3. Сохранение энергии в тепловых процессах. Уравнение теплового баланса

Закон сохранения энергии сыграл решающую роль в развитии науки в различных направлениях.

Над развитием и применением закона сохранения и превращения энергии много работал У. Дж. М. Ранкин.

Уильям Джон Макуорн Ранкин (Ренкин)

Ранкин первым начал широко применять термин «энергия» и попытался дать этому понятию общее определение. Под энергией системы вслед за Ранкиным стали понимать её способность производить работу.

Ранкин писал:

Термин «энергия» предполагает любое состояние субстанции, которое заключается в способности производить работу; количество энергии измеряется количеством работы, которую она способна произвести.

Французский математик и физик Ж. Б. Фурье установил один из основных законов теплопроводности — односторонний переход теплоты от более нагретого тела к менее нагретому.

Жан Батист Жозеф Фурье

При переходе теплоты от более горячего тела к более холодному температуры тел постепенно (т.е. во времени!) выравниваются и становятся едиными для обоих тел — наступает состояние термодинамического равновесия.

Таким образом, первым важным открытием было открытие того факта, что все протекающие естественным образом (без участия внешних сил) тепловые процессы необратимы.

Второе, не менее важное открытие принадлежит С. Карно, который изучал проблему использования теплоты (тепловой энергии) через преобразование её в механическую энергию для производства рабо­ты в тепловых двигателях. Результаты своих исследований он изложил в сочинении «Размышления о движущей силе, огне и о машинах, способных развивать эту силу».

Николя Леонар Сади Карно

Карно установил, что тепловую энергию, которой обладает на­гретое тело, непосредственно невозможно превратить в механиче­скую энергию для производства работы. Это можно сделать, только если часть тепловой энергии тела с большей температурой передать другому телу с меньшей температурой и, следовательно, нагреть его до более высокой температуры.

Обрати внимание!

При теплообмене двух или нескольких тел абсолютное количество теплоты, которое отдано более нагретым телом (телами), равно количеству теплоты, которое получено менее нагретым телом (телами) (если нет потерь теплоты):

Qотд=Qполуч.

3. Закон сохранения энергии в тепловых процессах. Законы термодинамики.

Маятник Максвелла. Маятник Максвелла — экспериментальное подтверждение преобразования Маятника Максвелла.

Закон сохранения механической энергии. Полная механическая энергия тела (сумма кинетической и потенциальной) в замкнутой системе тел не меняется (сохраняется).

Еп + Ек = Е = const

Действие Закона сохранения энергии в двигателе внутреннего сгорания. Возможен процесс, когда внутренняя энергия тела будет переходить в механическую. Подобные процессы происходят в двигателе внутреннего сгорания.

Джеймс Джоуль и значение его открытий. Джеймс Пре́скотт Джо́уль (1818-1889) – английский физик, внесший значительный вклад в становление термодинамики. Обосновал на опытах закон сохранения энергии. Установил закон, определяющий тепловое действие электрического тока. Вычислил скорость движения молекул газа и установил ее зависимость от температуры.

Два способа изменения внутренней энергии тела. Способы изменения внутренней энергии тела: 1. Передача телу некоторого количества энергии путем теплообмена и 2. Выполнение над телом определенной работы.

Первый закон термодинамики. Система может совершать работу только за счёт своей внутренней энергии или каких-либо внешних источников энергии.

Понятие Вечного двигателя. Вечный двигатель – это устройство, способное выполнять работу без потребления какого-либо топлива.

Доказательство невозможности Вечного двигателя первым началом термодинамики. Отсутствие топлива эквивалентно отсутствию теплопередачи газу. Т.е. Q = 0.

Подставляя это значение в формулу первого закона термодинамики, получим: Aвн. = — ∆U

Т.е., энергия для выполнения работы берётся из запасов внутренней энергии тела, и поэтому невозможно постоянное выполнение такой работы – лишь до момента, когда иссякнет внутренняя энергия.

Второй закон термодинамики. Невозможно передать энергию (теплоту) от менее нагретой системы к более нагретой без одновременного изменения этих двух систем или окружающих тел.

Постулат Клаузиуса. Невозможен процесс, единственным результатом которого являлась бы передача тепла от более холодного тела к более горячему.

Постулат Томпсона (Кельвина). Невозможен круговой процесс, единственным результатом которого было бы производство работы за счет охлаждения теплового резервуара.

Третье начало термодинамики. Приращение энтропии при абсолютном нуле температуры стремится к конечному пределу, не зависящему от того, в каком равновесном состоянии находится система.

Теорема Нернста. Это физический принцип, определяющий поведение энтропии при абсолютном нуле температуры.

4. Тепловые машины, их применение.

Научный предмет термодинамики. Непосредственным предметом интереса термодинамики, как научной дисциплины, являются тепловые двигатели и, соответственно, коэффициенты их полезного действия.

Определение теплового двигателя. Тепловой двигатель – это устройство, в котором внутренняя энергия топлива преобразуется в механическую работу.

Функциональная схема теплового двигателя. Все без исключения тепловые двигатели функционально делятся на три составляющие: Нагреватель; Рабочее тело; Холодильник.

Коэффициент полезного действия теплового двигателя. Основным показателем работы теплового двигателя является КПД – коэффициент полезного действия.

Определение КПД теплового двигателя. КПД теплового двигателя – это отношение полезной работы, выполненной рабочим телом, к количеству теплоты, переданной телу от нагревателя.

Вычисление КПД реального теплового двигателя. КПД вычисляется формулой:

.

По закону сохранения энергии: энергия, отошедшая от нагревателя, никуда не исчезает — часть её отводится в виде работы, остальная часть приходит на холодильник:

.

Получаем:

Формула Карно для вычисления КПД идеального теплового двигателя. КПД идеального двигателя (в котором нет потерь тепла и все тепло идет на выполнение работы) вычисляется по формуле Карно:

Т.о., КПД идеального двигателя зависит только от температур нагревателя и холодильника.

Демонстрации:

Взаимные переходы между агрегатными состояниями.

Кипение и парообразование.

Теплопроводность в природе.

Теплопроводность металлов.

Явление конвекции в газе (в воздухе).

Явление конвекции в жидкости.

Излучение.

Опыт Джеймса Джоуля о совершении газом работы в тепловых процессах.

Вечные двигатели.

Контрольные вопросы:.

1. Сформулируйте основные признаки агрегатного состояния физических тел.

2. Назовите отличительные признаки твердых тел, жидкостей и газов.

3. Сформулируйте агрегатные состояния физических тел с точки зрения атомно-молекулярных представлений.

4. Назовите молекулярные особенности твердых тел.

5. Назовите молекулярные особенности жидкостей.

6. Назовите молекулярные особенности газов.

7. Назовите взаимные переходы между агрегатными состояниями и сформулируйте суть этих переходов.

8. Определите температурные особенности взаимных переходов веществ из одного агрегатного состояния в другое.

9. Назовите промежуточные фазы взаимных переходов веществ из одного агрегатного состояния в другое.

10. Сформулируйте физические характеристики и дайте определения тепловым процессам и явлениям в природе.

11. Назовите три способа передачи теплоты.

12. Сформулируйте определение теплопроводности.

13. Определите, что в термодинамике означает коэффициент удельной теплопроводности.

14. Назовите физические свойства теплопроводности.

15. Сформулируйте определение конвекции.

16. Сформулируйте определение излучения.

17. Сформулируйте, что такое спектр излучений и его основные характеристики.

18. Сформулируйте закон сохранения энергии в тепловых процессах.

19. Определите значение законов термодинамики.

20. Сформулируйте закон сохранения механической энергии.

21. Объясните на практическом примере действие закона сохранения энергии в двигателе внутреннего сгорания.

22. В чем значение открытий Джеймса Джоуля?

23. Назовите два способа изменения внутренней энергии тела.

24. Сформулируйте первый закон термодинамики.

25. Назовите физические характеристики «Вечного двигателя».

26. Приведите доказательство невозможности Вечного двигателя, основываясь на первом законе термодинамики.

27. Сформулируйте второй закон термодинамики.

28. Назовите физические смыслы постулатов Клаузиуса и Томпсона (Кельвина).

29. Сформулируйте третий закон (третье начало) термодинамики.

30. Охарактеризуйте теорему Нернста с точки зрения ее значения для теоретической физики.

31. Приведите примеры использования человеком тепловых машин.

32. Сформулируйте понятие тепловой машины (теплового двигателя).

33. Назовите научный предмет термодинамики.

34. Дайте определение теплового двигателя.

35. Объясните функциональные особенности теплового двигателя.

36. Объясните, что такое коэффициент полезного действия теплового двигателя.

37. Определите КПД теплового двигателя на практическом примере.

38. Сформулируйте, для чего нужна формула Карно?

Литература:

1. Ахмедова Т.И., Мосягина О.В. Естествознание: Учебное пособие / Т.И. Ахмедова, О.В. Мосягина. – М.: РАП, 2012. – С. 137-158.

Конспект «Уравнение теплового баланса» — УчительPRO

Уравнение теплового баланса

Ключевые слова конспекта: количество теплоты, уравнение теплового баланса, закон сохранения энергии в тепловых процессах.

Для механических явлений при определённых условиях выполняется закон сохранения механической энергии: полная механическая энергия системы тел сохраняется, если они взаимодействуют силами тяготения или упругости. Если действуют силы трения, то полная механическая энергия тел не сохраняется, часть её (или вся) превращается в их внутреннюю энергию.

При изменении состояния тела (системы) меняется его внутренняя энергия. Состояние тела и соответственно его внутреннюю энергию можно изменить двумя способами: в процессе теплопередачи или путём совершения внешними силами работы над телом (работа, например, силы трения). Мерой изменения внутренней энергии тела в процессе теплообмена выступает количество теплоты (Q).

Уравнение теплового баланса

В изолированной системе при смешивании горячей и холодной воды, количество теплоты Q₁, отданное горячей водой, равно количеству теплоты Q₂, полученному холодной водой, т.е.: |Q₁|= |Q₂|.  Q₁ (выделенное) < 0,  Q₂ (полученное) > 0. 

Q_{отданное} + Q_{полученное} = 0

Записанное равенство называется уравнением теплового баланса (эта формула и уравнение, используемое в 8 классе!). Определение: суммарное количества теплоты, которое выделяется в теплоизолированной системе равно суммарному количеству теплоты, которое в этой системе поглощается.

Уравнение теплового баланса связывает количество теплоты, полученное одним телом, и количество теплоты, отданное другим телом при теплообмене. При этом в теплообмене могут участвовать не два тела, а три и более: Q₁ + Q₂ + Q₃ + … = 0

Уравнение теплового баланса – это закон сохранения энергии для процессов теплообмена в термоизолированных системах. Оно даёт возможность определить те или иные величины. В частности, значения удельной теплоёмкости веществ определяют из уравнения теплового баланса.

◊◊◊ Обратите внимание! В более старших классах используется следующее определение «уравнения теплового баланса»: Если в изолированной системе тел не происходит никаких превращений энергии кроме теплообмена, то количество теплоты, отданное телами, внутренняя энергия которых уменьшается, равно количеству теплоты, полученному телами, внутренняя энергия которых увеличивается. При этом суммарная энергия системы не изменяется«. А также используется другая формула уравнения (с учетом интегральной формы Первого начала термодинамики):

Закон сохранения энергии в тепловых процессах

Закон сохранения энергии в тепловых процессах выполняется при нагревании тел за счёт энергии, выделяющейся при сгорании топлива. Топливо — это природный газ, дрова, уголь, нефть. При его сгорании происходит химическая реакция окисления — атомы углерода соединяются с атомами кислорода, содержащимися в воздухе, и образуется молекула оксида углерода (углекислого газа) С0₂. При этом выделяется энергия.

При сгорании различного топлива одинаковой массы выделяется разное количество теплоты. Например, хорошо известно, что природный газ является энергетически более выгодным топливом, чем дрова. Это значит, что для получения одного и того же количества теплоты, масса дров, которые нужно сжечь, должна быть существенно больше массы природного газа. Следовательно, различные виды топлива с энергетической точки зрения характеризуются величиной, называемой удельной теплотой сгорания топлива.

Конспект урока «Уравнение теплового баланса».

Следующая тема: «Испарение. Конденсация».

«Закон сохранения энергии в тепловых процессах»

Тема: “Закон сохранения энергии в тепловых процессах”

Тип: Урок закрепления знаний изученного материала

Вид: Урок по методу проектов

Цели:

— Систематизация и обобщение ранее полученных знаний по данной теме;
— Дать представления о проектной деятельности и разработать элементарный проект по заданной проблеме;
— Заинтересовать учащихся исследовательской деятельностью;
— Развивать логическое мышление и умения обобщать;
— Научиться сопоставлять и изменять полученные знания на практике и в быту;
— Воспитывать чувство коллективизма, взаимопомощи, умение работать в группах.

Оборудование: На столах приборы согласно проектам, компьютер.

Оформление: На доске портрет М.В. Ломоносова, плакат со словами:

“Может собственным Платоном
И быстрых разумом Невтонов
Российская земля рожать”

М.В. Ломоносов.

Ход урока:

Про теплоту начнем рассказ
Всё вспомним, обобщим сейчас
Энергия работа до кипения.
Чтоб лени наблюдалось испарение
Мозги не доведём мы до плавления,
Их тренируем до изнеможения.
В учении проявляем мы старание,
Идей научных видя обоняние!
Задачу мы любую одолеем,
И другу подсобить всегда сумеем.
Историю науки изучаем
И Ломоносова великим почитаем,
И проявляем мы себя в труде
Как двигатель с высоким КПД!
Но как же жизнь бывает непроста
С той дамой, что зовётся Теплота!

Учитель: Добрый день, дорогие друзья!

Тема нашего сегодняшнего урока “Закон сохранения энергии в тепловых процессах”. Я надеюсь вы повторили эту тему. Сейчас мы вспомним законы и формулы, но не будем решать сложных задач, вне всякого сомнения, вы умеете делать это хорошо. Задача нашего урока другая. Сегодня вы попробуете себя в роли исследователей, попробуете выполнить несколько элементарных проектов-заданий, в которых решаются задачи, возникающие, кстати, достаточно в обычной жизни.

В процессе изучения различных физических явлений мы знакомились с самыми различными формами энергии. Поскольку сейчас мы закончили изучение темы “Тепловые явления” нас, прежде всего, интересует внутренняя энергия и способы её изменения. Прошу ответить на вопросы:

Учитель: Что называется внутренней энергией?

Учащийся: Внутренняя энергия – это энергия движения и взаимодействия молекул.

Учитель: Какими способами можно изменить внутреннюю энергию?

Учащийся: Внутреннюю энергию можно изменить двумя способами: совершением над телом механической работы или теплопередачей.

Учитель: С теплопередачей непосредственно связано такое понятие, как количество теплоты. Что же такое количество теплоты?

Учащийся: Количество теплоты – это энергия, которую тело получает либо теряет при теплопередаче

Учитель: Давайте охарактеризуем изученные нами тепловые процессы, именно формулами. Сейчас вам будут розданы листы с заданиями в виде таблиц, которые вы должны заполнить. Время работы 3 минуты. После этого вы сделаете взаимопроверку и каждый оценит работу рядом сидящего. (Приложение №1). Звучит музыка.

Учитель: Знаете ли вы, что физик Вальтер Нернст увлекался разведением карпов? Однажды кто – то глубокомысленно заметил: “Странный выбор. Кур разводить и то интереснее”. Учёный невозмутимо ответил: “Я развожу таких животных, которые находятся в тепловом равновесии с окружающей средой. Разводить теплокровных – это значит обогревать на свои деньги мировое пространство”. Справедливо ли замечание ученого? На этот и другие вопросы нам ответят законы термодинамики.

Учитель: А что такое термодинамика?

Учащийся: Термодинамика — раздел физики, изучающий законы теплового равновесия и превращения теплоты в другие виды энергии.

Учитель: Сформулируем принципы, которые носят название законов термодинамики.

Учащийся: Количество теплоты, полученное системой, расходуется на изменение её внутренней энергии и на работу, производимую системой против внешних сил.

Учащийся: Невозможен процесс, единственным результатом которого был бы переход энергии путем теплообмена от холодного тела к более горячему.

Учитель: Энергия, согласно закону сохранения не возникает из нечего , поэтому нельзя построить двигатель, который бы совершал работу большую, чем та энергия, которая подводится к двигателю из вне .

Учащийся: Невозможно создать двигатель 1 рода.

Учитель: Ну, коль вечный невозможно создать, то, что такое реально существующие тепловые двигатели?

Учащийся: Машины, преобразующие внутреннюю энергию в механическую, называют тепловыми двигателями.

Учитель: Из каких основных частей состоит любой тепловой двигатель?

Учащийся: Нагреватель —> рабочее тело — > холодильник.

Учитель: Назовите основные виды тепловых двигателей.

Учащийся: Паровая машина, двигатель внутреннего сгорания, паровая турбина, реактивный двигатель.

Учитель: Каков КПД тепловых двигателей?

Учащийся: Обычно не более 30-40%.

Учитель: Человек очень расточительно использует энергию топлива, которую дарит нам природа. Мы, как не благодарные дети, проматываем наследство, накапливавшееся по крохам в течении миллионов лет. Природа поступает более мудро. Как же она решает энергетическую проблему? На этот вопрос вы ответите в своих проектах.

Проект №1

“Виды топлива”

Проект №2

“Отопление и обогрев”

Проект №3

“Приготовление пищи”

Проект № 4

“Теплопередача и закон сохранения энергии”

Проект №5

“Энергия и теплота в живой природе”

Проект №6

“Тепловые механизмы и двигатели”

Первый закон термодинамики = Закон сохранения энергии, внутренняя энергия, тепло, работа, энтальпия, энтропия.

Закон сохранения энергии в тепловых процессах.

начальное и конечное сос­то­яния. Объяснить проходящие процессы и начертить ход графиков.

б) давление уменьшается в n = 2 раза.

Закон сохранения энергии в механических и тепловых процессах

ЕГЭ математика — Профиль 2020. Открытый банк заданий с ответами. — math200.ru

Задания и ответы открытого банка заданий профильного ЕГЭ по математике

Варианты реальных и пробных ЕГЭ прошлых лет

Варианты профильного ЕГЭ

Тренировочные варианты ЕГЭ Профиль СтатГрад

Задачи на вычисления

Округление с недостатком и с избытком

Задачи на проценты

Определение величины по графику

Определение величины по диаграмме

Вычисление величин по графику или диаграмме

Вычисление площадей

Вычисление площадей на координатной плоскости

Вычисление длин и углов

Круг и его элементы

Классическое определение вероятности

Теоремы о вероятностях событий

Рациональные уравнения

Иррациональные уравнения

Показательные уравнения

Логарифмические уравнения

Тригонометрические уравнения

Прямоугольный треугольник

Равнобедренный треугольник

Треугольник общего вида

Квадрат, прямоугольник, параллелограмм, ромб

Трапеция

Центральные и вписанные углы

Окружность, касательная, хорда, секущая

Вписанные окружности

Описанные окружности

Физический смысл производной

Геометрический смысл производной, касательная

Применение производной к исследованию функций

Первообразная

Куб, прямоугольный параллелепипед

Элементы составных многогранников

Площадь поверхности и объем составного многогранника

Призма

Пирамида

Цилиндр, конус, шар

Комбинация тел

Вычисление значений рациональных выражений

Вычисление значений иррациональных выражений

Вычисление значений степенных выражений

Вычисление значений логарифмических выражений

Вычисление значений тригонометрических выражений

Рациональные уравнения и неравенства

Иррациональные уравнения и неравенства

Показательные  и логарифмические уравнения и неравенства

Тригонометрические уравнения и неравенства

Разное

Задачи на движение по прямой

Задачи на движение по окружности

Задачи на движение по воде

Задачи на работу

Задачи на проценты, смеси и сплавы

Задачи на прогрессии

Степенные, иррациональные и дробные функции

Логарифмические функции

Показательные функции

Тригонометрические функции

Исследование функций без помощи производной

Рациональные уравнения

Уравнения с модулями

Иррациональные уравнения

Тригонометрические уравнения

Показательные уравнения

Логарифмические уравнения

Тригонометрические уравнения, содержащие ОДЗ

Уравнения смешанного типа, содержащие тригонометрические функции

Вычисление отношений отрезков

Расстояние от точки до прямой. Расстояние от точки до плоскости

Угол между прямыми

Площадь сечения

Расстояние между скрещивающимися прямыми

Угол между плоскостями

Угол между прямой и плоскостью

Фигуры вращения: цилиндр, конус, шар

Объем многогранника

Рациональные неравенства

Неравенства с модулями

Иррациональные неравенства

Показательные неравенства

Логарифмические неравенства

Логарифмические неравенства с переменным основанием

Треугольник и его элементы

Задачи о вкладах и кредитовании

Экономические задачи на оптимизацию

Линейные уравнения, неравенства и системы уравнений с параметрами

Исследование дискриминанта и применение теоремы виета

Расположение корней квадратного трехчлена относительно данных чисел

Квадратные неравенства с параметрами

Задачи, сводящиеся к исследованию квадратного трехчлена

Применение монотонности и ограниченности функций к решению уравнений и неравенств

Числа и их свойства

Числовые наборы на карточках и досках

Последовательности и прогрессии

Сюжетные задачи: кино, театр

Варианты реальных и пробных ЕГЭ прошлых лет

Варианты профильного ЕГЭ

Тренировочные варианты ЕГЭ Профиль СтатГрад

Нашли ошибку в заданиях? Оставьте, пожалуйста, отзыв.

math100.ru

Как получить 100 баллов на ЕГЭ — Российская газета

Стартовала основная волна ЕГЭ. Экзамены в этот раз будут сдавать более 750 тысяч человек. Из них 662 тысячи — выпускники 2019 года. Причем сегодня, в среду — ребята пишут сразу и базовую и профильную математику. Это один из самых важных экзаменов. Без положительной оценки за него аттестат не получить.

