,131 2005 兲.

Х. Синто, Т. Сакакибара, К. Хигаситани, J. Phys. Chem. B 102,

1974 共 1998 兲.

Y. Yang, S. Meng, L. F. Xu, E. G. Wang, Phys. Ред.E 72, 012602

共 2005 兲.

F. Fumi, M. Tosi, J. Phys. Chem. Твердые тела 25,31 共 1964 兲.

L. X. Dang, Chem. Phys. Lett. 200,21 共 1992 兲.

L. X. Dang, J. Am. Chem. Soc. 117, 6954 共 1995 兲.

Л. Данг и Д. Э. Смит, J. Chem. Phys. 99, 6950 共 1993 兲.

D. E. Smith, L. X. Dang, J. Chem. Phys. 100, 3757 1994 兲.

Д. Френкель, А. Дж. К. Лэдд, Дж.Chem. Phys. 81, 3188 共 1984 兲.

Дж. Анвар, Д. Френкель и М. Г. Норо, J. Chem. Phys. 118, 728 2003 兲.

Т. Страатсма и Х. Берендсен, J. Chem. Phys. 89, 5876 共 1988 兲.

А. Любарцев, О. Форрисдал, А. Лааксонен, J. Chem. Phys. 108,

227 共 1998 兲.

Р. Линден-Белл, Дж. Расайя и Дж. Новорита, Pure Appl. Chem. 73, 1721

共 2001 兲.

К. М. Оберг, А.П. Любарцев, С. П. Якобссон, А. Лааксонен, J.

Chem. Phys. 120, 3770 共 2004 兲.

D. H. Herce, T. Darden, and C. Sagui, J. Chem. Phys. 119, 7621 2003 兲.

Г. Хаммер, Л. Р. Пратт, А. Э. Гарсия, J. Phys. Chem. 100, 1206

共 1996 兲.

E. Smith, T. Bryk, A. Haymet, J. Chem. Phys. 123, 034706 共 2005 兲.

М. Феррарио, Г. Чиккотти, Э. Шпор, Т. Карталлер и П. Терк, Дж.Chem.

Phys. 117,4947 2002 兲.

Х. Дж. Берендсен, Дж. Р. Григера, Т. П. Страатсма, J. Phys. Chem. 91,

6269 共 1987 兲.

J. E. Mayer, J. Chem. Phys. 1,270 共 1933 兲.

M. L. Huggins и J. E. Mayer, J. Chem. Phys. 1,643 1933 兲.

M. Tosi, F. Fumi, J. Phys. Chem. Твердые тела 25,45 共 1964 兲.

Д. Дж. Адамс, И. Р. Макдональд, J. Phys. С 7, 2761–1974.

Д. Френкель и Б. Смит, Understanding Molecular Simulation 共 Aca

—

demic, New York, 2002, гл. 12.1.

К. Вега, П. А. Монсон, J. Chem. Phys. 102,1361 共 1995 兲.

К. Вега, П. А. Монсон, J. Chem. Phys. 109,9938 共 1998 兲.

C. Vega, J. L. F. Abascal, C. McBride, F. Bresme, J. Chem. Phys.

119, 964 共 2003 兲.

Л. Л. Ли, Молекулярная термодинамика неидеальных жидкостей, Баттервортс,

Лондон, 1988 г.

Дж. К. Джонсон, Дж. А. Цольвег и К. Э. Губбинс, Мол. Phys. 78 591

共 1993 兲.

E. A. Mastny и J. J. de Pablo, J. Chem. Phys. 122, 124109 共 2005 兲.

S. Lengyel, J. Tamás, J. Giber, J. Holderith, Acta Chim. Повесили. 40,

125 共 1964 兲.

В. М. Лобо и Дж. Л. Куарежма, Растворы электролитов: Thermody

—

Намические и транспортные свойства 共 Деп. de Química da Universidade de

Coimbra, Coimbra, Portugal, 1981 兲.

L. J. M. Smits, E. M. Duyvis, J. Phys. Chem. 70, 2747 共 1966 兲.

J. L. F. Abascal и C. Vega, J. Chem. Phys. 123, 234505 共 2005 兲.

K. S. Pitzer, J. Phys. Chem. 77, 268 共 1973 兲.

Р. М. Нойес, Дж. Ам. Chem. Soc. 84, 513 共 1962 兲.