Что нужно, чтобы успешно сдать экзамен? Сколько баллов необходимо набрать для «золотой» медали? Что делать, если ребенок «провалил» профильную математику? А если заболел во время ЕГЭ?..

Рособрнадзор провел «горячую линию»: глава ведомства Сергей Кравцов лично ответил на самые острые вопросы родителей и школьников.

Про новые предметы на ЕГЭ

«Никаких содержательных изменений в экзамене нет, он остается стабильным, — подчеркнул Сергей Кравцов, отвечая на вопрос родителей из Забайкальского края. — В этом году новых предметов, кроме китайского языка, который ребята будут сдавать по выбору, не появилось».

Однако уже в 2022 году все выпускники 11-го класса будут сдавать обязательный экзамен по иностранному языку. Какими будут задания по английскому? Разделится ли ЕГЭ на базовый и профильный уровень сложности?

«Мы не исключаем такого варианта, так как экзамен по иностранному языку в сегодняшнем виде — это испытание для самых подготовленных ребят, нацеленных на профильную специальность в вузе, — подчеркнул Сергей Кравцов. — Однако окончательное решение еще не принято. При разработке заданий мы будем учитывать реальный уровень, который есть у школьников. Во многих регионах они неплохо знают иностранный язык, может, даже лучше взрослых. Но прежде чем вводить это испытание, мы проведем еще не одну апробацию».

Что касается обязательных экзаменов по истории или, к примеру, географии, то такая возможность пока только обсуждается. Никаких конкретных сроков нет. По словам руководителя Рособрнадзора, здесь может быть целесообразна практика всероссийских контрольных работ по предметам, которые не сдают на ЕГЭ.

«Появится ли в экзамене по русскому языку или обществознанию устная часть? — спросила мама выпускника из Дагестана. «В ближайшее время такого не планируется, успокоил родителей Сергей Кравцов. В этом году выпускники девятых классов впервые прошли итоговое собеседование — эта форма себя уже хорошо зарекомендовала.

Про математику

Экзамен по математике — один из обязательных предметов, который волнует родителей больше всего. «Что делать, если ребенок не наберет минимальный балл по профильной математике? Можно ли изменить уровень сложности с «профиля» на более легкую «базу» при пересдаче?» — вопрос мамы из подмосковного Чехова.

«Такая возможность есть, — подчеркнул Сергей Кравцов. — Чтобы получить школьный аттестат, достаточно 27 баллов по профильной математике. Если вдруг выпускник не сможет преодолеть минимальный порог в основные сроки, при пересдаче он сможет изменить уровень сложности».

Про «золотую» медаль

«Сколько баллов на ЕГЭ нужно, чтобы получить «золотую» медаль?» — интересуется школьница из Севастополя.

«70 баллов по русскому языку и 70 — по профильной математике. Если выпускник выбрал базовую математику, ее нужно сдать на «отлично», — пояснил Сергей Кравцов. — Такая норма понадобилась потому, что в некоторых школах, которые выдавали аттестаты с отличием, качество образования оставалось низким: некоторые выпускники не могли набрать минимальный балл на ЕГЭ. Теперь этот процесс будет более объективным».

Три вещи для успешной сдачи ЕГЭ

В этом году все школьники Крыма и Севастополя сдают ЕГЭ вместе со всей Россией: для них экзамен стал обязательным. «Что делать, если волновался и забыл паспорт?» — спрашивает выпускник из Севастополя.

«Взять с собой на ЕГЭ нужно три вещи. Первое — знания, второе — паспорт и третье — черная гелевая ручка», — ответил Сергей Кравцов. Он призвал школьников не волноваться, идти на экзамен спокойным, сосредоточенным. И не забывать документы.

Если вдруг забудешь черную ручку — то в пункте проведения экзамена ее выдадут. С паспортом все сложнее — если ученик его забыл, потерял, то сопровождающий учитель может под свою ответственность подтвердить личность сдающего, составляется специальный протокол и ребенка допускают до экзамена. Это касается только выпускников текущего года. Выпускников прошлых лет без паспорта не пустят.

Про мобильники и шпаргалки

Если школьник будет использовать на ЕГЭ шпаргалки, мобильные телефоны или любые другие гаджеты, его результаты будут аннулированы. Сергей Кравцов призвал сдавать экзамен честно и не рассчитывать на помощь мошенников: утечки заданий и материалов исключены.

«Я еще раз обращаюсь к родителям: не нужно покупать якобы настоящие экзаменационные материалы до начала ЕГЭ. Их нет и не может быть, — подчеркнул он.

Сергей Кравцов: ЕГЭ проходит бесплатно для всех. Фото: Антон Новодережкин/ ТАСС

Пересдать ЕГЭ можно бесплатно

«Рассматривается ли возможность платной пересдачи ЕГЭ выпускниками прошлых лет»? — спросила мама из Омска.

«Нет. Это государственная итоговая аттестация, которая проходит бесплатно для всех, — рассказал Сергей Кравцов. — Если вдруг выпускник прошлых лет не смог набрать необходимые для поступления в вуз баллы, он может подать заявление и пересдать ЕГЭ в следующем году бесплатно — в досрочный или основной период».

Кроме того, глава Рособрнадзора подчеркнул, что результаты экзамена действительны для приема во все российские вузы четыре года, и сокращать этот срок не планируется.

«Что делать, если ребенок заболел во время ЕГЭ?» — спрашивает мама из подмосковных Химок. Здесь есть три варианта. Первый — если выпускник находится в стационаре на длительном лечении, то пункт проведения экзамена для него могут организовать прямо в больнице. Второй вариант — экзамен на дому. И третий — возможность сдать ЕГЭ в резервные сроки, которые предусмотрены по каждому предмету.

Про новые технологии

Все аудитории для сдачи ЕГЭ (а их в стране будет более 50 тысяч!) подключены к видеонаблюдению. При этом впервые в этом году в 8 регионах экзаменационные материалы поступят в школы через интернет — по защищенному каналу. Они будут печататься прямо на глазах учеников. В эксперименте участвуют Мордовия, Тува, Ивановская, Ленинградская, Тверская, Смоленская, Московская и Ярославская области. В остальных субъектах РФ задания в пункты проведения экзаменов «приезжают» на дисках — и тоже печатаются на месте.

По словам Сергея Кравцова, уже в следующем году технологию передачи заданий по интернету планируется транслировать на большинство регионов: это позволит максимально исключить человеческий фактор. Планируется, что после экзамена ответы учеников будут сканироваться прямо в аудитории и отправляться в «облако» для проверки.

Что еще нового появится? Скорее всего, уже в 2020 году школьники, которые выберут информатику, смогут сдать этот экзамен на компьютере. Другие предметы пока будут по-прежнему сдаваться на бумажных бланках.

«Мы ввели технологию, когда выпускник после экзамена может ознакомиться со своей работой. Он может увидеть, за что получил тот или иной результат, — рассказал Сергей Кравцов. По его словам, это позволило добиться того, что с каждым годом все меньше выпускников идут на апелляцию.

Инфографика «РГ»: Александр Чистов/ Ксения Колесникова

rg.ru

ЕГЭ на 100. Личный опыт

Никита. Сдал русский язык на 100 баллов. Сегодня — студент МГУ.

Первый «секрет» банален — нужно много заниматься, долго и упорно готовиться. Я на протяжении всех школьных лет хорошо учился и не буду врать, что смог изучить предмет за полгода с нуля. Не уверен, что это вообще возможно. Да и не нужно. Потому что второй секрет успеха — это умение расставить приоритеты и объективно оценить свои возможности. Ставьте реальные цели.

Очень важно не загнать себя в последние недели перед экзаменами. Нервы сдают, в голове — полная каша. Постоянно кажется, что занимаешься слишком мало, а в итоге на ЕГЭ идешь на ватных ногах.

Не ускоряйте темп подготовки перед экзаменом в разы. Если не успели слишком много, то лучше обратитесь к репетитору и буквально за неделю пройдитесь по азам.

Опытный преподаватель, который специализируется на ЕГЭ, подскажет, какие именно темы стоит подтянуть. Конечно, 100 баллов вы не получите, но если к этому моменту у вас осталось слишком много пробелов, то они вам и не нужны. Главное — не паниковать.

Анжелика. Сдала ЕГЭ по биологии на 100 баллов, ЕГЭ по химии — на 86. Учится в РНИМУ им. Н.И. Пирогова

Я 3 года готовилась с репетиторами, поэтому рассказать о чудесном преображении из двоечницы в 100-балльницу не смогу =)

Мой секрет успеха прост — регулярная системная подготовка. Я следовала советам репетиторов и мне не пришлось ночами засыпать с учебниками. В последнюю неделю, например, я вообще минимизировала подготовку, все свободное время проводила на свежем воздухе, встречалась с друзьями, давала возможность организму отдохнуть и расслабиться перед решающим боем =))

Совет всем, кто упустил время и боится не сдать экзамен, — первым делом определить свой реальный уровень подготовки. На какой балл вы сейчас сдали бы ЕГЭ. Это можно сделать самостоятельно, прорешав пару тройку вариантов прошлых лет, или лучше всего — обратиться к опытному репетитору. Если не набираете проходного порога, то срочно обращайтесь к преподавателю и подтягивайте в экспресс-режиме базу. Надеюсь, что такие случаи редки, в моем классе, по крайней мере, таких ситуаций не было.

Если ваш уровень средний, но вы ставите высокую планку, советую все-таки продумать запасные варианты. Не зацикливайтесь на одном вузе. Главное — получить профессию, которая вам интересна, вуз — дело второе.

Занимайтесь в удобном темпе и не перегружайте память, т.е. не зубрите! Старайтесь использовать различные методы запоминания (ассоциации, стикеры, когнитивные карты). Обязательно найдите эффективный лично для вас способ расслабления. Я каждый день занималась йогой или просто устраивала полчаса релаксации под расслабляющую музыку. Если погода позволит, очень помогает снять стресс поход на пляж. Полезно именно плавать, гулять по пляжу, дышать воздухом. Мне повезло, я жила в небольшом городе и практически рядом с домом было озеро. В моменты, когда хотелось сжечь тетради на ритуальном костре, я просто шла на пляж (иногда в обнимку с этими самыми тетрадями).

читайте также: Борьба со стрессом. Простые упражнения

В любом случае верьте в себя и сохраняйте позитивный настрой. Это правда очень важно.

Степан. Сдал ЕГЭ по математике на 100 баллов. Студент МГТУ им. Н.Э.Баумана

В своих знаниях я был уверен. Я с 7 класса принимал участие в олимпиадах, всегда занимал призовые места и не сомневался, что сдам ЕГЭ на высокий балл. Именно о 100 баллах не думал, это не было самоцелью. Из-за невнимательности я часто делал глупые ошибки, поэтому допускал, что и во время экзамена могу несколько баллов вот так потерять. Однако все-таки смог собраться, и результат меня очень порадовал.

Именно на ЕГЭ меня не натаскивали. Я знал, что готовиться к олимпиадам и к ЕГЭ — это разные системы подготовки, но был уверен в себе и занимался с репетитором по олимпиадам вплоть до самого экзамена. Через день прорешивал тесты, для меня это была такая разминка перед занятием.

Мне кажется, что моя система подготовки помогла мне не просто сдать ЕГЭ, но и подготовить ум к обучению в университете. Я ничего не заучивал, не формировал навык механического прорешивания типовых заданий. Но не каждому мой опыт будет полезен. Олимпиадники поймут, а вот если нужно учить математику не по любви, а по нужде — это сложнее.

Мой секрет успеха заключается в том, что мне всегда был интересен предмет, и мне не было сложно или скучно им заниматься.

Если учитесь через силу, то могу посочувствовать и пожелать найти золотую середину. Хорошим решением может стать помощь репетитора, с которым будет интересно и который сможет заинтересовать предметом. Мне вот, например, никогда не была интересна психология, но не так давно я познакомился с очень интересным человеком, психологом, и постепенно сам начал читать книги по психологии. Вдохновляют ведь не формулы, а люди!

Друзья, за знаниями и вдохновением мы приглашаем вас к репетиторам TutorOnline. А также на наши видеоуроки =)

blog.tutoronline.ru

«Даже когда я получила 200 баллов за два ЕГЭ, родители готовились платить за мою учёбу»

В 2018 году сдать ЕГЭ на 100 баллов получилось у 6136 школьников. Ещё девять лет назад их было чуть меньше трёх тысяч. Но, как показывает опыт наших героев, даже заветные 100 баллов не гарантируют бесплатное место в вузе. Мы спросили у нынешних первокурсников, как им удалось сдать ЕГЭ (и не один!) на 100 баллов и что для них значат эти результаты сегодня.

Рассылка «Мела»

Мы отправляем нашу интересную и очень полезную рассылку два раза в неделю: во вторник и пятницу

«Родители просили не учиться так много, но мне это приносило удовольствие»

В 10 классе у меня было 11 часов химии в неделю — я училась в лицее в химико-биологическом классе. Уже тогда я поняла, что этот предмет — моя страсть. У нас были практикумы, введение в историю медицины, так что многое, что мы делаем в университете, — повторение школьной программы.

Начать готовиться именно к ЕГЭ было сложно, потому что я понимала, что меня загоняют в какие-то рамки. Пространства для творчества мало, приходилось ориентироваться на то, что ждёт экзаменатор. Я всегда считала, что часть «С» в ЕГЭ по биологии — творческая и зависит от хода мыслей, так что было легко выйти за рамки учебников и не угодить проверяющим. Тем не менее, ЕГЭ структурировал знания, приучил, что краткость — сестра таланта.

Я знала, что хочу в МГУ и мне нужны очень высокие баллы. Было нелегко, родители просили не учиться так много, но мне это приносило удовольствие. Я не ожидала, что сдам ЕГЭ на 100 баллов — до сих пор кажется, что это не со мной случилось. Выбор в пользу биоинженерии и биоинформатики сделала в последний момент и сейчас очень довольна своим факультетом. Но я понимаю, что самая сильная база всё-таки у ребят, которые пришли с призёрством на Всеросах (всероссийских олимпиадах) — у них объективно высокий уровень знаний по всем предметам. По результатам сессии самые лучшие результаты всегда у них.

«Родители думали, что я не напишу даже на минимальный проходной балл»

За два месяца до ЕГЭ я написал пробный экзамен по физике и получил около 50 баллов. Я начал усиленно готовиться и за это время понял, как устроен экзамен. Физика в ЕГЭ отличается от того, как её преподают в школе: не нужно думать, нужно просто знать, как решать задания. Оказалось, что при решении задачи на экзамене не учитывается множество параметров.

У меня был хороший уровень знаний, и эти два месяца я просто старался научиться решать задачи правильно. С русским языком у меня тоже были проблемы: родители думали, что я не напишу даже на минимальный проходной балл. Мне наняли репетитора, с которым я усердно занимался целый год. Я не хотел, чтобы деньги родителей пропали зря, поэтому и сдал ЕГЭ на 100 баллов.

Поступил в МГУ на физический факультет и пока не жалею. Но на первом же курсе я понял, что подготовка к ЕГЭ не принесла пользы: на моём факультете готовят учёных, а ЕГЭ просто структурировал мои знания. В МГУ сразу сказали: «Забудьте всё, чему вас учили раньше. Мы будем учить вас нормально».

«100 баллов за экзамен были чем-то нереальным — я никогда не ставила себе такой цели»

Я готовилась к ЕГЭ по литературе практически каждый день, выучила 150 стихотворений из кодификатора, много цитат из прозы. Я понимала, что хорошо готова, но 100 баллов за экзамен были чем-то нереальным — я никогда не ставила себе такой цели.

Я думала, мой вариант ЕГЭ будет сложнее, но тема большого сочинения была чем-то вроде «Почему Татьяна Ларина такой хороший персонаж». С моим репетитором мы не просто готовились к ЕГЭ, мы действительно изучали литературу вне рамок экзамена. Она читала мне лирические отрывки, а я пыталась определить поэта или хотя бы век — это было интересно. Русским языком я занимаюсь с репетитором с 8 класса, так что к 10 классу я уже была полностью готова к ЕГЭ.

Я с самого начала нацеливалась на факультет журналистики ВШЭ, поэтому мне было важно получить высокие баллы. Но завалила английский — у меня было 80 баллов — и не прошла на бюджет. В этом году был слишком высокий проходной балл (379 за четыре экзамена). Даже когда я получила 200 баллов за два ЕГЭ, родители готовились платить за обучение. На первом курсе знания по литературе мне никак не пригодились, и всё же я чувствую, что хорошо в ней разбираюсь.

«Смысл всех результатов ЕГЭ пропадает сразу же после поступления»

Я хотел поступить в Вышку на дизайн, поэтому 10-11 классы учился в лицее ВШЭ на этом направлении. В лицее говорят, что они не готовят к ЕГЭ, но мне очень помогли мои учителя по русскому и литературе, поэтому у меня не было репетиторов. Хотя пробные экзамены мы всё-таки написали по одному разу.

Считается, что ЕГЭ по литературе — творческий экзамен, но по сути проверяющие ждут от нас определённой позиции. Сдавать экзамены мне очень помогла мама. Когда я делился с ней переживаниями по поводу ЕГЭ, она мне говорила: «Не парься, я уже заглянула в будущее, там у тебя 100 баллов по литературе и русскому». Я и получил максимум по этим экзаменам. 100 баллов — дело случая. Мне кажется, что у человека с 90 баллами тот же уровень знаний, что и у стобалльников, — просто не повезло с проверяющим.

Я очень доволен своим факультетом. Хотя, когда поступал, я всё время думал — зачем дизайнеру сдавать литературу, мы же больше работаем с визуальной информацией. Сдавать МХК было бы более полезно. Так что смысл всех результатов ЕГЭ пропадает сразу же после поступления.

mel.fm

Как сдать ЕГЭ по математике на 100 баллов?! Советы репетитора

Преподаватель Ольга Геннадьевна делится своим опытом подготовки учеников к ЕГЭ по математике. Сдать на высший балл один из самых сложных предметов — казалось бы, задача нереальная. Однако все возможно, если следовать советам опытных преподавателей. 