Дж. М. Праусниц, Р. Н. Лихтенталер и Э. Г. де Азеведо, Molecular

Термодинамика жидкостного фазового равновесия 共 Prentice Hall, White Plains,

NY, 1999 兲.

Р. К. Вист, Справочник по химии и физике 共 CRC, Бока-Ратон, Флорида,

1986 兲.

C. McBride, C. Vega, E. Sanz, L. G. MacDowell, J. L. F. Abascal,

Mol. Phys. 103,1 2005 兲.

014507-13 Растворимость KF и NaCl в воде J. Chem. Phys. 126, 014507 共 2007 兲

Загружено 5 января 2007 г. на номер 147.96.6.138. Распространение подлежит лицензии AIP или авторскому праву, см. Http://jcp.aip.org/jcp/copyright.jsp

Проницаемость для водорода через смешанную расплавленную соль LiF, NaF и KF (Flinak) в качестве теплоносителя — Кюсю University

TY — JOUR

T1 — Водородопроницаемость через смесь расплавленных солей LiF, NaF и KF (Flinak) в качестве теплоносителя

AU — Fukada, Satoshi

AU — Morisaki, Akio

N1 — Информация о финансировании: Это исследование было частично поддержано координационным исследованием NIFS (номер контракта NIFS04KFDS001) и частично Министерством образования, науки, спорта и культуры, грант на исследовательские исследования, 2005 г., 17656297.Авторы благодарны за полезное обсуждение с членами Японо-американской программы испытаний облучения / интеграции для исследований термоядерного синтеза-II (JUPITER-II), задача 1-1-A Группа химии флиба / трития.

PY — 2006/11/30

Y1 — 2006/11/30

N2 — Проницаемость, коэффициент диффузии и растворимость водорода в Flinak, смешанном расплаве солей LiF (46,5%), NaF (11,5%) и KF (42%) были определены с использованием сосуда, поддерживаемого никелевой пластиной. Проникновение, ограничивающее диффузию, было подтверждено экспериментальными данными, согласно которым скорости проникновения водорода были обратно пропорциональны толщине Flinak.Коэффициенты диффузии, определенные в диапазоне 500-750 ° C, коррелировали с уравнением Аррениуса с энергией активации 50 кДж / моль. Поскольку зависимость растворимости водорода во Флинаке от давления была практически линейной, водород растворялся как h3 во Флинаке. Растворимость h3 в Flinak коррелировала с законом Генри, и его константа растворимости обсуждалась с точки зрения макроскопического поверхностного натяжения и неопределенной энергии взаимодействия между расплавленной солью и растворенными газообразными молекулами.

AB — Проницаемость, коэффициент диффузии и растворимость водорода в Flinak, смешанном расплаве соли LiF (46.5%), NaF (11,5%) и KF (42%) определяли с использованием сосуда, поддерживаемого пластиной из Ni. Проникновение, ограничивающее диффузию, было подтверждено экспериментальными данными, согласно которым скорости проникновения водорода были обратно пропорциональны толщине Flinak. Коэффициенты диффузии, определенные в диапазоне 500-750 ° C, коррелировали с уравнением Аррениуса с энергией активации 50 кДж / моль. Поскольку зависимость растворимости водорода во Флинаке от давления была практически линейной, водород растворялся как h3 во Флинаке. Растворимость h3 в Flinak коррелировала с законом Генри, и его константа растворимости обсуждалась с точки зрения макроскопического поверхностного натяжения и неопределенной энергии взаимодействия между расплавленной солью и растворенными газообразными молекулами.

UR — http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=33750316376&partnerID=8YFLogxK

UR — http://www.scopus.com/inward/citedby.url?scp=33750316376&partnerID=8Y

U2 — 10.1016 / j.jnucmat.2006.07.011

DO — 10.1016 / j.jnucmat.2006.07.011

M3 — Артикул

AN — SCOPUS: 33750316376

VL — 358

SP — 230002 SP — 230002 EP — 242

JO — Journal of Nuclear Materials

JF — Journal of Nuclear Materials

SN — 0022-3115

IS — 2-3

ER —

Что означает KF?

Какое-то смешное

Что означает KF в ЦП?

полнофункциональная графика

KF — это кислота или основание?

KF — это соль сильного основания KOH и слабой кислоты HF.

Что такое pH KF?

Анионы сильных кислот являются настолько слабыми основаниями, что они не оказывают существенного влияния на pH раствора и считаются основными в воде, почему KF имеет pH больше 7, а не pH равный 7?