Практически каждый год я, всем сердцем переживая, провожаю своих учеников на ЕГЭ. И, к сожалению, результаты не всегда бывают такими, как нам бы хотелось. Любая неудача заставляет задуматься о причинах. Я хочу поделиться с вами советами по подготовке к профильному ЕГЭ по математике, которые, на мой взгляд, помогут избежать многих ошибок.  

Подготовку начинайте в десятом классе

Не хочу пугать тех, кому экзамен предстоит сдавать уже в этом учебном году. У вас есть время, поэтому не паникуйте. Тем же, кто еще не выпускник, советую заранее подумать о будущем.

Если разобрать задания профильного экзамена по номерам, то можно увидеть, что задания № 1,2,3,4,6,11,16,17,19  вы в состоянии выполнить или понять, как они выполняются, уже в  начале десятого класса. Поэтому не ждите волшебных пинков от учителей или родителей, начинайте заниматься уже сейчас.

Используйте качественные сборники для подготовки

Существуют несколько видов сборников под редакцией И.В.Ященко. Отличаются они не только количеством заданий, но и видом этих заданий. Например, в сборнике издательства «Экзамен» задачи хоть и подобраны в соответствии с демоверсией, но это не то, что нужно. Вот уже несколько лет я использую сборник под редакцией того же И.В. Ященко, но издательства «Национальное образование». Мы называем его сборником с голограммой. Задания именно из этого сборника встречаются на экзамене (проверено не одним годом подготовки).

Такие сборники есть и для подготовки к ОГЭ. Кстати, найти их в сети в свободном доступе даже не пытайтесь. Заказываем через книжные интернет-магазины. Они продаются с различным количеством вариантов: 36 вариантов достаточно на два года подготовки. Сборники других авторов я своим ученикам не предлагаю. 

Можно и нужно готовиться самостоятельно

Вопреки мнению, что репетиторы намеренно везде рассказывают о невозможности готовиться к экзамену без квалифицированной помощи, я утверждаю, что самостоятельная работы — это 80 процентов успеха! Репетитор поможет, но вложить в вашу голову знания силой точно не сумеет. Поэтому настраивайтесь на работу. 

Алгоритм подготовки следующий: 

• Решаем задание из сборника, сверяем с ответами.
• В случае неправильного ответа пытаемся найти ошибку.
• Не получилось? Ищем такое задание в интернете (наберите первые несколько слов в поисковике), и списываем решение из интернета, при этом пытаемся разобраться.
• Решаем это же задание самостоятельно. Получилось? Не всегда получится с первого раза. Подсматриваем, и решаем еще раз. И так, пока не запомним решение.
• Заниматься надо систематически. Дайте себе слово (и сдержите его) выполнять один вариант в неделю полностью. Конечно, те номера, темы которых изучены. Первую часть варианта нужно сделать (и разобрать ошибки) за один день. А вот задания второй части по одному — два за день.
• Используйте все возможные средства получения знаний. Информация — в интернете в свободном доступе, возьмите ее.
• Не пропустите три месяца лета (если у вас еще есть это лето впереди) между десятым и одиннадцатым классом. Используйте это время для учебы. Летом, когда вы не загружены уроками, ваш мозг просто изнывает без работы. Так загрузите его.

Повторение — мать учения

Не думайте, что если сегодня вы разобрали задание и даже решили его, то завтра вы тоже без труда это сделаете. Нашему мозгу свойственно забывать или «прятать» информацию. Чтоб ваши знания не затерялись, повторяйте решения. С таким учетом и составляются сборники: задания повторяются через какой-то промежуток.

Пользуйтесь сайтами для подготовки к ЕГЭ

Один из них — сайт ФИПИ-федерального института педагогических исследований. Именно на этом сайте выкладываются все официальные новости о ЕГЭ. На этом же сайте есть и открытый банк заданий, но, к сожалению, задания там не структурированы по номерам, это неудобно. Если вы стремитесь к 100 баллам, могу порекомендовать сайт Александра Ларина. И, конечно, сайт Дмитрия Гущина.

Видеоуроки

Наша школа TutorOnline гордится своими видеоуроками, а математики — в топе! Если вы до сих пор не подписаны на ютуб-канал TutorOnline, многое теряете. Смотреть уроки можно совершенно бесплатно, а делятся преподаватели самой важной и актуальной для сдачи ЕГЭ информацией.  

Что вдоль, что поперек

Еще один способ готовиться — решать не по вариантам, а по заданиям. Например, решаете все первые, потом — все вторые и так далее. После того, как осилили все задания, решаете то же самое по вариантам. Повторение — мать учения (но это я уже говорила).

Займитесь здоровьем

Это не просто лозунг. Если вы будете простывать, то будете сидеть дома. А мы ведь начали заниматься в десятом классе, сколько тем можно пропустить из-за болезни! Вам потом придется догонять, тратить драгоценное время. Поэтому пьем витамины, правильно питаемся и не пренебрегаем умеренными физическими нагрузками. 

Отличное настроение — залог успеха

Знаю, что два года подготовки — это два года непрерывного стресса. Учителя, родители, СМИ только и будут, что стращать: «Не сдашь, не поступишь!»

Не впечатляйтесь и не относитесь к ЕГЭ как вершителю судеб. Если вы готовитесь, значит делаете все возможное. Если чувствуете, что не справляетесь со стрессом — стали плаксивы, все время плохое настроение, часто срываетесь на близких — обсудите ситуацию с родителями. Можно пропить курс успокаивающих трав. Любой врач подскажет. Главное — не накручивайте себя до состояния морального истощения. 

Подготовьте пути к отступлению

Обдумайте ситуацию неуспеха. Да-да, продумайте, что будете делать, если не сдадите. Можно с аттестатом девятого класса поступить в колледж. Допустить такую вероятность не значит допустить провал. Если вы точно будете знать, что из любой ситуации есть выход, вы будете чувствовать себя более уверенно. Помните, что ваша жизнь и ваше здоровье ценнее любого экзамена.

© blog.tutoronline.ru, при полном или частичном копировании материала ссылка на первоисточник обязательна.

blog.tutoronline.ru

Как сдать ЕГЭ на 100 баллов

Здравствуйте, уважаемые читатели блога KakiGdeUchitsya.ru. Статья о том, как сдать ЕГЭ на 100 баллов была написана летом, если конкретно, то 1 июля и, как не сложно заметить, достаточно долго не опубликовывалась. Думаю понятно, почему так произошло, ну какому нормальному школьнику нужно летом читать статьи про ЕГЭ, думать об экзаменах и готовиться к ним? Если такие люди и есть, то их очень немного, а выступать перед пустым залом мне не хочется 😊. Потому осенью, когда многие уже начали готовиться к ЕГЭ или хотя бы задумались о нем я данную статью и опубликую.

Как подготовиться к ЕГЭ так, чтобы сдать на 100 баллов

ЕГЭ — это настоящее счастье. Серьезно, дальше будет хуже

Я сдавал ЕГЭ достаточно давно, потому что-то могу не совсем полностью помнить, что-то может уже поменяться, но я убежден в том, что основные моменты остались прежними и готовиться можно так, как Вам больше нравится. Основные способы подготовки к ЕГЭ описаны с статье подготовка к ЕГЭ, советую почитать. Но вообще статей на эту тему на сайте достаточно много, поиск даст Вам широкий выбор.

Но я никогда не обещал, что описанные мной методы позволят сдать ЕГЭ на 100 баллов. Может быть и позволят, я не знаю, сам до сотни не дотянул, хотя сдавал 5 ЕГЭ и мог бы хоть на одном, но дотянуться. Шутка.

Сейчас абзац для Вашего спокойствия. Несмотря на то, что вступление вроде бы закончилось, на самом деле данный пункт практически является не самостоятельным пунктом, а продолжением вступления или пояснением того, зачем и что я хочу написать. А написать я хочу о том, как готовились школьники, которые смогли набрать по 100 баллов на каждом из экзаменов, который сдавали.

Таких умных школьников не так много, но почитав их интервью я понял как нужно готовиться к ЕГЭ, чтобы набрать как можно больше баллов. И вот пора поделиться знаниями с Вами.

Что говорят люди, сдавшие ЕГЭ на 100 баллов

Весьма интересные вещи говорят

Я не отслеживал что говорят те школьники, которые сдали 1 предмет на 100 баллов, мне было интереснее что говорят люди, сдавшие все ЕГЭ на 100 баллов и набравшие 300 – 400 баллов. Их мнение и советы значительно весомее, на мой взгляд.

Я не стану приводить слова того или иного выпускника и ссылаться, на то, что это сказал выпускник с таким-то именем из такого-то города. Я почитал, что они говорят, собрал в кучу и теперь могу выдать Вам.

Итак, что нужно делать для того, чтобы сдать все ЕГЭ на 100 баллов:

Плюшевый товарищ верно говорит)

1. Все сходятся во мнении, что готовиться необходимо самостоятельно. При этом не забывают сказать о том, что ЕГЭ год от года меняется не слишком сильно и вполне можно использовать прошлогодние задания, коих найти можно в интернете предостаточно.

2. Все выпускники, набравшие 300 – 400 баллов, во время обучения в школе участвовали в олимпиадах. По словам выпускников, олимпиады позволяли не только официально пропускать занятия в школе (лично я олимпиады любил только из-за этого), но они приучали к спокойствию, собранности, учили находить ответы на сложные задания.

3. При подготовке к ЕГЭ школьники начинали решать задания с самых сложных. Затем, когда они видели, что именно не получается, они просили помощи у учителей, посещали образовательные сайты и прочее. На простые задания они времени не тратили. Зато они знали, где могут ошибиться и на ЕГЭ были особенно внимательны в этих моментах.

Что нет необходимости делать, чтобы сдать все ЕГЭ на 100 баллов:

1. Прибегать к помощи репетиторов. Никто из тех, кто набрал по 100 баллов за все ЕГЭ, которые сдавал, не сказал о том, что пользовался услугами репетиторов. Кто-то подчеркнул, что услугами репетиторов не пользовался. Таким образом все эти илитные репетиторы не смогут помочь Вам лучше, чем сможете помочь себе Вы сами.

2. Надеяться на илитность школы или города. Если Вы что-то там жуёте на тему «да я живу в культурной столице или просто в столице и мне эти жители замкадья не конкуренты», то будьте готовы к тому, что значительно больше баллов наберут жители Сибири и Урала и Вам придется подвинуться.

Вот такая получилась статья, надеюсь, что она многим будет полезна. Но главное уяснить, что знания с потолка не берутся и за год хорошо подготовиться тяжело, потому учитесь старательно в школе, но не забывайте и отдыхать порой. До встречи на страницах блога KakiGdeUchitsya.ru

Если статья показалась Вам полезной, пожалуйста, поделитесь ею с друзьями с помощью кнопочек, расположенных чуть ниже.

Если у Вас остались вопросы, пишите в комментариях, постараюсь ответить максимально подробно и ясно или просто пообщаемся.

Возможно Вас заинтересует:

(Всего просмотров 2 383, просмотров сегодня 1)

kakigdeuchitsya.ru

Биссектрисы трапеции

Рассмотрим некоторые задачи, в которых биссектрисы углов трапеции пересекаются.

I. Биссектрисы углов при боковой стороне трапеции пересекаются.

 1)∠ABC+∠BAD=180º(как внутренние односторонние при AD∥BC и секущей AB).

2) ∠ABK+∠KAB=(∠ABC+∠BAD):2=90º(так как биссектрисы делят углы пополам).

3) Так как сумма углов треугольника равна 180º, в треугольнике ABK имеем: ∠ABK+∠KAB+∠AKB=180º, отсюда ∠AKB=180-90=90º.

Вывод:

Биссектрисы углов при боковой стороне трапеции пересекаются под прямым углом.

Это утверждение, в частности, применяется при решении базовой задачи на трапецию, в которую вписана окружность.

 Пусть биссектриса угла ABC пересекает сторону AD в точке S. Тогда треугольник ABS — равнобедренный с основанием BS (доказательство можно посмотреть здесь). Значит, его биссектриса AK является также медианой, то есть точка K — середина BS.

Если M и N — середины боковых сторон трапеции, то MN — средняя линия трапеции и MN∥AD.

Так как M и K — середины AB и BS, то MK — средняя линия треугольника ABS и MK∥AS.

Поскольку через точку M можно провести лишь одну прямую, параллельную данной, точка K лежит на средней линии трапеции.

Вывод:

Точка пересечения биссектрис трапеции, прилежащих к боковой стороне, лежит на средней линии трапеции.

II. Точка пересечения биссектрис острых углов при основании трапеции принадлежит другому основанию.

 В этом случае треугольники ABK и DCK — равнобедренные с основаниями AK и DK соответственно.

 Таким образом, BC=BK+KC=AB+CD.

Вывод:

Если биссектрисы острых углов трапеции пересекаются в точке, принадлежащей меньшему основанию, то меньшее основание равно сумме боковых сторон трапеции.

В частности, у равнобедренной трапеции в этом случае меньшее основание в два раза больше боковой стороны.

III.Точка пересечения биссектрис тупых углов при основании трапеции принадлежит другому основанию.

 В этом случае треугольники ABF и DCF — равнобедренные с основаниями BF и CF соответственно.

 Отсюда AD=AF+FD=AB+CD.

Вывод:

Если биссектрисы тупых углов трапеции пересекаются в точке, принадлежащей большему основанию, то большее основание равно сумме боковых сторон трапеции.

У равнобедренной трапеции в этом случае большее основание в два раза больше боковой стороны.

Биссектрисы углов при боковой стороне трапеции

Рассмотрим два полезных свойства, которыми обладают биссектрисы углов при боковой стороне трапеции.

Утверждение 1.

Биссектрисы углов при боковой стороне трапеции пересекаются под прямым углом.

Дано: ABCD — трапеция, AD ∥ BC,

CO — биссектриса ∠BCD,

DO — биссектриса ∠ADC.

Доказать:∠COD=90º.

Доказательство:

∠ADC+∠BCD=180º (как внутренние односторонние углы при AD ∥ BC  и секущей CD).

Так как CO — биссектриса ∠BCD, то

Так как DO — биссектриса ∠ADC,

Следовательно,

По теореме о сумме углов треугольника

Отсюда,

Что и требовалось доказать.

Утверждение 2.

Биссектрисы углов при боковых сторонах трапеции пересекаются в точке,  лежащей на средней линии трапеции.

Дано: ABCD — трапеция, AD ∥ BC,

CO — биссектриса ∠BCD,

DO — биссектриса ∠ADC,

MN — средняя линия трапеции.

Доказать: O ∈ MN.

Доказательство:

1) Рассмотрим треугольник COD — прямоугольный (по доказанному утверждению 1).

Проведем из вершины прямого угла COD медиану ON.

По свойству медианы, проведенной к гипотенузе,

2) Так как ON=CN, треугольник OCN — равнобедренный с основанием OC.

Следовательно,

(как углы при основании равнобедренного треугольника).

Так как CO — биссектриса ∠BCD, 

Значит,

А так как эти углы — внутренние накрест лежащие при ON и BC и секущей OC, то ON ∥ BC (по признаку параллельности прямых).

Имеем: прямая ON параллельна основанию трапеции BC и проходит через середину боковой стороны CD. Следовательно, эта прямая содержит среднюю линию трапеции. Таким образом, точка O лежит на средней линии трапеции.

Что и требовалось доказать.

Биссектриса — Википедия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Биссектриса AD делит пополам угол A

Биссектри́са (от лат. bi- «двойное», и sectio «разрезание») угла — луч, исходящий из вершины угла и делящий этот угол на два равных угла. Можно также определить биссектрису как геометрическое место точек внутри угла, равноудалённых от сторон этого угла^[1].

Биссектрисой треугольника называется отрезок биссектрисы угла, проведенный от вершины угла до её пересечения с противолежащей стороной. У треугольника существуют три биссектрисы, соответствующие трём его вершинам.

Связанные понятия

• В любом треугольнике ABC{\displaystyle ABC}, кроме внутренней или просто биссектри́сы, можно провести и внешние биссектри́сы, то есть биссектрисы углов, смежных с внутренними углами треугольника. При этом внутренняя и внешняя биссектриса одного и того же угла перпендикулярны.
• Проведение в данном треугольнике всех трёх его внешних биссектри́с до их точек пересечения друг с другом в центрах вневписанных окружностей (соответственно JA,JB,JC{\displaystyle J_{A},J_{B},J_{C}}) образует новый треугольник (см. рис.) — треугольник трёх внешних биссектрис. Это — новый треугольник центров вневписанных окружностей с вершинами JA,JB,JC{\displaystyle J_{A},J_{B},J_{C}}, которые касаются соответственно сторон a,b,c{\displaystyle a,b,c} исходного треугольника.
• Центр окружности, проходящей через центры вневписанных окружностей — точка Бевэна.
• Исходный треугольник является ортотреугольником для треугольника ΔJAJBJC{\displaystyle \Delta J_{A}J_{B}J_{C}}
• Точка пересечения симедиан треугольника, образованного центрами его вневписанных окружностей JA,JB,JC{\displaystyle J_{A},J_{B},J_{C}} , является центром эллипса МандАра. Эту точку называют по-английски middlespoint, по-немецки — «Mittelpunkt». Она открыта в 1836-ом году Христианом Генрихом фон Нагелем (Christian Heinrich von Nagel).^[2][3]

Свойства

Свойства точек пересечения биссектрис

• Биссектрисы внутренних углов треугольника пересекаются в одной точке — центре вписанной в этот треугольник окружности.
• Биссектрисы одного внутреннего и двух внешних углов треугольника пересекаются в одной точке. Эта точка — центр одной из трёх вневписанных окружностей этого треугольника.
• Каждая биссектриса треугольника делится точкой пересечения биссектрис в отношении суммы прилежащих сторон к противолежащей, считая от вершины.
• Гипербола Фейербаха — описанная гипербола, проходящая через ортоцентр и центр вписанной окружности (он же — инцентр или точка пресечения внутренних биссектрис треугольника). Её центр лежит в точке Фейербаха. Подерные и чевианные окружности точек на гиперболе Фейербаха проходят через точку Фейербаха.

Свойства, связанные с углами

• Каждая внутренняя (внешняя) биссектриса угла треугольника, выходящая из его вершины, делит этот внутренний (внешний) угол треугольника пополам (на две равные половинки).
• Угол между биссектрисами двух смежных углов (между внутренними и внешними биссектрисами углов треугольника при одной вершине) равен 90 градусам.
• Внутренняя биссектриса угла треугольника изогонально сопряжена самой себе.

Свойства биссектрис равнобедренного треугольника

• Если в треугольнике две биссектрисы равны, то треугольник — равнобедренный (теорема Штейнера — Лемуса), и третья биссектриса одновременно является медианой и высотой того угла, из которого она выходит.
• Верно и обратное: в равнобедренном треугольнике две биссектрисы равны, и третья биссектриса одновременно является медианой и высотой.
• В равнобедренном треугольнике внутренняя биссектриса угла, противоположного основанию треугольника, является медианой и высотой.
• Одна и только одна биссектриса внешнего угла неравностороннего треугольника может быть параллельна противоположной стороне — основанию, если треугольник равнобедренный.
• У равностороннего треугольника все три биссектрисы внешних углов параллельны противоположным сторонам.
• У равностороннего треугольника все три внутренние биссектрисы равны.

Свойства оснований биссектрис

• Точка пересечения биссектрисы со стороной треугольника называется основанием биссектрисы.

BDCD=ABAC{\displaystyle {\frac {BD}{CD}}={\frac {AB}{AC}}} или BDAB=CDAC{\displaystyle {\frac {BD}{AB}}={\frac {CD}{AC}}}.

• Теорема о биссектрисе (см. рис.): Биссектриса внутреннего угла треугольника делит противоположную сторону (то есть делит своим основанием противоположную сторону) в отношении, равном отношению двух прилежащих сторон. То есть BDCD=ABAC{\displaystyle {\frac {BD}{CD}}={\frac {AB}{AC}}} или BDAB=CDAC{\displaystyle {\frac {BD}{AB}}={\frac {CD}{AC}}}.
• Теорема о биссектрисе — частный случай теоремы Штейнера.
• Основания биссектрис двух внутренних и одного внешнего углов треугольника лежат на одной прямой, если биссектриса внешнего угла не параллельна противоположной стороне треугольника (Одна и только одна биссектриса внешнего угла треугольника может быть параллельна противоположной стороне — основанию, если треугольник равнобедренный. У равностороннего треугольника все три биссектрисы внешних углов параллельны противоположным сторонам. Других возможностей нет).
• Биссектриса внутреннего угла треугольника делит противоположную сторону изотомически по отношению к антибиссектрисе того же угла.
• Окружности, построенные, как на диаметре, на отрезке, соединяющем основания внутренней и внешней биссектрисы, выпущенных из одного угла, проходят через точки Аполлония.
• Через точку Фейербаха проходит окружность, проведённая через основания биссектрис .^[4]

Свойства осей биссектрис

Другие свойства

Длина биссектрис в треугольнике

Для выведения нижеприведённых формул можно воспользоваться теоремой Стюарта.

lc=ab(a+b+c)(a+b−c)a+b=2abp(p−c)a+b{\displaystyle l_{c}={{\sqrt {ab(a+b+c)(a+b-c)}} \over {a+b}}={\frac {2{\sqrt {abp(p-c)}}}{a+b}}}, где p{\displaystyle p} — полупериметр.

lc=ab−albl{\displaystyle l_{c}={\sqrt {ab-a_{l}b_{l}}}}

lc=2abcos⁡γ2a+b{\displaystyle l_{c}={\frac {2ab\cos {\frac {\gamma }{2}}}{a+b}}}

lc=hccos⁡α−β2{\displaystyle l_{c}={\frac {h_{c}}{\cos {\frac {\alpha -\beta }{2}}}}}

Для трёх биссектрис углов A{\displaystyle A}, B{\displaystyle B} и C{\displaystyle C} с длинами соответственно la,lb,{\displaystyle l_{a},l_{b},} и lc{\displaystyle l_{c}}, справедлива формула^[8]

(b+c)2bcla2+(c+a)2calb2+(a+b)2ablc2=(a+b+c)2.{\displaystyle {\frac {(b+c)^{2}}{bc}}l_{a}^{2}+{\frac {(c+a)^{2}}{ca}}l_{b}^{2}+{\frac {(a+b)^{2}}{ab}}l_{c}^{2}=(a+b+c)^{2}.},

wc2=aw⋅bw−ab=CE2=BE⋅AE−ab{\displaystyle w_{c}^{2}=a_{w}\cdot b_{w}-ab=CE^{2}=BE\cdot AE-ab},

где:

• a,b,c{\displaystyle a,b,c} — стороны треугольника против вершин A,B,C{\displaystyle A,B,C} соответственно,
• α,β,γ{\displaystyle \alpha ,\beta ,\gamma } — внутренние углы треугольника при вершинах A,B,C{\displaystyle A,B,C} соответственно,
• hc{\displaystyle h_{c}} — высота треугольника, опущенная на сторону c{\displaystyle c}.
• lc{\displaystyle l_{c}} — длина внутренней биссектрисы, проведённой к стороне c{\displaystyle c},
• al,bl{\displaystyle a_{l},b_{l}} — длины отрезков, на которые внутренняя биссектриса lc{\displaystyle l_{c}} делит сторону c{\displaystyle c},
• wc{\displaystyle w_{c}} — длина внешней биссектрисы, проведённой из вершины C{\displaystyle C} к продолжению стороны AB{\displaystyle AB}.
• aw,bw{\displaystyle a_{w},b_{w}} — длины отрезков, на которые внешняя биссектриса wc{\displaystyle w_{c}} делит сторону c=AB{\displaystyle c=AB} и её продолжение до основания самой биссектрисы.
• Если медиана m{\displaystyle m}, высота h{\displaystyle h} и внутренняя биссектриса t{\displaystyle t} выходят из одной и той же вершины треугольника, около которого описана окружность радиуса R{\displaystyle R}, тогда^{[9]:p.122,#96}

4R2h3(t2−h3)=t4(m2−h3).{\displaystyle 4R^{2}h^{2}(t^{2}-h^{2})=t^{4}(m^{2}-h^{2}).}

Длина частей биссектрис в треугольнике

Уравнения биссектрис

• Если две смежные стороны треугольника записаны уравнениями y1=a1x+b1{\displaystyle y_{1}=a_{1}x+b_{1}} и y2=a2x+b2{\displaystyle y_{2}=a_{2}x+b_{2}}, то в явном виде биссектрисы представимы в виде функций [[1]]:

y=a1a22+1±a2a12+1a22+1±a12+1x+b1a22+1±b2a12+1a22+1±a12+1{\displaystyle y={\frac {a_{1}{\sqrt {a_{2}^{2}+1}}\pm a_{2}{\sqrt {a_{1}^{2}+1}}}{{\sqrt {a_{2}^{2}+1}}\pm {\sqrt {a_{1}^{2}+1}}}}\,x+{\frac {b_{1}{\sqrt {a_{2}^{2}+1}}\pm b_{2}{\sqrt {a_{1}^{2}+1}}}{{\sqrt {a_{2}^{2}+1}}\pm {\sqrt {a_{1}^{2}+1}}}}}

• Биссектриса — это крыса, которая бегает по углам и делит угол пополам.

См. также

Примечания

1. ↑ Иванов А. Б. Биссектриса угла // Математическая энциклопедия / И. М. Виноградов (гл. ред.). — М.: Советская энциклопедия, 1977. — Т. 1. — С. 496. — 576 с. — 150 000 экз.
2. ↑ Kimberling, Clark (1994), «Central Points and Central Lines in the Plane of a Triangle», Mathematics Magazine Т. 67 (3): 163–187, DOI 10.2307/2690608 .
3. ↑ v. Nagel, C. H. (1836), Untersuchungen über die wichtigsten zum Dreiecke gehörenden Kreise, Leipzig .
4. ↑ Акопян А. В., Заславский А. А.. Геометрические свойства кривых второго порядка. — 2-е изд., дополн.. — 2011. — С. 105.
5. ↑ Кто и когда доказал невозможность построения треугольника по трем биссектрисам?. Дистанционный консультационный пункт по математике МЦНМО.
6. ↑ Можно ли построить треугольник по трем биссектрисам, если кроме циркуля и линейки разрешается использовать трисектор. Дистанционный консультационный пункт по математике МЦНМО.
7. ↑ Стариков В. Н. Исследования по геометрии// Сборник публикаций научного журнала Globus по материалам V-й международной научно-практической конференции «Достижения и проблемы современной науки» г. Санкт-Петербург: сборник со статьями (уровень стандарта, академический уровень). С-П.: Научный журнал Globus, 2016. С. 99-100
8. ↑ Simons, Stuart. Mathematical Gazette 93, March 2009, 115—116.
9. ↑ Altshiller-Court, Nathan, College Geometry, Dover Publ., 2007.

Литература

• Коган Б. Ю. Приложение механики к геометрии. — М.: Наука, 1965. — 56 с.
• Понарин Я. П. Элементарная геометрия. В 2 т. — М.: МЦНМО, 2004. — С. 30-31. — ISBN 5-94057-170-0.

Биссектрисы трапеции

Рассмотрим  задачи, в которых биссектриса угла трапеции делит противоположное основание на отрезки.

Мы уже имели дело с похожей задачей на биссектрису угла параллелограмма, а также рассматривали частный случай для трапеции (когда основание трапеции равно ее боковой стороне, биссектриса трапеции совпадает с ее диагональю).

I. Биссектриса острого угла при большем основании трапеции делит другое основание на отрезки.

 1) ∠BAF=∠DAF (так как AF — биссектриса ∠BAD по условию).

2) ∠DAF=∠BFA (как внутренние накрест лежащие при     AD∥BC и секущей AF).

 

 3) Следовательно, ∠BAF=∠BFA.

4) Следовательно, треугольник ABF — равнобедренный с основанием AF (по признаку равнобедренного треугольника).

5) Следовательно, AB=BF.

 II. Биссектриса тупого угла при меньшем основании трапеции делит другое основание на отрезки.

 Аналогично доказывается, что треугольник ABP — равнобедренный:

1) ∠ABP=∠CBP (так как BP — биссектриса ∠ABC по условию).

 

2) ∠CBP=∠APB (как внутренние накрест лежащие при AD∥BC и секущей BP).

3) Следовательно, ∠ABP=∠APB.

4) Следовательно, треугольник ABP — равнобедренный с основанием BP (по признаку равнобедренного треугольника).

5) Следовательно, AB=AP.

Вывод: в этом случае

биссектриса угла трапеции отсекает от нее равнобедренный треугольник.

Эта задачи — базовые. На их основе существует много других задач.

В следующий раз рассмотрим задачи на пересечение двух биссектрис трапеции.

 

Диагональ трапеции — биссектриса ее угла

Если диагональ трапеции — биссектриса ее угла, что можно сказать о такой трапеции?

Это зависит от того, биссектрисой какого угла является диагональ.

Утверждение 1

Если диагональ трапеции является биссектрисой ее острого угла, то меньшее основание равно боковой стороне трапеции, прилежащей к этому углу.

Дано: ABCD — трапеция,

AD ∥ BC,

AC — биссектриса ∠BAD.

Доказать: BC=AB.

Доказательство:

1) ∠BAC=∠DAC (так как AC — биссектриса ∠BAD по условию)

2) ∠BCA=∠DAC (как внутренние накрест лежащие при AD ∥ BC и секущей AC)

3) Значит, ∠BAC=∠BCA

4) Таким образом, треугольник ABC — равнобедренный с основанием AC (по признаку).

Следовательно, AB=BF.

Что и требовалось доказать.

Утверждение 2

Если диагональ трапеции является биссектрисой ее тупого угла, то большее основание равно боковой стороне трапеции, прилежащей к этому углу.

Дано: ABCD — трапеция,

AD ∥ BC,

BD — биссектриса ∠ABC.

Доказать: AD=AB.

Доказательство:

1) ∠ABD=∠CBD (так как BD — биссектриса ∠ABC по условию).

2) ∠ADB=∠CBD (как внутренние накрест лежащие при AD ∥ BC и секущей BD).

3) Следовательно, ∠ABD=∠ADB.

4) Значит, треугольник ABD — равнобедренный с основанием BD (по признаку).

5) Отсюда, AD=AB.

Что и требовалось доказать.

Утверждение 3

Если диагональ трапеции является биссектрисой ее прямого угла, меньшее основание трапеции равно ее меньшей боковой стороне.

Если AC — биссектриса ∠BAD, то

AB=BC.

Доказательство — аналогично доказательству утверждения 1.

Свойство биссектрисы треугольника | Треугольники

Рассмотрим свойство биссектрисы треугольника с доказательством и задачу на применение свойства.

Теорема (Свойство биссектрисы треугольника)

Биссектриса треугольника делит третью сторону на отрезки, пропорциональные двум другим сторонам:

   

Дано: ∆АВС, АР — биссектриса.

Доказать:

   

 

Доказательство:

I. Если АС=АВ, то биссектриса АР является также медианой, СР=ВР, и

   

II.Если АС≠АВ.

1) Опустим перпендикуляры BN и CF на луч AP.

2) Прямоугольные треугольники ABN и ACF подобны по острому углу (∠BAP=∠CAP, так как AP — биссектриса ∠BAC (по условию)), следовательно,

   

3) Прямоугольные треугольники BNP и CFP  подобны по острому углу (∠BPN=∠CPF (как вертикальные)), следовательно,

   

   

   

Если средние члены пропорции поменять местами, пропорция останется верной, поэтому

   

Что и требовалось доказать.

Задача.

Стороны треугольника равны 10 см, 11 см и 12 см. Найти отрезки, на которые делит биссектриса треугольника среднюю сторону.

Дано: AC=10 см, BC=11 см, AB=12 см, AP = биссектриса.

Найти: CP и BP.

Решение:

По свойству биссектрисы треугольника:

   

   

Пусть CP=x см, тогда BP=11-x см:

   

откуда по основному свойству пропорции

   

   

   

CP=5 см, BP=6 см.

Ответ: 5 см, 6 см.

2.8. Полупроводники

Самое удивительное в будущем – это мысль о том, что наше время будут называть старыми добрыми временами.

Джон Стейнбек

Открытие полупроводников и создание полупроводниковых приборов по праву считается одной из важнейших инноваций ушедшего века. Именно это открытие вызвало лавину новых технических изобретений, стало причиной нового витка научно-технической революции, привело к появлению компьютеров, интернета, сотовых телефонов и качественно изменило нас. Теперь человека можно называть не «человек разумный», а «человек информационный».

Датой рождения полупроводниковой электроники можно считать 1833 год, когда Майкл Фарадей обнаружил, что электропроводность сульфидов серебра с ростом температуры не уменьшается, как это характерно для металлов, а наоборот, увеличивается.

Немного отвлечёмся от полупроводниковой темы и ещё раз удивимся тому, как Фарадей, подобно талантливому футболисту-нападающему, оказывается в нужном месте и в нужное время. Только футболист за один матч может иметь несколько таких моментов, а моментов появления новых технических направлений развития Цивилизации всего несколько за всю историю Человечества. И во главе двух из них оказался Майкл Фарадей!

Так что отдадим должное Фарадею, не будем требовать от него невозможного – естественно, что объяснения этому явлению он не дал, а лишь описал его, открыв тем самым эру полупроводников.

Следующая дата, связанная с историей полупроводников – 1874 год. В статье журнала Analen der Phusik und Chemie немецкий учёный Фердинанд Браун описывает интересные свойства некоторых «серных металлов» проводить электрический ток только в одну сторону. Интересное свойство контакта металла и полупроводника проводить ток в одном направлении противоречит закону Ома. Казалось бы, надо всесторонне исследовать это явление, но современники просто не заметили этого факта, как и весьма неуклюжих попыток Брауна дать этому какие-то объяснения.

С высоты сегодняшнего дня, времени сотовых телефонов и компьютеров, мы, конечно, можем обвинить учёных того времени в недальновидности, но это будет несправедливо. Сложно, а порой и невозможно рассмотреть в рядовой статье зародыш будущей технологии. Тем более, что таких зародышей направлений развития техники, взаимоисключающих друг друга, может быть много. В бескомпромиссной конкурентной борьбе технической эволюции победитель определяется по факту через десятки, а то и через сотни лет. Легко предсказывать события и давать им объяснения после того, как они произошли!

Сегодня выходят тысячи и десятки тысяч статей научно-технического содержания. Можно сказать определённо, что среди них обязательно есть и те, которые неузнаваемо изменят мир будущего. Найдите эти статьи, займитесь описываемой в них проблематикой и возможно, что вы станете лауреатом Нобелевской премии. Если же вы начнёте делать на этом бизнес, то непременно станете миллиардером!

Но вернёмся к истории развития полупроводников, которая преподнесёт нам ещё много весьма поучительных примеров.

В 1906 году американец Гринлиф Виттер Пикард получает патент на кристаллический детектор, получивший название «Кошачий ус». Название связывается с внешним видом этого детектора: тонкая металлическая проволока, осуществляющая точечный контакт с поверхностью полупроводника, действительно сильно напоминает кошачий ус. Этот экстравагантный по внешнему виду прибор позволяет выпрямлять и демодулировать высокочастотный переменный ток. Проблема заключается в том, что для удовлетворительной работы устройства необходимо найти наиболее подходящие точки на поверхности полупроводника. Но поиск таких точек стал бессмысленным с появлением вакуумных ламп, которые сразу и надолго решили проблемы выпрямления тока. «Кошачий ус» не без оснований тут же отнесли к бесперспективной ветви технической эволюции и отправили умирать в архивы и технические музеи. Наступил период царствования вакуумных ламп.

Но развитие полупроводников не прекратилось. Подобно тому, как млекопитающие прятались до поры до времени в тени царствующих динозавров, подбирая крошки с их стола, полупроводники медленно, но верно продолжали под звуки ламповых радиоприёмников своё пока незаметное шествие к мировому господству.

Следующая страница этой истории связана с удивительным человеком, нашим соотечественником – Олегом Владимировичем Лосевым, широко известным за рубежом, но незаслуженно забытым у себя на родине.

Свою карьеру Лосев начинает в 1920 году, тогда ему исполнилось 17 лет. Сбывается мечта его жизни – его берут посыльным в Московский институт связи, где по вечерам ему разрешено работать в лаборатории. Молодому посыльному дают самый бесперспективный участок – разработку кристаллического детектора. Так как все трудились в области «новейших технологий», связанных с лампами, никто не хотел заниматься тупиковой темой полупроводников. Именно поэтому посыльный Лосев имеет возможность работать в одиночку и полностью самостоятельно.

Специалистам того времени было хорошо известно, что в полупроводниковом детекторе нельзя создать высокочастотные колебания и получить усиление в принципе. Но вчерашний школьник этого не знает… Он скрупулезно и трудолюбиво экспериментирует, фиксирует и находит точку в кристалле, позволяющую генерировать в нём высокочастотные сигналы!

Свои результаты Лосев представляет в скромной статье журнала «Телеграфия и телефония без проводов» в 1922 году. То, чего не может быть, Лосевым объясняется довольно путано и странно. Сегодня, анализируя эту статью, становится понятно, что молодой сотрудник Московского института связи пытался объяснить квантовые эффекты задолго до появления квантовой механики. Он создал туннельный диод, за «переоткрытие» которого японский физики Лео Исаки получил Нобелевскую премию в 1977 году.

В 1923 году Лосев получил патент на детекторный приёмник-гетеродин, а в 1924 году выпускает брошюру под названием «Кристадин». Миллионы радиолюбителей Советского Союза используют изобретение Лосева. Статьи Лосева публикуются в ведущих отечественных и иностранных технических журналах. Начинается активное обсуждение работ двадцатилетнего изобретателя. Его изобретение иначе как сенсационным и не называют. Автор одной из американских статей Хьго Генсбек не только восторженно отзывается о изобретении, но предусмотрительно и меркантильно регистрирует торговую марку «Кристадин».

Далее Лосев работает в Ленинградском физико-техническом институте. Позже было найдено письмо Лосева, датированное 12 июля 1939 года. В нём он чётко указывает на возможность построения полупроводниковой системы, выполняющей функции вакуумного триода, и высказывает намерение напечатать по этому поводу ряд статей. Если бы это произошло, то наш соотечественник стал бы изобретателем транзистора и, можно сказать, официально бы «разрезал ленточку», открывающую эпоху транзисторной научно-технической революции. Но в 1935 году по причине очередной реорганизации Лосев остаётся без работы. Может быть, это послужило косвенной причиной того, что эти статьи так и не были опубликованы. С трудом всемирно известный изобретатель устраивается ассистентом в Первый медицинский институт, где пытается продолжать свои исследования в мало подходящих для этого условиях. Олег Владимирович Лосев умер от голода в блокадном Ленинграде 22 января 1942 года. Ему было всего 38 лет. Вместе с Лосевым исчез первый шанс СССР вовремя войти в новый технологический уклад.

Основоположниками и первооткрывателями транзистора стали американцы Уильям Шокли, Джон Бардин и Уоттер Браттейн, которые работали в научно-конструкторском центре корпорации American Telepone and Telegraph. Именно они и создали точечный германиевый триод (первый полупроводниковый транзистор). Известна точная дата рождения транзистора – 19 декабря 1947 года. В этот день уставший от длительной и неудачной работы Браттейн случайно сдвинул иголки, определяющие зону управления транзистором, очень близко и, кроме того, ещё и перепутал их полярность. Экран осциллографа равнодушно высветил картинку, к которой они безуспешно стремились несколько лет – было видно значительное усиление сигнала.