Na2co3 — это кислота или основание?

Карбонат натрия (также известный как стиральная сода или кальцинированная сода), Na2CO3, представляет собой натриевую соль угольной кислоты и является довольно сильным нелетучим основанием. Чаще всего он встречается в виде кристаллического гептагидрата, который легко выцветает с образованием белого порошка, моногидрата.

Является ли KF нейтральным в воде?

K + не является кислотой, а Br- не является основанием, поэтому раствор нейтрален. Но KF является основным, почему он также не нейтрален, если у них обоих есть K +, а Br и F находятся в одной группе?

Является ли Ch4Nh4Cl кислотой или основанием?

Ch4Nh4Cl — ионное соединение, состоящее из ионов Ch4Nh4 + и Cl-. Вся соль не отдает протоны, ион Ch4Nh4 + делает (с образованием h4O +), когда соль диссоциирует в воде. Cl- — очень слабое сопряженное основание, поэтому его основность незначительна.Следовательно, соль является кислой из-за Ch4Nh4 +, кислоты Бренстеда.

Является ли AlCl3 кислотой или основанием?

Нет, это означает, что AlCl3 является слабой кислотой, потому что единственная часть молекулы, которая влияет на pH раствора, — это ион Al + 3. Основание, сопряженное с сильной кислотой, очень мало влияет на pH раствора (в случае Cl- и его сопряженной кислоты HCl).

febr3 — это кислота или основание?

соль	положительный ион в растворе	водный раствор соли
NaNO2	Na + (водн.), Нейтральный	базовый
Nh5ClO4	Nh5 + (водн.), Кислая	кислая
Ca (ClO4) 2	Ca2 + (водн.), Нейтральный	нейтральный
FeBr3	Fe3 + (водн.), Кислая	кислая

Является ли Mg OH 2 кислотой или основанием?

Поскольку Mg (OH) 2 указан в таблице 12.2 «Сильные кислоты и основания», это сильное основание.

Является ли h3SO4 кислотой, основанием или солью?

Сильные кислоты	Крепкие основания
HCl (соляная кислота) HNO3 (азотная кислота) HClO4 (хлорная кислота) h3SO4 (серная кислота)	NaOH (гидроксид натрия) KOH (гидроксид калия) Ca (OH) 2 (гидроксид кальция)

Является ли h3C2O4 основанием или кислотой?

Щавелевая кислота — полимерная Benson. Щавелевая кислота — это органическое соединение с формулой h3C2O4 (также обозначаемое как HOOCCOOH).Это бесцветное кристаллическое твердое вещество, которое образует бесцветный раствор в воде. Классифицируется как дикарбоновая кислота.

Насколько опасна щавелевая кислота?

► Воздействие щавелевой кислоты может вызвать головную боль, головокружение, тошноту и рвоту, судороги, кому и даже смерть. ► Продолжительный или повторяющийся контакт может вызвать кожную сыпь, боль, покраснение, волдыри и медленно заживающие язвы.

Почему щавелевая кислота — слабая кислота?

Щавелевая кислота — слабая кислота, которая лишь частично ионизируется в водном растворе.В щавелевой кислоте есть два кислых протона. При первой ионизации образуется НС2О4-, которая также является слабой кислотой и также ионизируется. Хороший!

Какая кислота представляет собой h3C2O4?

Щавелевая кислота

ВИЗУАЛИЗАЦИЯ ДВУХФАЗНОГО ПОТОКА В РАСПЛАВЛЕННОЙ СОЛИ: ПУСКУРИЗИЯ ГЕЛИЯ В ФТОРИДЕ ЛИТИЯ — ФТОРИД НАТРИЯ — ФТОРИД КАЛИЯ (LIF-NAF