30 июня 1948 года в Нью-Йорке прошла открытая презентация транзистора. Она, к удивлению изобретателей, не вызвала интереса общественности. Заметка об этом эпохальном открытии была опубликована на 46 странице «Нью-Йорк Таймс» в рубрике «Новости радио» и осталась совершенно незамеченной. Но к ещё большему удивлению и разочарованию изобретателей и корпорации результат никак не заинтересовал военных, на выгодные контракты с которыми сильно рассчитывали. Специалисты Пентагона, внимательно изучающие любые технические новинки через призму начавшейся с СССР гонки вооружений, не увидели перспектив показанного им изобретения. Это, как ни странно покажется на первый взгляд, для научно-технического прогресса оказалось даже полезным. Работы не засекретили, а чтобы получить хоть какую-то прибыль, корпорация начала продавать лицензии на изготовление транзисторов и даже организовала учебные центры и школы. И это был еще один хороший шанс для Советского Союза заполучить транзистор, но и он был не использован. Логика вполне понятна, если американские военные не заинтересовались изобретением, то с чего бы нашим военным тратить на это деньги?

Всего на полгода позже был изобретён и европейский транзистор, авторами которого были немцы, работавшие во Франции, Герберт Матаре и Генрих Велкер. Но лавры первооткрывателей им, понятное дело, не достались. Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн были удостоены Нобелевской премии 1956 года по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта». На церемонии вручения Э.Г. Рудберг, член Шведской королевской академии наук, назвал их достижение «образцом предвидения, остроумия и настойчивости в достижении цели».

Вскоре все радиоприёмники стали содержать транзисторы, их даже начали так и называть – «транзисторы». Компоненты ракет, радиолокационных станций, систем управления нельзя представить без транзисторов. Начался очередной виток научно-технической революции, определяющий значение и вес государств в мировой политике и экономике. Советский Союз неоднократно имел все шансы одним из первых включиться в эту гонку. Если бы Лосеву создали не то что благоприятные, а хотя бы элементарно сносные условия для работы, если бы была куплена лицензия на транзисторы, пока она была в свободной продаже…

Но история, как известно, не терпит сослагательного наклонения. Поэтому почти все последующие изобретения, связанные с полупроводниковой техникой, были сделаны в США. А наша отечественная техника, несмотря на свои многочисленные преимущества, надолго приобрела недостаток, связанный со слабой электроникой.

Итак, начинается стремительное развитие полупроводников. Постоянно улучшаются их рабочие характеристики, повышается надёжность. Для удовлетворения непрерывно возрастающих запросов на усложнение техники требуется всё большее количество транзисторов. Особенно важной становится задача уменьшения их размеров.

Гордон Мур, Шелдон Робертс, Евгений Клайнер, Роберт Нойс, Виктор Гринич, Джулиус Бланк, Джин Хоерни и Джей Ласт в 1957 году за собственные средства приступают к разработке технологии массового производства кремниевых транзисторов по методу двойной диффузии и химического травления. Эта технология позволяла одновременно получать на одной пластине сразу сотни транзисторов. Через полгода работы они смогли продать компании IBM 100 первых транзисторов по цене 150 долларов за штуку. Так появились интегральные схемы (чипы), которые в 1960-е годы сразу же стали использовать в производстве калькуляторов и компьютеров. Это позволило на порядок уменьшить размеры приборов и увеличить их производительность.

В 1970-х годах стали рождаться фирмы, являющиеся сегодня супергигантами мировой экономики. Так, в 1968 году Гордон Мур и Роберт Нойс основали Intel. Компания MOTOROLA, до этого специализировавшаяся на производстве автомобильных радиоприемников, в 1974 году активно включается в техническую гонку и выпускает на рынок микроконтроллер MC6800, который на долгие годы становится востребованным в автомобильной и бытовой электронике.

Рынок электронных компонентов стал для промышленности своего рода «клондайком», где поворотливые компании сколачивали миллионы и миллиарды. Небывалыми темпами строились заводы по производству микросхем, старые компании очень быстро разорялись или перепрофилировались. Производство ламп свёрнуто ударными темпами, зато постоянно расширяется номенклатура выпускаемых полупроводников: аналоговые и цифровые микросхемы, диоды, ВЧ транзисторы и тиристоры. Никогда до этого промежуток времени между открытием и промышленным внедрением не был таким коротким. Но и этого уже было недостаточно. Быстрота развития и изменения интегральных схем привела к принципиально новому принципу создания технических устройств. В 70-е годы в университете Беркли США была разработана программа SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis), которая предназначалась для моделирования интегральных схем на электрическом уровне и позволяла проверять правильность работы схемы на уровне виртуальной компьютерной модели. Теперь уже стало не надо создавать физический прототип, чтобы выявить принципиальные ошибки проектирования схемы – это можно было быстро сделать на модели.

К сожалению, СССР с его плановой экономикой не мог угнаться за Западом. Нельзя сказать, что ничего не делалось: в 1963 году был создан Центр микроэлектроники в г. Зеленограде; Ф.А.Щиголь разработал планарные транзисторы 2Т312 и 2Т319, ставшие основным активным элементом гибридных схем; в 1964 году созданы первые интегральные схемы ИС-»Тропа» с 20 элементами на кристалле; в 1966 году начат выпуск логических и линейных интегральных схем; в 1968 НИИ «Пульсар» выпустил партию первых гибридных тонкопленочных итегральных схем с планарными бескорпусными транзисторами, предназначенных для телевидения, радиовещания и связи; в 1969 году Жорес Иванович Алферов сформулировал и практически реализовал свои идеи управления электронными и световыми потоками в полупроводниках. В 2000 году за исследования в области информационных и коммуникационных технологий он был удостоен Нобелевской премии.

Но всё же отечественная промышленность неудержимо отставала от мировой. К середине 1990-х годов российская электроника имела годовые объемы вложений 150 млн. долларов, а мировой рынок оценивается в 210 млрд. долларов. Результаты этого отставания сегодня мы воочию можем увидеть в магазине: в продаже нет ни отечественных телефонов, ни компьютеров, ни другой многочисленной техники со сложной электроникой.

Сегодня развитие техники, связанное с уменьшением размеров полупроводниковых приборов, с увеличением их быстродействия, продолжается уже на наноуровне. В 2006 году в США создан транзистор из одиночной молекулы углерода, ученым из IBM удалось впервые в мире создать полнофункциональную интегральную микросхему на основе углеродной нанотрубки, способную работать на терагерцевых частотах. Такой второй качественный скачок, позволит, как это случилось в 1960-е годы, создать совершенно новую элементную базу, отличающуюся высокой компактностью, низким энергопотреблением и невиданным ранее быстродействием.

Первый полупроводниковый скачок позволил создать совершенно новый тип техники, не имевший ранее аналогов – компьютер. Это вызвало к жизни новые виды досуга, например, такие как компьютерные игры, появилась всемирная сеть Интернет, мощный рывок сделала медицина, создание человеко-машины – киборга стало вполне реальной перспективой самого ближайшего будущего. И причина всех этих изменений – изобретение какого-то неприметного полупроводникового транзистора.

Что будет создано на новом витке полупроводниковой революции? И какое место займёт на новом рынке российское производство? Ждать осталось недолго.

Темы для докладов и рефератов

Принцип действия, устройство и технология изготовления полупроводникового транзистора.

Жизнь и изобретения Олега Владимировича Лосева.

История развития компании «Intel».

Экономические и социальные последствия полупроводниковой «революции».

Нанотранзисторы будущего.

Дискуссии

Как обеспечить развитие технических инноваций в России?

Литература

1. Гуреева, Ольга. Транзисторная история / О. Гуреева. Компоненты и технологии. №9. 2006.

2. Официальный сайт журнала «Наука и жизнь». – www.nkj.ru.

История открытия p-n перехода, или с чего начинался транзистор

1956 год. В Стокгольмском концертом зале три американских ученых Джон Бардин, Вильям Шокли и Уолтер Браттейн получают Нобелевскую премию «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта» —  настоящий прорыв в области физики.  Отныне их имена навсегда вписаны в мировую науку. Но более чем за 15 лет до этого, в начале 1941 года молодой украинский ученый Вадим Лашкарев экспериментально обнаружил и описал в своей статье физическое явление, которое, как оказалось, впоследствии получило название p-n переход (p-positive, n-negative). Он же в своей статье раскрыл и механизм инжекции — важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы.

Официально история транзистора звучит так: первое сообщение в печати о появлении полупроводникового усилителя-транзистора появилось в американской прессе в июле 1948 года. Его изобретатели – американские ученые Бардин и Браттейн. Они пошли по пути создания так называемого точечного транзистора на базе кристалла германия n-типа. Первый обнадеживающий результат они получили в конце 1947 г. Однако прибор вел себя неустойчиво, его характеристики отличались непредсказуемостью, и поэтому практического применения точечный транзистор не получил.

Прорыв произошел в 1951 году, когда Вильям Шокли создал свой более надежный плоскостной транзистор n-p-n типа, который состоял из трех слоев германия n, p и n типа, общей толщиной 1 см. Уже через несколько лет значимость изобретения американских ученых стала очевидной, и они были отмечены Нобелевской премией.

Задолго до этого, еще перед началом Великой Отечественной войны в 1941 году Лашкарев проводит  серию успешных экспериментов и открывает р-n переход и раскрывает механизм электронно-дырочной диффузии, на основе которых под его руководством в начале 50-х годов, были созданы первые в Украине (тогда часть СССР) полупроводниковые триоды — транзисторы.

Говоря научным языком, p-n переход – это  область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрическая проводимость материала зависит от того, насколько прочно ядра его атомов удерживают электроны. Так, большинство металлов являются хорошими проводниками, поскольку имеют огромное количество слабосвязанных с атомным ядром электронов, которые легко притягиваются положительными зарядами и отталкиваются отрицательными. Движущиеся электроны и есть носители электрического тока. С другой стороны, изоляторы, не пропускают ток, так как электроны в них прочно связаны с атомами и не реагируют на воздействие внешнего электрического поля.

Полупроводники ведут себя иначе. Атомы в кристаллах полупроводников образуют решетку, внешние электроны которой связаны силами химической природы. В чистом виде полупроводники подобны изоляторам: они или плохо проводят ток, или не проводят вообще. Но стоит добавить в кристаллическую решетку небольшое количество атомов определенных элементов (примесей), как их поведение кардинально меняется.

В некоторых случаях атомы примеси связываются с атомами полупроводника, образуя лишние электроны, избыток свободных электронов придает полупроводнику отрицательный заряд. В других случаях атомы примеси создают так называемые «дырки», способные «поглощать» электроны. Таким образом возникает недостаток электронов и полупроводник становится положительно заряженным. При соответствующих условиях полупроводники могут проводить электрический ток. Но в отличие от металлов они проводят его двояким образом. Отрицательно заряженный полупроводник стремится избавиться от лишних электронов, это проводимость  n-типа (от negative — отрицательный). Носителями заряда в полупроводниках такого типа являются электроны. С другой стороны, положительно заряженные полупроводники притягивают электроны, заполняя «дырки». Но, когда заполняется одна «дырка» рядом возникает другая — покинутая электроном. Таким образом, «дырки» создают поток положительного заряда, который направлен в сторону, противоположную движению электронов. Это проводимость р-типа (от positive — положительный). В полупроводниках обоих типов так называемые не основные носители заряда (электроны в полупроводниках р-типа и «дырки» в полупроводниках п-типа) поддерживают ток в направлении, обратном движению основных носителей заряда.

Внесение примесей в кристаллы германия или кремния позволяет создать полупроводниковые материалы с желаемыми электрическими свойствами. Например, введение незначительного количества фосфора порождает свободные электроны, и полупроводник приобретает проводимость n-типа. Добавление атомов бора, наоборот, создает дырки, и материал становится полупроводником р-типа.

В дальнейшем оказалось, что полупроводник, в который введены примеси, обретает свойство пропускать электрический ток, т.е. обладает проводимостью, величина которой может при определенном воздействии изменяется в широких пределах.

Когда в США был найден способ для осуществления такого воздействия электрическим путем, появился транзистор (от первоначального названия трансрезистор). Тот факт, что 1941 году Лашкарев опубликовал результаты своих открытий в статьях «Исследование запирающих слоев методом термозонда» и «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди» (в соавторстве со своей коллегой  К.М. Косоноговой), в связи с военным временем не попал в поле зрения научного мира. Предположительно, начавшаяся  «холодная война» и опустившийся на Советский Союз «железный занавес» сыграли свою роль в том, что Лашкарев так и не стал Нобелевским лауреатом. Кстати сказать, Лашкарев разработал, находясь в Сибири во время войны, купроксные диоды, которые применялись в армейских радиостанциях и добился их промышленного выпуска.

В дополнение к двум первым работам, Лашкарев в соавторстве с В.И.Ляшенко в 1950 году опубликовал статью «Электронные состояния на поверхности полупроводника», в которой были описаны результаты исследований поверхностных явлений в полупроводниках, ставшие основой работы интегральных схем на базе полевых транзисторов.

В 50-е годы Лашкареву также удалось решить проблему массовой выбраковки монокристаллов германия. Он по новому сформулировал технические требования к этому элементу, так как предыдущие были неоправданно завышены. Тщательные исследования, проведенные Лашкаревым и Миселюком в Институте физики АН УССР в Киеве, показали, что уже достигнутый уровень технологии монокристаллов германия позволял создать точечные диоды и триоды с необходимыми характеристиками. Это позволило ускорить промышленный выпуск первых в бывшем СССР германиевых диодов и транзисторов.

Так, именно под руководством Лашкарева в начале 50-х в СССР было организовано производство первых точечных транзисторов. Сформированная В.Е. Лашкаревым  научная школа в области физики полупроводников становится одной из ведущих в СССР. Признанием выдающихся результатов стало создание в 1960 г. Института полупроводников АН УССР, который возглавил В.Е. Лашкарев.

“Настанет время, когда на этом кристаллике, что нам показал Вадим Евгеньевич, можно будет разместить всю ЭВМ!”, — напророчил академик Сергей Лебедев, создавший первый в континентальной Европе компьютер — МЭСМ. Так и случилось. Но это произошло через двадцать с лишним лет, когда появились большие интегральные схемы БИС, содержащие на кристалле десятки и сотни тысяч транзисторов, а позднее — сверхбольшие интегральные схемы СБИС со многими миллионами компонентов на кристалле, открывшие человеку путь в информационную эру.

Полупроводниковая промышленность — Википедия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Полупроводниковая промышленность — совокупный набор компаний, занятых в проектировании и производстве полупроводниковых приборов.

Данная отрасль сформировалась около 1960 г., после того, как производство полупроводниковых приборов стало рентабельным бизнесом. С тех пор промышленность выросла до размеров оборота в 249 млрд долларов долл. в год.^[1]

В мировой полупроводниковой промышленности доминируют США, Южная Корея, Япония, Тайвань, Сингапур

и Европейский союз.

Согласно отчету KPMG^[что?], объем рынка оценивался в 304 млрд долларов в 2010 году.

Крупнейшие компании отрасли^[2] (в список не включены компании, производящие полупроводниковые приборы в рамках модели Foundry (en:Semiconductor foundry)).

По состоянию на 2013 год крупнейшими по капитализации компаниями мира в сфере производства полупроводников (и оборудования для них) были Samsung Electronics, Intel, Qualcomm, TSMC, Texas Instruments, ASML, Broadcom, Hynix, Applied Materials, Tokyo Electron^[3].

Эта отрасль имеет ряд особенных характеристик, которые выделяют её в экономике и на глобальной арене конкуренции. Эти характеристики включают в себя:

• Роль этой промышленности, как технологического стимулятора и средства, раскрывающего возможности развития . Полупроводниковая промышленность широко признается в качестве ключевого фактора для экономического роста в своей роли множественного рычага и технологического стимулятора для всей цепочки добавленной стоимости в отрасли электроники. Другими словами, в 2004 году, из всемирной базы полупроводникового рынка в 213 млрд долларов, индустрия позволила сгенерировать около 1,2 трлн долларов в бизнесе электронных систем, и 5 трлн долларов в сфере услуг, что представляет собой около 10 % мирового ВВП.
• Непрерывный рост, но в циклической форме с высокой волатильностью. Уже примерно 20 лет полупроводниковая промышленность показывает среднегодовой рост порядка 13%; он сопровождался настолько же уровнем волатильности выше средне-рыночного, что может приводить к значительным, если не резким циклическим колебаниям.
• Потребность в высокой степени гибкости и инновационности для того, чтобы постоянно адаптироваться к стремительным изменениям на рынке. Многие продукты встроенных полупроводниковых приборов зачастую имеют очень короткий жизненный цикл. В то же время, уровень постоянного улучшения соотношения цена-производительность в полупроводниковой промышленности был ошеломляющим. Как следствие, изменения на рынках полупроводников возникают не только очень быстро, но и предвосхищают изменения в отраслях, развивающихся более медленными темпами. Еще одним следствием этого быстрого темпа является то, что установившийся рынок сильных игроков может очень быстро изменяться.

Полевой транзистор — Википедия

Мощный полевой транзистор с каналом N-типа

Полево́й (униполя́рный) транзи́стор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они входят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором.

История создания полевых транзисторов[править | править код]

Схема полевого транзистора

В 1953 году Дейки и Росс предложили и реализовали конструкцию полевого транзистора — с управляющим p-n-переходом.

Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в 1926—1928 годах. Однако трудности в реализации этой идеи на практике позволили создать первый работающий прибор только в 1960 году. В 1966 году Карвер Мид (англ.)русск. усовершенствовал эту конструкцию, шунтировав электроды такого прибора диодом Шоттки.

В 1977 году Джеймс Маккаллахем из Bell Labs установил, что использование полевых транзисторов может существенно увеличить производительность существующих вычислительных систем.

Полевые транзисторы классифицируют на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором, так называемые МДП («металл-диэлектрик-полупроводник»)-транзисторы, которые также называют МОП («металл-оксид-полупроводник»)-транзисторами, причём последние подразделяют на транзисторы со встроенным каналом и приборы с индуцированным каналом.

К основным параметрам полевых транзисторов причисляют: входное сопротивление, внутреннее сопротивление транзистора, также называемое выходным, крутизну стокозатворной характеристики, напряжение отсечки и некоторые другие.

Транзисторы с управляющим p-n-переходом[править | править код]

Рис. 1. Конструкция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа
а) с затвором со стороны подложки;
b) с диффузионным затвором.

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом^[1] (JFET) — это полевой транзистор, в котором пластина из полупроводника, например p-типа (Рис. 1), имеет на противоположных концах электроды (исток и сток), с помощью которых она включена в управляемую цепь. Управляющая цепь подключается к третьему электроду (затвору) и образуется областью с другим типом проводимости, в примере на рисунке — n-типом.

Источник постоянного смещения, включенный во входную цепь, создаёт на единственном p-n-переходе обратное (запирающее) напряжение. Во входную цепь также включается и источник усиливаемого сигнала. При изменении входного напряжения изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, в связи с чем меняется толщина обедненного слоя, то есть изменяется площадь поперечного сечения области в криcталле, через которую проходит поток основных носителей заряда. Эта область называется каналом.

Электроды полевого транзистора называются:

• исток (англ. source) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;
• сток (англ. drain) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;
• затвор (англ. gate) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

Тип полупроводниковой проводимости канала может быть как n-, так и p-типа. По типу проводимости канала различают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом. Полярности напряжений смещения, подаваемых на электроды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны.

Управление током и напряжением на нагрузке, включённой последовательно к каналу полевого транзистора и источнику питания, осуществляется изменением входного напряжения, вследствие чего изменяется обратное напряжение на p-n-переходе, что ведёт к изменению толщины запирающего (обеднённого) слоя. При некотором запирающем напряжении VP{\displaystyle V_{P}} площадь поперечного сечения канала станет равной нулю и ток через канал транзистора станет весьма малым.

Так как обратный ток p-n-перехода весьма мал, в статическом режиме или при низких рабочих частотах мощность, отбираемая от источника сигнала ничтожно мала. При высоких частотах ток, отбираемый от источника сигнала может быть значительным и идет на перезаряд входной ёмкости транзистора.

Таким образом, полевой транзистор по принципу управления током аналогичен электровакуумной лампе — триоду, но по виду сток-истоковых вольт-амперных характеристик близок к электровакуумному пентоду. При такой аналогии исток в полевом транзисторе подобен катоду вакуумного триода, затвор — сетке, сток — аноду. При этом существуют и отличия, например:

• в транзисторе отсутствует катод, который требует подогрева;
• любую из функций истока и стока может выполнять любой из этих электродов;
• существуют полевые транзисторы как с n-каналом, так и с p-каналом, что используется при производстве комплементарных пар транзисторов.

От биполярного транзистора полевой транзистор отличается, во-первых, принципом действия: в биполярном транзисторе управление выходным сигналом производится входным током, а в полевом транзисторе — входным напряжением или электрическим полем. Во-вторых, полевые транзисторы имеют значительно большие входные сопротивления, что связано с обратным смещением p-n-перехода затвора в рассматриваемом типе полевых транзисторов. В-третьих, полевые транзисторы обладают низким уровнем шума (особенно на низких частотах) по сравнению с биполярными транзисторами, так как в полевых транзисторах нет инжекции неосновных носителей заряда и канал полевого транзистора может быть выполнен внутри полупроводникового кристалла. Процессы рекомбинации носителей в p-n-переходе и в базе биполярного транзистора, а также генерационно-рекомбинационные процессы на поверхности кристалла полупроводника порождают низкочастотные шумы.

Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)[править | править код]

Рис. 2. Устройство полевого транзистора с изолированным затвором.
a) — с индуцированным каналом, b) — со встроенным каналом

Полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) — это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от канала слоем диэлектрика.

В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который называют подложкой, созданы две сильно легированные области с противоположным относительно подложки типом проводимости. На эти области нанесены металлические электроды — исток и сток. Расстояние между сильно легированными областями истока и стока может быть меньше микрона. Поверхность кристалла полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка 0,1 мкм) диэлектрика. Так как исходным полупроводником для полевых транзисторов обычно является кремний, то в качестве диэлектрика используется слой диоксида кремния SiO₂, выращенный на поверхности кристалла кремния путём высокотемпературного окисления. На слой диэлектрика нанесён металлический электрод — затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП-транзисторами.

Входное сопротивление МДП-транзисторов может достигать 10¹⁰…10¹⁴ Ом (у полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом 10⁷…10⁹), что является преимуществом при построении высокоточных устройств.

Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным каналом.

В МДП-транзисторах с индуцированным каналом (рис. 2, а) проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока отсутствует и, следовательно, заметный ток стока появляется только при определённой полярности и при определённом значении напряжения на затворе относительно истока, которое называют пороговым напряжением (U_ЗИпор).

В МДП-транзисторах со встроенным каналом (рис. 2, б) у поверхности полупроводника под затвором при нулевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой — канал, который соединяет исток со стоком.

Изображённые на рис. 2 структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку с электропроводностью n-типа. Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а также индуцированный и встроенный канал имеют электропроводность p-типа. Если же аналогичные транзисторы созданы на подложке с электропроводностью p-типа, то канал у них будет иметь электропроводность n-типа.

МДП-транзисторы с индуцированным каналом[править | править код]

При напряжении на затворе относительно истока, равном нулю, и при подаче напряжения на сток, — ток стока оказывается ничтожно малым. Он представляет собой обратный ток p-n-перехода между подложкой и сильнолегированной областью стока. При отрицательном потенциале на затворе (для структуры, показанной на рис. 2, а) в результате проникновения электрического поля через диэлектрический слой в полупроводник при малых напряжениях на затворе (меньших U_ЗИпор) у поверхности полупроводника под затвором возникает обеднённый основными носителями слой эффект поля и область объёмного заряда, состоящая из ионизированных нескомпенсированных примесных атомов. При напряжениях на затворе, больших U_ЗИпор, у поверхности полупроводника под затвором возникает инверсный слой, который и является каналом p-типа, соединяющим исток со стоком. Толщина и поперечное сечение канала будут изменяться с изменением напряжения на затворе, соответственно будет изменяться и ток стока, то есть ток в цепи нагрузки и относительно мощного источника питания. Так происходит управление током стока в полевом транзисторе с изолированным затвором и с индуцированным каналом.

В связи с тем, что затвор отделён от подложки диэлектрическим слоем, ток в цепи затвора ничтожно мал, мала и мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора и необходимая для управления относительно большим током стока. Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом может производить усиление электромагнитных колебаний по напряжению и по мощности.

Принцип усиления мощности в МДП-транзисторах можно рассматривать с точки зрения передачи носителями заряда энергии постоянного электрического поля (энергии источника питания в выходной цепи) переменному электрическому полю. В МДП-транзисторе до возникновения канала почти всё напряжение источника питания в цепи стока падало на полупроводнике между истоком и стоком, создавая относительно большую постоянную составляющую напряжённости электрического поля. Под действием напряжения на затворе в полупроводнике под затвором возникает канал, по которому от истока к стоку движутся носители заряда — дырки. Дырки, двигаясь по направлению постоянной составляющей электрического поля, разгоняются этим полем и их энергия увеличивается за счёт энергии источника питания, в цепи стока. Одновременно с возникновением канала и появлением в нём подвижных носителей заряда уменьшается напряжение на стоке, то есть мгновенное значение переменной составляющей электрического поля в канале направлено противоположно постоянной составляющей. Поэтому дырки тормозятся переменным электрическим полем, отдавая ему часть своей энергии.

МДП-транзисторы со встроенным каналом[править | править код]

Рис. 3. Выходные статические характеристики (a) и сток-затворная характеристика (b) МДП-транзистора со встроенным каналом. В данной схеме в качестве нелинейного элемента используется МДП транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом.

В связи с наличием встроенного канала в таком МДП-транзисторе (рис. 2, b), при подаче напряжения на сток, ток стока оказывается значительным даже при нулевом напряжении на затворе (рис. 3, b). Поперечное сечение и проводимость канала будут изменяться при изменении напряжения на затворе как отрицательной, так и положительной полярности. Таким образом, МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда. Эта особенность МДП-транзисторов со встроенным каналом отражается и на смещении выходных статических характеристик при изменении напряжения на затворе и его полярности (рис. 3).

Статические характеристики передачи (рис. 3, b) выходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки U_ЗИотс, то есть напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.

Формулы расчёта Ic{\displaystyle I_{c}} в зависимости от напряжения U_ЗИ

1. Транзистор закрыт U3u<Unop{\displaystyle U_{3u}<U_{nop}}

Ic=0{\displaystyle I_{c}=0}

Пороговое значение напряжения МДП транзистора Unop=1.5B{\displaystyle U_{nop}=1.5B}

2. Параболический участок. U3u>Unop{\displaystyle U_{3u}>U_{nop}}

Ic=Kn[(U3u−Unop)Ucu−Ucu22]{\displaystyle I_{c}=K_{n}[(U_{3u}-U_{nop})U_{cu}-{\frac {U_{cu}^{2}}{2}}]}

Kn{\displaystyle K_{n}}-удельная крутизна передаточной характеристики транзистора.

3. Дальнейшее увеличение U3u{\displaystyle U_{3u}} приводит к переходу на пологий уровень.

Ic=Kn2[U3u−Unop]2{\displaystyle I_{c}={\frac {K_{n}}{2}}[U_{3u}-U_{nop}]^{2}} — Уравнение Ховстайна.

МДП-структуры специального назначения[править | править код]

В структурах типа металл-нитрид-оксид-полупроводник (МНОП) диэлектрик под затвором выполняется двухслойным: слой оксида SiO₂ и толстый слой нитрида Si₃N₄. Между слоями образуются ловушки электронов, которые при подаче на затвор МНОП-структуры положительного напряжения (28—30 В) захватывают туннелирующие через тонкий слой SiO₂ электроны. Образующиеся отрицательно заряженные ионы повышают пороговое напряжение, причём их заряд может храниться до нескольких лет при отсутствии питания, так как слой SiO₂ предотвращает утечку заряда. При подаче на затвор большого отрицательного напряжения (28…30 В), накопленный заряд рассасывается, что существенно уменьшает пороговое напряжение.

Структуры типа металл-оксид-полупроводник (МОП) с плавающим затвором и лавинной инжекцией (ЛИЗМОП) имеют затвор, выполненный из поликристаллического кремния, изолированный от других частей структуры. Лавинный пробой p-n-перехода подложки и стока или истока, на которые подаётся высокое напряжение, позволяет электронам проникнуть через слой окисла на затвор, вследствие чего на нём появляется отрицательный заряд. Изолирующие свойства диэлектрика позволяют сохранять этот заряд десятки лет. Удаление электрического заряда с затвора осуществляется с помощью ионизирующего ультрафиолетового облучения кварцевыми лампами, при этом фототок позволяет электронам рекомбинировать с дырками.

В дальнейшем были разработаны структуры запоминающих полевых транзисторов с двойным затвором. Встроенный в диэлектрик затвор используется для хранения заряда, определяющего состояние прибора, а внешний (обычный) затвор, управляемый разнополярными импульсами для ввода или удаления заряда на встроенном (внутреннем) затворе. Так появились ячейки, а затем и микросхемы флэш-памяти, получившие в наши дни большую популярность и составившие заметную конкуренцию жестким дискам в компьютерах.

Для реализации сверхбольших интегральных схем (СБИС) были созданы сверхминиатюрные полевые микротранзисторы. Они делаются с применением нанотехнологий с геометрическим разрешением менее 100 нм. У таких приборов толщина подзатворного диэлектрика доходит до нескольких атомных слоев. Используются различные, в том числе трехзатворные структуры. Приборы работают в микромощном режиме. В современных микропроцессорах корпорации Intel число приборов составляет от десятков миллионов до 2 миллиардов. Новейшие полевые микротранзисторы выполняются на напряженном кремнии, имеют металлический затвор и используют новый запатентованный материал для подзатворного диэлектрика на основе соединений гафния^[2].

В последние четверть века бурное развитие получили мощные полевые транзисторы, в основном МДП-типа. Они состоят из множества маломощных структур или из структур с разветвлённой конфигурацией затвора. Такие ВЧ и СВЧ приборы впервые были созданы в СССР специалистами НИИ «Пульсар» Бачуриным В. В. (кремниевые приборы) и Ваксембургом В. Я. (арсенид-галлиевые приборы) Исследование их импульсных свойств было выполнено научной школой проф. Дьяконова В. П. (Смоленский филиал МЭИ). Это открыло область разработки мощных ключевых (импульсных) полевых транзисторов со специальными структурами, имеющих высокие рабочие напряжения и токи (раздельно до 500—1000 В и 50-100 А). Такие приборы нередко управляются малыми (до 5 В) напряжениями, имеют малое сопротивление в открытом состоянии (до 0,01 Ом) у сильноточных приборов, высокую крутизну и малые (в единицы-десятки нс) времена переключения. У них отсутствует явление накопления носителей в структуре и явление насыщения, присущее биполярным транзисторам. Благодаря этому мощные полевые транзисторы успешно вытесняют мощные биполярные транзисторы в области силовой электроники малой и средней мощности^[3][4].

За рубежом в последние десятилетия стремительно развивается технология транзисторов на высокоподвижных электронах (ТВПЭ), которые широко используются в СВЧ устройствах связи и радионаблюдения. На основе ТВПЭ создаются как гибридные, так и монолитные микроволновые интегральные схемы. В основе действия ТВПЭ лежит управление каналом с помощью двумерного электронного газа, область которого создаётся под контактом затвора благодаря применению гетероперехода и очень тонкого диэлектрического слоя — спейсера^[5].

Схемы включения полевых транзисторов[править | править код]

Полевой транзистор в каскаде усиления сигнала можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ).

Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим истоком

Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим стоком

Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом с общим затвором

На практике в усилительных каскадах чаще всего применяется схема с ОИ, аналогичная схеме на биполярном транзисторе с общим эмиттером (ОЭ). Каскад с общим истоком даёт большое усиление по мощности. Но, с другой стороны, этот каскад наиболее низкочастотный из-за вредного влияния эффекта Миллера и существенной входной ёмкости затвор-исток (С_зи).

Схема с ОЗ аналогична схеме с общей базой (ОБ). В этой схеме ток стока равен току истока, поэтому она не даёт усиления по току, и усиление по мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме ОИ. Каскад ОЗ обладает низким входным сопротивлением, в связи с чем он имеет специфическое практическое применение в усилительной технике. Преимущество такого включения — практически полное подавление эффекта Миллера, что позволяет увеличить максимальную частоту усиления и такие каскады часто применяются при усилении СВЧ.

Каскад с ОС аналогичен каскаду с общим коллектором (ОК) для биполярного транзистора — эмиттерным повторителем. Такой каскад часто называют истоковым повторителем. Коэффициент усиления по напряжению в этой схеме всегда немного меньше 1, а коэффициент усиления по мощности занимает промежуточное значение между ОЗ и ОИ. Преимущество этого каскада — очень низкая входная паразитная ёмкость и его часто используют в качестве буферного разделительного каскада между высокоомным источником сигнала, например, пьезодатчиком и последующими каскадами усиления. По широкополосным свойствам этот каскад также занимает промежуточное положение между ОЗ и ОИ.

Области применения полевых транзисторов[править | править код]

КМОП-структуры, строящиеся из комплементарной пары полевых транзисторов с каналами разного (p- и n-) типа, широко используются в цифровых и аналоговых интегральных схемах.

За счёт того, что полевые транзисторы управляются полем (величиной напряжения приложенного к затвору), а не током, протекающим через базу (как в биполярных транзисторах), полевые транзисторы потребляют значительно меньше энергии, что особенно актуально в схемах ждущих и следящих устройств, а также в схемах малого потребления и энергосбережения (реализация спящих режимов).

Выдающиеся примеры устройств, построенных на полевых транзисторах, — наручные электронные часы и пульт дистанционного управления для телевизора. За счёт применения КМОП-структур эти устройства могут работать до нескольких лет от одного миниатюрного источника питания — батарейки или аккумулятора, потому что практически не потребляют энергии.

В настоящее время полевые транзисторы находят всё более широкое применение в различных радиоустройствах, где с успехом заменяют биполярные. Их применение в радиопередающих устройствах позволяет увеличить частоту несущего сигнала, обеспечивая такие устройства высокой помехоустойчивостью. Обладая низким сопротивлением в открытом состоянии, находят применение в оконечных каскадах усилителей мощности звуковых частот высокой мощности (Hi-Fi), где с успехом заменяют биполярные транзисторы и электронные лампы. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — приборы, сочетающие биполярные и полевые транзисторы, — находят применение в устройствах большой мощности, например в устройствах плавного пуска, где успешно вытесняют тиристоры.

1. ↑ И. П. Жеребцов. Основы электроники. Изд. 5-е. — Л., 1989. — С. 114.
2. ↑ Дьяконов, 2004.
3. ↑ Бачурин, Ваксембург, Дьяконов и др., 1994.
4. ↑ Дьяконов, Максимчук, Ремнев, Смердов, 2002.
5. ↑ Li, 2006.

• Дьяконов В. П. Intel. Новейшие информационные технологии. Достижения и люди. — М.: СОЛОН-Пресс, 2004. — 416 с. — ISBN 5980031499.
• Бачурин В. В., Ваксембург В. Я., Дьяконов В. П. и др. Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах: Справочник / Дьяконов В. П.. — М.: Радио и связь, 1994. — 280 с.
• Дьяконов В. П., Максимчук А. А., Ремнев А. М., Смердов В. Ю. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах / Дьяконов В. П.. — М.: СОЛОН-Р, 2002. — 512 с.
• Li, Sheng S. Semiconductor Physical Electronics. — Second Edition. — Springer, 2006. — 708 с. — ISBN 978-0-387-28893-2.