Абстрактные

Испытательная установка для очень высоких температур была спроектирована и построена в Лаборатории теплогидравлических исследований Техасского университета A&M (TAMU) для проведения экспериментов по визуализации двухфазного потока в расплавленной соли.Испытательный прибор из нержавеющей стали 316 (SST316), оснащенный прозрачной кварцевой секцией, был разработан для проведения экспериментов по визуализации одиночных пузырьков гелия, поднимающихся во фторидной соли в диапазоне температур 460-650 ° C. Фторид-соль, выбранная для этого исследования, представляла собой эвтектическую смесь LiF-NaF-KF (46,5-11,5-42%), также известную как FLiNaK. Был проведен ряд тестов с пузырьками гелия при температуре 550-600 ° C, и для оценки полей скорости был успешно применен метод измерения скорости изображения частиц (PIV).Проведенный анализ помог понять влияние размера и формы пузырька на конечную скорость пузырька гелия в FLiNaK. Каждый пузырек менял форму и траекторию на протяжении всего подъема в испытательной секции. Наблюдаемые формы пузырьков были эллипсоидальными, качающимися и сферическими; наблюдаемые движения пузырьков были спиральными, зигзагообразными и прямолинейными. Пузырьки гелия были измерены и имели диапазон соотношения сторон 0,363 — 0,681 ± 10%, диапазон эквивалентных диаметров пузырьков в пределах 2,96 — 6,47 ± 12% мм и экспериментальный диапазон конечных скоростей 208.41 — 268,82 ± 3% мм / с. Безразмерные числа рассчитывались с теплофизическими свойствами жидкости и газа, оцененными в диапазоне 550-600 ° C и атмосферном давлении. Безразмерные диапазоны чисел в этом исследовании были определены как 243 Чавес, Дениз Эрин (2020). ВИЗУАЛИЗАЦИЯ ДВУХФАЗНЫХ ПОТОКОВ В РАСПЛАВЛЕННОЙ СОЛИ: ГЕЛИЕВОЕ КУРИЗИРОВАНИЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ — ФТОРИДА НАТРИЯ — ФТОРИДА КАЛИЯ (LIF-NAF-KF).Магистерская работа, Техасский университет A&M. Доступно в электронном виде по адресу https: / / hdl .handle .net / 1969 .1 / 192215. .

Задания 5. Классификация и номенклатура неорганических веществ.

Задание 5

Фторид калия — это… Что такое Фторид калия?

Распространение в природе

Физико-химические свойства

Термодинамические параметры

Растворимость

Методы получения

Химические свойства

Применение

Токсичность

Примечания

Недвижимость в La Zagaleta — виллы в Ла Загалета

Районы Коста дель Соль

Марбелья

Восточная Марбелья (East Marbella) – Калаонда (Calahonda)– Фуэнхирола (Fuengirola)

Порт Банус (Puerto Banus)

Новая Андалузия (Nueva Andalucía)

Сан — Педро-де-Алькантара (San Pedro de Alcántara)

Эстепона (Estepona)

Бенаавис (Benahavís)

Сотогранде (Sotogrande)

Inland

Ресторан в самаре, банкетный зал, гостиница, отель La Maison

События

Отзыв посетителя

Vista Sol Punta Cana Beach Resort & Casino 4* (Доминиканы/Провинция Ла-Альтаграсия/Пунта Кана/Плайа Баваро). Рейтинг отелей и гостиниц мира

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Что сохраняется в файле cookie?

Разделение и свойства La₂O₃ в расплавленной соли LiF-NaF-KF

Абстрактные

Аннотация для широкой аудитории

— Электроосаждение кремния в водорастворимой расплавленной соли KF – KCl: использование SiCl4 в качестве источника Si

Пароперенос SiCl

Инжекция SiCl

Электроосаждение Si

(PDF) Растворимость KF и NaCl в воде с помощью молекулярного моделирования

Проницаемость для водорода через смешанную расплавленную соль LiF, NaF и KF (Flinak) в качестве теплоносителя — Кюсю University

Что означает KF?

Что означает KF?

Что означает KF в ЦП?

KF — это кислота или основание?

Что такое pH KF?

Na2co3 — это кислота или основание?

Является ли KF нейтральным в воде?

Является ли Ch4Nh4Cl кислотой или основанием?

Является ли AlCl3 кислотой или основанием?

febr3 — это кислота или основание?

Является ли Mg OH 2 кислотой или основанием?

Является ли h3SO4 кислотой, основанием или солью?

Является ли h3C2O4 основанием или кислотой?

Насколько опасна щавелевая кислота?

Почему щавелевая кислота — слабая кислота?

Какая кислота представляет собой h3C2O4?

ВИЗУАЛИЗАЦИЯ ДВУХФАЗНОГО ПОТОКА В РАСПЛАВЛЕННОЙ СОЛИ: ПУСКУРИЗИЯ ГЕЛИЯ В ФТОРИДЕ ЛИТИЯ — ФТОРИД НАТРИЯ — ФТОРИД КАЛИЯ (LIF-NAF

Абстрактные

Добавить комментарий Отменить ответ