История изобретения лазеров — Википедия

1917	А. Эйнштейн представляет концепцию вынужденного излучения
1920	И. Франк и Ф. Райхе подтвердили существование метастабильных состояний в возбужденном состоянии
1927	Поль Дирак создает квантовую теорию вынужденного излучения
1928	Р. Ладенбург и Г. Копферман исследовали отрицательную дисперсию света в газовом разряде (в неоне)
1940	В. А. Фабрикант исследовал отрицательное поглощение света
1947	У. Лэмб и Р. Резерфорд впервые демонстрируют вынужденное излучение
1950	К. М. Пурселл и Р. Ф. Паунд получили вынужденное излучение во фториде лития при быстром переключении магнитного поля (инвертированный спин)
1951	В. А. Фабрикант, Ф. А. Бутаева и М. М. Вудынский провели эксперименты по усилению электромагнитного излучения в газах Ч. Таунс исследовал возможности создания генератора субмиллиметрового диапазона Ц. С. ван Гиил, Г. Г. Хопкинс и Н. С. Капани изготовили первое оптическое волокно
1952	Дж. Вебер разработал теорию микроволновых резонаторов, шумов и чувствительности усилителей
1953	Дж. фон Нейман разработал теорию фотонного усиления
1954	Н. Г. Басов, А. М. Прохоров; Ч. Таунс, В. Гордон; Дж. Цайгер, К. Шимода, Т. Ванг создали независимо друг от друга первый мазер на молекулах аммиака Н. С. Капани ввел термин «волоконная оптика»
1956	Н. Бломберген разработал теорию трёхуровневого твердотельного лазера
1958	Л. Шавлов и Ч. Таунс проводят расчеты мазеров для видимого и инфракрасного диапазонов
1959	Г. Гулд вводит термин «лазер» и представляет чертежи оптического мазера (лазера) в американское патентное бюро Н. Г. Басов делает теоретическое обоснование полупроводникового лазера
1960	Т. Майман создал первый лазер на кристалле рубина (Cr3+ : Al2 O 3) (λ = 694,3 нм) А. Джаван, В. Беннет и Д. Ериот построили гелий-неоновый лазер (λ = 1,15 мкм) П. Сорокин и М. Стевенсон получили стимулированную эмиссию на U3+ : CaF2 -кристалле (λ = 2,5 мкм и λ = 2,6 мкм) Ф. Г. Хоутерманс предложил эксимер как лазерную среду
1961	А. Г. Фокс и Т. Ли; Г. Д. Бойд и Дж. П. Гордон создали теорию оптических резонаторов со сферическими зеркалами П. П. Сорокин и М. Дж. Стевенсон, В. Кайзер и другие получили стимулированную эмиссию на Sm2+ : CaF2 -кристалле (λ = 708 нм) Э. Снитцер получил стимулированную эмиссию на Nd3+ : стекле (λ = 1,062 мкм) Д. Полани создал химический лазер на экзотермических газовых реакциях Р. В. Геллварт предложил генерацию мощных лазерных импульсов с помощью модуляции добротности П. А. Франкен получил генерацию второй гармоники (удвоение частоты) в рубиновом лазере с помощью кристалла кварца
1962	Д. Уайт и Дж. Риджен создали He-Ne лазер с длиной волны 632,8 нм Р. Холл и другие; Н. Г. Басов и другие изобрели полупроводниковые лазеры на арсениде галлия (λ = 840 нм, λ = 710 нм) Д. Кляйнман и П. Кислюк построили первый рефлектор Фабри-Перо для селекции мод в лазерном резонаторе Н. Бломберген и другие выдвинули теорию распространения волн в нелинейных средах (удвоение частоты, параметрические процессы, стимулированный эффект Рамана, многофононная ионизация и другие)
1963	Л. Джонсон и другие представили первые перестраиваемые лазеры на переходных металлах, например Ni2+ : MgF2 (λ = 1,62 мкм … 1,8 мкм) Ф. Дилл, В. Говард и другие получили непрерывную стимулированную эмиссию в GaAs диодах при температуре от 2K до 77K (λ = 840 нм) Н. Г. Басов и А. Н. Ораевский предложили идею тепловой накачки Г. Херд создал первый азотный лазер Г. Кромер, Ж. И. Алферов и Р. Ф. Казаринов предложили двойные гетероструктуры для лазерных диодов Р. Нойман предложил возбуждать твердотельные среды с помощью лазерных диодов M. Коупланд применил GaAs диод как оптический усилитель
1964	Дж. Гойзик и другие получили стимулированное излучение на длине волны 1,064 мкм в Nd:YAG-лазере (Nd3+ : Y3Al5O12) К. Пател построил первые лазеры на CO2 -газе Л. Харгроу, Р. Рорк и М. Поллак получили режим синхронизации мод в He-Ne лазере с продолжительностью импульса 600 пс В. Бриджес реализовал аргон-ионный лазер (λ = 488 нм, λ = 514 нм), ксеноновый и криптоновый лазер Г. Гэбби создал 337-мкм-HCN-лазер, первый эффективный субмиллиметровый лазер Р. Кайес и Т. Квист построили первый твердотельный лазер с накачкой лазерными диодами (U 3 + : CaF 2 -кристалл возбуждался GaAs-диодами) с рабочей температурой 4,2 K П. Кафалас, Б. Соффер и П. Сверокин реализовали пассивную модуляцию добротности с помощью насыщенного поглотителя
1965	Дж. Каспер и Дж. Пиментал изобрели химический лазер на HCl, импульсный с оптическим инициированием (λ = 3,5 мкм) Б. Фритц и Е. Менке создали первый лазер на центрах окраски в KCl: Li / Fa-кристалле (λ = 2,7 мкм) Дж. Жордмейн и Р. Миллер создали первый параметрический осциллятор на LiNbO3 -кристалле
1966	В. К. Конюхов, О. М. Прохоров; Р. Кантровитц и другие реализовали первый газодинамический CO2 -лазер П. П. Сорокин и Дж. Р. Ланкард построили первый импульсный лазер на красителях с накачкой лазером на рубине (λ = 756 нм) В. Сильфаст, Г. Фовлс реализуют первый лазер на парах металлов Zn / Cd-лазер В. Т. Уолтер построил первый лазер на парах меди (λ = 510,6 нм и λ = 578,2 нм)
1967	Ф. К. Кнойбюль и другие реализовали волноводный газовый лазер на HCN-молекулах (λ = 337 мкм) Т. Ф. Дойтч, К. Л. Компа и Г. С. Пиментель построили первый фтороводородный (HF) лазер
1968	Ж. И. Алферов и другие создали полупроводниковый лазер на двойной гетероструктуре с генерацией в импульсном режиме M. Росс реализовал первый Nd:YAG-лазер с накачкой лазерными диодами В. Т. Уолтер построил первый лазер на парах золота (λ = 637,8 нм)
1969	В. Б. Тифанни и другие построили первый киловаттный CO2 -лазер Т. А. Кул и Р. Р. Тефенс создали чисто химический лазер на HCl непрерывного действия
1970	O. Петерсон и другие получили непрерывное излучение на родамине 6G Н. Г. Басов и другие построили первый эксимерный лазер на Xe*2 T. Чанг и T. Бриджес построили 496-мкм-CH3 F-лазер Ж. И. Алферов и другие построили первые лазерные диоды на двойных гетероструктурах с непрерывной генерацией при комнатной температуре И. Хаяши, М. Паниш на другие построили лазерные диоды с непрерывной генерацией при комнатной температуре Л. Эсаки и Р. Тсу получили первые квантовые волновые структуры
1971	Х. Когельник и С. Шанк изобрели лазер на красителях с распределенной обратной связью
1973	M. Накамура и А. Яров создали первый DFB полупроводниковый лазер
1974	Г. Маровський использовал кольцевой резонатор для предотвращения «spatial hole burning»-эффекта А. И. Гудзенко и С. И. Яковенко предложили реактор-лазер
1975	T. Генш, А. Шавлов, Д. Винеланд и Г. Демельт предложили охлаждения атомных пучков с помощью лазеров
1976	Дж. Гсиех построил непрерывные InGaAsP-лазерные диоды (λ = 1,25 мкм)
1977	Дж. Мадейс и другие создали первый лазер на свободных электронах
1978	Дж. Валлинг построил твердотельный лазер на александрите (BeAl 2 O 4 : Cr 3+) с непрерывной перестройкой в диапазоне 710—820 нм В. Мак Дермотт, Н. Пчелкин и другие создали чисто химический лазер на электронных переходах в йоде (λ = 1,315 мкм)
1979	Е. Аффолтер и Ф. Кнойбюль построили газовый лазер с распределенной обратной связью (DFB) Х. Сода и другие создали первые поверхностно-излучающие лазерные диоды (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers)
1980	Л. Молленауер, Р. Стоулен, Дж. Гордон впервые наблюдали солитоны в оптических волокнах Ц. Бор получил короткие импульсы с помощью лазера на красителях
1981	Ф. Кояма и другие построили GaInAsP / InP-лазерные диоды с распределенным отражателем Брэгга (Distributed Bragg Reflector)
1982	П. Моултон построил первый титан-сапфировый лазер (Ti 3 + : Al 2 O 3) с перестройкой длин волн излучения между 670 нм и 1079 нм
1983	Л. Молленауер, Р. Стоулен построил первый лазер на солитонах
1985	Д. Мэттьюс и другие открыли рентгеновский лазер с 15 нм излучением Т. Кейн и Р. Бэйр создали монолитный кольцевой YAG-лазер с диодной накачкой
1987	Д. Пейн открыл эрбиевий усилитель с рабочей длиной волны 1,55 мкм (Erbium Doped Fiber Amplifier)
1988	С. Пейн и другие построили первый Cr: LiCaF-лазер с перестройкой длины волны в диапазоне 720 нм и 840 нм
1989	С. Пейн и другие построили первый Cr: LiCaF-лазер с перестройкой длины волны в диапазоне 780 нм и 920 нм
1991	М. Гаазе и другие получили кратковременную генерацию с голубовато-зелёного лазерного диода на базе селенида цинка
1992	Г. Гриин, Г. Ляйзинг и другие создали первый органический полимерный светодиод с голубым излучением
1994	K. Ан и другие открыли первый лазер на одном атоме (λ = 791 нм)
1995	М. Андерсон и другие; К. Дэвис и другие впервые наблюдают конденсат Бозе-Эйнштейна в атомарных газах
1996	С. Накамура создал первые эффективные голубые лазерные диоды на базе нитрида галлия Р. Френд построил полимерный лазер с оптической накачкой
1999	В. Кеттерле и другие; К. Моцума и другие открыли первый атомный лазер — когерентное усиление материальных волн при прохождении атомного резервуара

Примесная проводимость полупроводников — Википедия

Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей.

Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введенных в него легирующих примесей.

Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как число свободных электронов, например, в германии при комнатной температуре порядка 3·10¹³ / см³. В то же время число атомов германия в 1 см³ ~ 10²³. Проводимость полупроводников увеличивается с введением примесей, когда наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость.

Примесными центрами могут быть:

1. атомы или ионы химических элементов, внедренные в решетку полупроводника;
2. избыточные атомы или ионы, внедренные в междоузлия решетки;
3. различного рода другие дефекты и искажения в кристаллической решетке: пустые узлы, трещины, сдвиги, возникающие при деформациях кристаллов, и др.

Изменяя концентрацию примесей, можно значительно увеличивать число носителей зарядов того или иного знака и создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей.

Примеси можно разделить на донорные (отдающие) и акцепторные (принимающие).

Рассмотрим механизм электропроводности полупроводника с донорной пятивалентной примесью мышьяка As⁵⁺, которую вводят в кристалл, например, кремния. Пятивалентный атом мышьяка отдает четыре валентных электрона на образование ковалентных связей, а пятый электрон оказывается незанятым в этих связях.

Энергия отрыва (энергия ионизации) пятого валентного электрона мышьяка в кремнии равна 0,05 эВ = 0,08·10⁻¹⁹ Дж, что в 20 раз меньше энергии отрыва электрона от атома кремния. Поэтому уже при комнатной температуре почти все атомы мышьяка теряют один из своих электронов и становятся положительными ионами. Положительные ионы мышьяка не могут захватить электроны соседних атомов, так как все четыре связи у них уже укомплектованы электронами. В этом случае перемещения электронной вакансии — «дырки» не происходит и дырочная проводимость очень мала, то есть практически отсутствует. Небольшая часть собственных атомов полупроводника ионизирована, и часть тока образуется дырками, то есть донорные примеси — это примеси, поставляющие электроны проводимости без возникновения равного количества подвижных дырок. В итоге мы получаем полупроводник с преимущественно электронной проводимостью, называемый полупроводником n-типа.

В случае акцепторной примеси, например, трехвалентного индия In³⁺ атом примеси может дать свои три электрона для осуществления ковалентной связи только с тремя соседними атомами кремния, а одного электрона «недостает». Один из электронов соседних атомов кремния может заполнить эту связь, тогда атом In станет неподвижным отрицательным ионом, а на месте ушедшего от одного из атомов кремния электрона образуется дырка. Акцепторные примеси, захватывая электроны и создавая тем самым подвижные дырки, не увеличивают при этом числа электронов проводимости. Основные носители заряда в полупроводнике с акцепторной примесью — дырки, а неосновные — электроны.

Полупроводники, у которых концентрация дырок превышает концентрацию электронов проводимости, называются полупроводниками р-типа.

Необходимо отметить, что введение примесей в полупроводники, как и в любых металлах, нарушает строение кристаллической решетки и затрудняет движение электронов. Однако сопротивление не увеличивается из-за того, что увеличение концентрации носителей зарядов значительно уменьшает сопротивление. Так, введение примеси бора в количестве 1 атом на сто тысяч атомов кремния уменьшает удельное электрическое сопротивление кремния приблизительно в тысячу раз, а примесь одного атома индия на 10⁸ — 10⁹ атомов германия уменьшает удельное электрическое сопротивление германия в миллионы раз.

Возможность управления удельным сопротивлением благодаря введению примесей используется в полупроводниковых приборах.

Дырочная проводимость не является исключительной особенностью полупроводников. У некоторых металлов и их сплавов существует смешанная электронно-дырочная проводимость за счет перемещений некоторой части неколлективированных валентных электронов. Например, в цинке, бериллии, кадмии, сплавах меди с оловом дырочная составляющая электрического тока преобладает над электронной.

Если в полупроводник одновременно вводятся и донорные и акцепторные примеси, то характер проводимости (n- или p-тип) определяется примесью с более высокой концентрацией носителей тока — электронов или дырок.

Аксенович Л. А. Физика в средней школе: Теория. Задания. Тесты: Учеб. пособие для учреждений, обеспечивающих получение общ. сред, образования / Л. А. Аксенович, Н. Н. Ракина, К. С. Фарино; Под ред. К. С. Фарино. — Мн.: Адукацыя i выхаванне, 2004. — C. 302—303.

дата и история изобретения, принцип работы, назначение и применение

Кто создал первый транзистор? Этот вопрос волнует очень многих. Первый патент для полевого транзисторного принципа был оформлен в Канаде австро-венгерским физиком Юлием Эдгаром Лилиенфельдом 22 октября 1925 года, но Лилиенфельд не опубликовал никаких научных статей о своих устройствах, и его работа была проигнорирована промышленностью. Таким образом первый в мире транзистор канул в историю. В 1934 году немецкий физик доктор Оскар Хайль запатентовал другой полевой транзистор. Нет прямых доказательств того, что эти устройства были построены, но позже работа в 1990-х годах показала, что один из проектов Лилиенфельда работал так, как описано, и давал существенный результат. Ныне известным и общепринятым фактом считается то, что Уильям Шокли и его помощник Джеральд Пирсон создали рабочие версии аппаратов из патентов Лилиенфельда, о чем, разумеется, никогда не упоминали ни в одной из своих более поздних научных работ или исторических статей. Первые компьютеры на транзисторах, разумеется, были построены значительно позже.

Лаборатория Белла

Лаборатория Белла работала на транзисторе, построенном для производства чрезвычайно чистых германиевых «кристальных» миксеров-диодов, используемых в радиолокационных установках в качестве элемента частотного микшера. Параллельно этому проекту существовало множество других, в их числе — транзистор на германиевых диодах. Ранние схемы на основе трубки не обладали функцией быстрого переключения, и вместо них команда Bell использовала твердотельные диоды. Первые компьютеры на транзисторах работали по похожему принципу.

Дальнейшие изыскания Шокли

После войны Шокли решил попытаться построить триодоподобное полупроводниковое устройство. Он обеспечил финансирование и лабораторное пространство, и затем стал разбираться с возникшей проблемой совместно с Бардином и Браттеном. Джон Бардин в конечном итоге разработал новую ветвь квантовой механики, известную как физика поверхности, чтобы объяснить свои первые неудачи, и этим ученым в конечном итоге удалось создать рабочее устройство.

Ключом к развитию транзистора стало дальнейшее понимание процесса подвижности электронов в полупроводнике. Было доказано, что если бы был какой-то способ контролировать поток электронов от эмиттера до коллектора этого вновь обнаруженного диода (обнаруженный 1874 г., запатентованный 1906 г.), можно было бы построить усилитель. Например, если поместить контакты по обе стороны от одного типа кристалла, ток не пройдет через него.

На самом деле делать это оказалось очень сложно. Размер кристалла должен был бы быть более усредненным, а число предполагаемых электронов (или отверстий), которые необходимо было «впрыскивать», было очень большим, что сделало бы его менее полезным, чем усилитель, потому что для этого потребовался бы большой ток впрыска. Тем не менее вся идея кристаллического диода заключалась в том, что сам кристалл мог удерживать электроны на очень небольшом расстоянии, находясь при этом практически на грани истощения. По-видимому, ключ заключался в том, чтобы контакты ввода и вывода были очень близки друг к другу на поверхности кристалла.

Труды Браттена

Браттен начал работать над созданием такого устройства, и намеки на успех все также продолжали появляться, когда команда работала над проблемой. Изобретательство — сложная работа. Иногда система работает, но затем происходит очередной сбой. Порой результаты работы Браттена начинали неожиданно работать в воде, по-видимому, из-за ее высокой проводимости. Электроны в любой части кристалла мигрируют из-за близких зарядов. Электроны в эмиттерах или «дыры» в коллекторах аккумулировались непосредственно сверху кристалла, где и получают противоположный заряд, «плавающий» в воздухе (или воде). Однако их можно было оттолкнуть с поверхности с применением небольшого количества заряда из любого другого места на кристалле. Вместо того, чтобы потребовать большой запас инжектированных электронов, очень небольшое число в нужном месте на кристалле выполнит одно и то же.

Новый опыт исследователей в какой-то степени помог решить ранее возникшую проблему небольшой контрольной области. Вместо необходимости использования двух отдельных полупроводников, соединенных общей, но крошечной областью, будет использоваться одна большая поверхность. Выходы эмиттера и коллектора были бы расположены сверху, а контрольный провод размещен на основании кристалла. Когда ток был применен к «базовому» выводу, электроны выталкивались бы через блок полупроводника и собирались на дальней поверхности. Пока излучатель и коллектор были очень близко расположены, это должно было бы обеспечивать достаточное количество электронов или дырок между ними, чтобы начать проведение.

Присоединение Брея

Ранним свидетелем этого явления был Ральф Брей, молодой аспирант. Он присоединился к разработке германиевого транзистора в Университете Пердью в ноябре 1943 года и получил сложную задачу измерения сопротивления рассеяния на контакте металл-полупроводник. Брей обнаружил множество аномалий, таких как внутренние барьеры высокого сопротивления в некоторых образцах германия. Наиболее любопытным явлением было исключительно низкое сопротивление, наблюдаемое при применении импульсов напряжения. Первые советские транзисторы разрабатывались на основе этих американских наработок.

Прорыв

16 декабря 1947 года, используя двухточечный контакт, был сделан контакт с поверхностью германия, анодированной до девяносто вольт, электролит смылся в H₂O, а затем на нем выпало несколько золотых пятен. Золотые контакты были прижаты к голым поверхностям. Разделение между точками было около 4 × 10^-3 см. Одна точка использовалась как сетка, а другая точка — как пластинка. Уклонение (DC) на сетке должно было быть положительным, чтобы получить усиление мощности напряжения на смещении пластины около пятнадцати вольт.

Изобретение первого транзистора

С историей сего чудомеханизма связано множество вопросов. Часть из них знакома читателю. К примеру: почему первые транзисторы СССР были PNP-типа? Ответ на этот вопрос кроется в продолжении всей этой истории. Браттен и Х. Р. Мур продемонстрировали нескольким коллегам и менеджерам в Bell Labs во второй половине дня 23 декабря 1947 года результат, которых они добились, потому этот день часто упоминается в качестве даты рождения транзистора. PNP-контактный германиевый транзистор работал в качестве речевого усилителя с коэффициентом усиления мощности 18. Это ответ на вопрос, почему первые транзисторы СССР были PNP-типа, ведь их закупили именно у американцев. В 1956 году Джон Бардин, Уолтер Хаузер Браттен и Уильям Брэдфорд Шокли были удостоены Нобелевской премии по физике за исследования полупроводников и открытие эффекта транзистора.

Двенадцать человек упоминаются как непосредственное участие в изобретении транзистора в лаборатории Bell.

Самые первые транзисторы в Европе

В то же время некоторые европейские ученые загорелись идеей твердотельных усилителей. В августе 1948 года немецкие физики Герберт Ф. Матаре и Генрих Велькер, работавшие в институте Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse в Ольне-су-Буа, Франция, подали заявку на патент на усилитель, основанный на меньшинстве которые они назвали «транзистором». Поскольку Bell Labs не публиковал транзистор до июня 1948 года, транзистор считался независимо разработанным. Впервые Mataré наблюдала эффекты крутизны при производстве кремниевых диодов для немецкого радиолокационного оборудования во время Второй мировой войны. Транзисторы были коммерчески изготовлены для французской телефонной компании и военных, а в 1953 году на радиостанции в Дюссельдорфе была продемонстрирована твердотельная радиоприемник с четырьмя транзисторами.

Bell Telephone Laboratories нуждалось в названии для нового изобретения: Semiconductor Triode, Tried States Triode, Crystal Triode, Solid Triode и Iotatron были рассмотрены, но «транзистор», придуманный Джоном Р. Пирсом, был явным победителем внутреннего голосования (частично благодаря близости, которую инженеры Белла разработали для суффикса «-истор»).

Первая коммерческая линия по производству транзисторов в мире была на заводе Western Electric на Union Boulevard в Аллентауне, штат Пенсильвания. Производство началось 1 октября 1951 г. с точечного контактного германиевого транзистора.

Дальнейшее применение

Вплоть до начала 1950-х этот транзистор использовался во всех видах производства, но все еще существовали значительные проблемы, препятствующие его более широкому применению такие, как чувствительность к влаге и хрупкость проводов, прикрепленных к кристаллам германия.

Шокли часто обвиняли в плагиате из-за того, что его работы были очень приближены к трудам великого, но непризнанного венгерского инженера. Но адвокаты Bell Labs быстро уладили эту проблему.

Тем не менее Шокли был возмущен нападками со стороны критиков и решил продемонстрировать, кто был настоящим мозгом всей великой эпопеи по изобретению транзистора. Всего несколько месяцев спустя он изобрел совершенно новый тип транзистора, обладающего очень своеобразной «бутербродной структурой». Эта новая форма была значительно более надежной, чем хрупкая система точечного контакта, и в итоге именно она начала использоваться во всех транзисторах 60-х годов ХХ столетия. Вскоре она развилась в аппарат биполярного перехода, ставший основой для первого биполярного транзистора.

Статический индукционный прибор, первая концепция высокочастотного транзистора, был изобретен японскими инженерами Jun-ichi Nishizawa и Y. Watanabe в 1950 году и, наконец, смог создать экспериментальные прототипы в 1975 году. Это был самый быстрый транзистор в 80-е годы ХХ столетия.

Дальнейшие разработки включали в себя приборы с расширенным соединением, поверхностно-барьерный транзистор, диффузионный, тетродный и пентодный. Диффузионный кремниевый «меза-транзистор» был разработан в 1955 году в Bell и коммерчески доступен Fairchild Semiconductor в 1958 году. Пространство было типом транзистора, разработанного в 1950-х годах как улучшение по сравнению с точечным контактным транзистором и более поздним транзистором из сплава.

В 1953 году Филко разработал первый в мире высокочастотный поверхностно-барьерный прибор, который также был первым транзистором, подходящим для высокоскоростных компьютеров. Первое в мире транзисторное автомобильное радио, изготовленное Philco в 1955 году, использовало поверхностно-барьерные транзисторы в своей схеме.

Решение проблем и доработка

С решением проблем хрупкости осталась проблема чистоты. Создание германия требуемой чистоты оказалось серьезной проблемой и ограничило количество транзисторов, которые фактически работали из данной партии материала. Чувствительность германия к температуре также ограничивала его полезность.

Ученые предположили, что кремний будет легче изготовить, но мало кто изучил эту возможность. Morris Tanenbaum в Bell Laboratories были первыми, кто разработал рабочий кремниевый транзистор 26 января 1954 г. Несколько месяцев спустя, Гордон Тил, работающий самостоятельно в Texas Instruments, разработал аналогичное устройство. Оба эти устройства были сделаны путем контроля легирования кристаллов одного кремния, когда они выращивались из расплавленного кремния. Более высокий метод был разработан Моррисом Таненбаумом и Кальвином С. Фуллером в Bell Laboratories в начале 1955 года путем газовой диффузии донорных и акцепторных примесей в монокристаллические кремниевые кристаллы.

Полевые транзисторы

Полевой транзистор был впервые запатентован Юлисом Эдгаром Лилиенфельдом в 1926 году и Оскаром Хейлом в 1934 году, но практические полупроводниковые устройства (транзисторы с полевым эффектом перехода [JFET]) были разработаны позднее, после того как эффект транзистора наблюдался и объяснялся командой Уильяма Шокли в Bell Labs в 1947 году, сразу же после истечения двадцатилетнего патентного периода.

Первым типом JFET был статический индукционный транзистор (SIT), изобретенный японскими инженерами Jun-ichi Nishizawa и Y. Watanabe в 1950 году. SIT — это тип JFET с короткой длиной канала. Полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор) из металла-оксида-полупроводника, который в значительной степени вытеснил JFET и оказал глубокое влияние на развитие электронной электронной техники, был изобретен Дауном Кахнгом и Мартином Аталлой в 1959 году.

Полевые транзисторы могут быть устройствами с мажоритарным зарядом, в которых ток переносится преимущественно мажоритарными носителями или устройствами с носителями меньших зарядов, в которых ток в основном обусловлен потоком неосновных носителей. Прибор состоит из активного канала, через который носители заряда, электроны или отверстия поступают из источника в канализацию. Концевые выводы источника и стока подключаются к полупроводнику через омические контакты. Проводимость канала является функцией потенциала, применяемого через клеммы затвора и источника. Этот принцип работы дал начало первым всеволновым транзисторам.

Все полевые транзисторы имеют клеммы источника, стока и затвора, которые примерно соответствуют эмиттеру, коллектору и базе BJT. Большинство полевых транзисторов имеют четвертый терминал, называемый корпусом, базой, массой или субстратом. Этот четвертый терминал служит для смещения транзистора в эксплуатацию. Редко приходится делать нетривиальное использование терминалов корпуса в схемах, но его присутствие важно при настройке физической компоновки интегральной схемы. Размер ворот, длина L на диаграмме, — это расстояние между источником и стоком. Ширина — это расширение транзистора в направлении, перпендикулярном поперечному сечению на диаграмме (т. е. в/из экрана). Обычно ширина намного больше, чем длина ворот. Длина затвора 1 мкм ограничивает верхнюю частоту примерно до 5 ГГц, от 0,2 до 30 ГГц.

Когда ребенок начинает самостоятельно ползать на животе, по-пластунски, на четвереньках: как помочь ребенку поползти

Часто родителям хочется, чтобы их малыш поскорее повзрослел – перевернулся, сел, пополз, встал и наконец, пошел. Однако стоит ли считать предметом гордости тот факт, что ребенок начал самостоятельно ходить уже с полугода?

Необходимость этапа ползания

В современной педиатрии считается, что пропускать этап ползания детям крайне нежелательно, ведь прямохождение создает сильную нагрузку на позвоночник малютки. При ползании же как раз активно разрабатываются мышцы спины, которые отвечают за то, чтобы позвоночник поддерживался в вертикальном положении.

Кроме того, когда ребенок начинает ползать, одновременно с этим у него развивается и мышление, поскольку для слаженного чередования рук и ног понадобится сложная работа мозга.

Ребенок начинает ползать

Возраст, в котором дети начинают ползать

После трех месяцев, когда карапуз начинает переворачиваться, его обзор серьезно расширяется, он начинает видеть множество увлекательных предметов, которые в положении на спине были незаметны. Тогда он делает первые попытки дотянуться до игрушек, а немного позже и подползти к ним на животе. Когда малышу уже есть 6 месяцев, его родителей все сильнее интересует вопрос, во сколько ребенок начинает ползать по-настоящему.

Ползать на четвереньках детки могут начать и в 5 месяцев, но чаще всего это происходит после полугода, в 9 месяцев, когда хорошо окрепнут мышцы рук, ног и спины, и кроха будет делать попытки или уже уметь садиться сам.

Если ребенок крупный, то он может активно не ползать даже в 8 месяцев, но тогда врач может порекомендовать пройти курс массажа, чтобы укрепить мускулатуру спинки. Настоящее ползание как этап развития ребенка должно осуществляться именно на четвереньках, предваряя собой формирование навыков ходьбы.

Этапы ползания

ребенок начинает ползать на животе

У каждого ребенка эти этапы могут проходить по-разному: возможно, у кого-то начинается раньше всего ползание на животе, у кого-то почти сразу начинается перекрестное ползание на четвереньках, у кого-то один из этапов может вообще отсутствовать.

1. Многие начинают с ползания на животе, причем одни дети отползают в направлении назад, другие перемещаются вбок или ползут вперед по-пластунски.
2. Полноценное ползание может начинаться так: ребенок выставит вперед сразу обе руки, а потом резким движением, немного напоминающим неуклюжий прыжок, приставлять к ним ноги. Такое ползание можно сравнить с прыжками лягушки. Другие дети сразу начинают становиться на четвереньки, при этом раскачиваясь взад-вперед, а потом пробуют выставлять вперед руки одна за другой и пододвигать к ним ноги. Все эти попытки хорошо иллюстрируют, как дети начинают ползать.
3. Самым сложным считается перекрестное ползание, когда одновременно с правой рукой вперед выдвигается левая нога, после чего нога и рука сменяются в четком и слаженном порядке.

Упражнения, помогающие освоить ползание

Когда кроха научится хорошо делать перевороты со спинки на живот, а потом обратно, станет ненадолго подниматься на предплечьях, можно начать выполнять некоторые упражнения, чтобы ребенок начал ползать:

• упражнения на фитболе

упражнения для того, чтобы ребенок начал ползать

Данные упражнения хорошо развивают мышцы детской спины и даже могут облегчать колики у малыша (если после 3-х месяцев они еще не прошли до конца). Ребенка нужно положить животиком на мяч головой от мамы и придерживать в районе подмышек. В то время как мяч плавно покачивается туда-сюда, кроха учится выгибать спинку, напрягая необходимые для ползания мышцы. (Смотри о фитболе и занятиях на фитболе очень подробную статью)

• гимнастика для ручек

Цель гимнастики — укрепление мышц ручек и спины. Ребенка, лежащего на спинке, мама берет за ручки, предварительно добившись того, чтобы малыш хорошо схватил большой палец мамы. Потом мама плавно поднимает руки малыша вверх и опускает их. Также можно проводить разведение рук ребенка в стороны, после чего скрещивать их на груди у малыша. После этого можно попробовать медленно приподнимать ребенка за ручки (до угла 45 градусов), а потом опускать его.

• упражнения на перевороты

Если малыш не совсем уверенно освоил перевороты, то это упражнение поможет немного ускорить процесс. Мама вкладывает большой палец своей руки в ладошку ребенка и крепко держит его кисть. Затем мама начинает направлять корпус крохи на переворот. При этом правой рукой мама держит левую ножку ребенка, помогая ему повернуть таз.

• упражнение «лягушка»

массаж для того, чтобы реенок начал ползать

Мама берет ножки ребенка, который лежит на спине, за голени и плавно начинает сгибать их в позу лягушки, а затем так же плавно разгибать. Перевернув малыша на животик, полезно дать ему возможность несколько раз оттолкнуться согнутыми ножками от сложенных маминых ладоней и продвинуться вперед.

При выполнении упражнений нужно спокойно и ласково общаться с малышом, создавая у него благоприятный эмоциональный фон и формируя положительное отношение к упражнениям.

Как научить ребенка ползать. Самое полезное!

Смотрим видео: как научить ребёнка ползать

Укрепляющий массаж

Конечно, назначенный врачом специальный лечебно-оздоровительный массаж может проводить только медработник. В то же время сделать простой общеукрепляющий массаж ребенку, чтобы он начал активнее ползать, могут и мама с папой дома. Главное — помнить, что кожа маленького ребенка очень нежна, и в домашних условиях лучше всего ограничиться таким приемом, как поглаживание. Нельзя выполнять массаж раньше, чем за полчаса до или после кормления, ограничиться одним разом в день. На руках мамы во время процедуры не должны присутствовать кольца и другие украшения. Длительность массажа может составлять около 5-10 минут, но если малышу не нравится, и начинаются слезы, то лучше это дело пока отложить.

Поглаживание рук, ног, спины

Проводить эту процедуру удобнее всего на специальном пеленальном столике. Мама поглаживает руки ребенка как внутри, так и снаружи от кисти к предплечью. Массаж ножек проводится в последовательности от стоп к бедру, обходя коленные суставы. Переворачиваем малыша на животик и начинаем поглаживание спинки вверх-вниз. После легких и приятных поглаживаний для укрепления мышц рук, ног и спины можно немного поразминать их в описанной выше последовательности.

Привлекаем малыша к ползанию

Бывает так, что малыш уже хорошо ползает по кроватке по-пластунски или как лягушка на четвереньках, но на полу не желает ползать ни в какую. Как же тогда помочь ребенку начать ползать?

• Учим и помогаем

Убедившись в правильном развитии ребенка, с пяти месяцев можно подготавливать малыша к ползанию. Лучшим местом является чистый пол, покрытый ковриком или одеялом. Положив дитя на пол и подложив под грудку валик, надо показать ему любимую игрушку и поставить ее на небольшом расстоянии от него, чтобы он захотел дотянуться до нее. Пятки малыша должны опираться к стене или об руки мамы, помогая ему отталкиваться вперед.

Можно положить перед крохой любимые игрушки или новые предметы, достаточно близко, чтобы малыш хотел их взять, но достаточно далеко, чтобы ему пришлось до них доползти, а не дотянуться. Обязательно похвалите ребенка, если у него получилось немного проползти. Пусть малыш пока не слишком разбирает ваши слова, но зато он очень точно чувствует интонацию одобрения.

• Наглядный пример

Ползание взрослых или других ползающих малышей рядом послужит прекрасным образцом для подражания ребенку. Это действие поспособствует выявлению всех опасных мест и предметов в пространстве, предотвратит непредвиденные прецеденты. Поощрение родителей и дружелюбная атмосфера подтолкнут малыша к более активным стараниям ползать. После некоторых успехов задачи нужно усложнять, создавая на пути малыша препятствия.

Маленькие дети, хоть немного научившиеся ползать, обожают преодолевать различные преграды: невысокие барьеры, проходы под стульями и т. д. Используйте это, чтобы сделать ползание более активным. Можно купить в магазине специальную дорожку с небольшими препятствиями, а можно сделать ее самостоятельно или использовать в качестве таких «преград» простые средства, которые всегда под рукой, например, валики из полотенец.

Подведем итог

• На животе по-пластунски:

На животе ребенок начинает ползать после полугода в зависимости от развития и готовности организма. Если малыш не проявляет попыток ползать после 8 месяцев, стоит обратиться к специалисту. Усилия терпеливых и умных родителей помогут предотвратить многие заболевания и слабое развитие малыша. Для активизации мышц врачи рекомендуют практиковать профессиональный массаж и упражнения для освоения навыка ползания.

Некоторые дети, научившись переворачиваться на живот, начинают попытки передвижения с помощью рук и ног, вертятся по кругу или пятятся назад. Статистика показывает, что дети обычно начинают ползать по-пластунски с 8 месяцев. Поднимая туловище, малыш упирается на руки и перемещается, подтягивая тело.

Дети ползают по-пластунски

• На четвереньках:

С 9 месяцев малыш умеет стоять на четвереньках и раскачиваться, подготавливая себя к дальнейшему передвижению ползком. Своевременное ползание на четвереньках послужит разработке мышц спины малыша, подготавливая его к навыкам ходьбы. Полноценно ползать ребенок может с 10 месяцев, когда руки и ноги двигаются синхронно и уверенно. Перекрестное ползание является вершиной мастерства малышей.

Девочки опережают мальчиков в развитии, поэтому они и ползать начинают раньше.

Консультирует Целехович Ольга Петровна — врач-педиатр высшей категории: во сколько месяцев дети начинают ползать

Союз педиатров России: Как научить ребенка ползать? Ползание. Двигательные навыки и упражнения. Советы родителям

Важность ползания

Умение ползать благотворно сказывается на развитии ребенка, укрепляет моторику, влияет на формирование речи и работу мозга. Тренируется настойчивость, целеустремленность и выносливость. Поэтому родителям стоит проявить участие в стремлении научить ребенка ползать, не пропуская этот этап развития.

По теме развития:

Видео: Учим малыша ползать

Ребенок не хочет ползать? Заинтересуйте его!

Малыш мало ползает, а ведь для полноценного развития ребенка это действительно важно. Понаблюдайте за ним, и Вы увидите, что есть вещи, к которым он не равнодушен. Стимулируйте своего кроху с помощью интересных ему предметов, но Вы ему их не давайте. Выкладывайте их недалеко от ребенка, и как только тот подползет и обрадуется своей добыче, отнимайте вещи и кладите их еще дальше. Мы это делаем с помощью пульта от телевизора, дочка не устает ползать за ним и, соответственно, это дополнительное развитие малыша. Ребенок больше устает и лучше спит. Желаем Вам успехов в этом нелегком деле – уходе и развитии Вашего чада!

P.S. Когда ребенок начнет самостоятельно ползать комнатные напольные растения следует убрать наверх, мусорное ведро и предметы бытовой химии спрятать, низко расположенные розетки закрыть специальными крышками — см как обезопасить дом для маленького ребенка.

Хотите первыми читать наши материалы? Подписывайтесь на наш телеграм-канал

Во сколько месяцев ребенок должен начать ползать: когда мальчики и девочки

Маленькие детки в возрасте до года растут и развиваются быстрыми темпами. Особенно активно малыши осваивают новые навыки в период 6-12 месяцев: они переворачиваются, начинают сидеть, ползать, подниматься, держась за спинку кроватки или манежа. Некоторые груднички, достигшие годовалого возраста, уже достаточно уверенно ходят. Это очень важный этап для всестороннего развития ребенка и его здоровья – от того, насколько гармоничным и своевременным было освоение данных действий, зависит будущее физическое и эмоциональное состояния малыша.

Первые попытки ползания

Интересным навыком в этот насыщенный период является ползанье. Существует мнение, что это просто переходной процесс между сиденьем и хождением. В последнее время специалисты утверждают, что ползанье – очень важный и полезный навык, недооценивать его ни в коем случае не стоит.

Стандартные сроки ползания

В процессе становления личности ребенка, изучения окружающего мира, общения с людьми, освоения определенных действий все стандартные нормы достаточно условные. Каждый новорожденный – это, в первую очередь, индивидуальность, на развитие которой влияет много факторов.

Важным критерием, который характеризует физическое состояние младенца, являются сроки, когда ребенок начинает ползать. Средние нормы для здоровых деток – 5-8 месяцев. Бывают случаи, когда первые попытки к ползанию замечаются уже в 4 месяца. Или, наоборот, стремление ползти проявляется с некоторым опозданием – 9 месяцев. Такие отклонения естественные и не должны вызывать тревогу.

Нужно отметить! Согласно статистике, сроки начала ползания отличаются, в зависимости от пола ребенка. Девочки, в большинстве случаев, активнее, быстрее усваивают информацию и развиваются. Ползти они начинают в 5-7 месяцев. Мальчики постигают этот этап в 6-8 месяцев.

Такие нормы не стоит применять к недоношенным деткам. Этапы их развития передвигаются на определенный срок. Это ни в коем случае не значит, что дети отстают от своих сверстников. Просто они родились раньше предусмотренного срока. В основном такие малыши осваивают должные навыки на месяц-два позже детей, родившихся в период 38-40 недель беременности. Ползать недоношенные груднички начинают в 9-10 месяцев.

Важно! Некоторые детки вообще пропускают этап ползания, и, освоив навык сидения, сразу стремятся встать, передвигаться, держась за опору. Врачи рекомендуют не поощрять раннее прямостоячее положение (в возрасте 8-10 месяцев). Опорно-двигательный  аппарат еще недостаточно окреп, что может отразиться на будущем здоровье малыша. Лучше переключить его внимание на ползание.

Малыш сидит

Чем полезно ползание

Врачи утверждают, что навык ползания имеет не меньшее значение для гармоничного развития ребенка, чем умение ходить. Оно подготовляет тело к большим нагрузкам, развивает координацию движений.

Природным является развитие сначала моторных функций (движение), потом статических (длительное нахождение тела в одном положении). Таким образом, раннее ползание намного полезнее, чем сидение, умение самостоятельно вставать и садится – лучше, чем стоять. В статическом положении ребенок быстро устает, возрастает нагрузка на неокрепший скелет.

Смена положения из сидячего к ползающему

Положительное влияние ползания на организм:

• Гармоничное развитие опорно-двигательного аппарата;
• Укрепление мышц спины, рук, ног, шеи;
• Устранение тонуса мышц;
• Улучшение координации, чувства ритма;
• Развитие мелкой моторики;
• Улучшение работы головного мозга;
• Ориентирование в пространстве.

Научившись ползать, ребенок значительно расширяет свои возможности для изучения окружающего мира. Он сам решает, что ему интересно, куда ему переместится, как получить желаемое. Это положительно влияет на умственное развитие и зачатки логического мышления.

Разнообразный рельеф поверхности выполняет отличный массаж маленьких ладоней, что отражается на их чувствительности.

Различают два виды ползания, каждый по-своему полезный для развития малыша:

• По-пластунски. Этот способ отличается определенным характером передвижения: малыш, лежа на животе, отталкивается ногами и подтягивает тело руками. Такое ползание тренирует мышцы рук, ног и шеи, является хорошей профилактикой дисплазии тазобедренных суставов.
• На четвереньках. Таким способом малыш передвигается достаточно быстро. В процессе ползания укрепляется спина, формируется гибкость хребта. Улучшается координация движений – кроха учится держать равновесие, последовательно переставлять руки, ноги, поворачиваться. Ползать на четвереньках ребенок начинает, научившись устойчиво сидеть.

Интересно. Некоторые ученые считают, что активное ползание положительно влияет на функционирование полушарий головного мозга – устанавливается стойкое взаимодействие, в результате чего ребенок развивается всесторонне и гармонично, имеет склонность к точным и гуманитарным наукам. Кроме того, дети, ползающие в детстве, не имеют проблем с речью – начинают разговаривать вовремя и выговаривают все звуки.

Этапы ползания

Как и любой навык, ползание развивается поэтапно. Одни детки проходят все стадии, другие пропускают некоторые этапы – все зависит от физиологии ребенка.

Стандартные этапы:

• Попытка ползать на животе. В возрасте 3-4 месяца у грудничка получается переворачиваться с животика на спинку. В этот период проявляется естественный рефлекс передвижения. Ребенок, упираясь ножками, пытается просунуться вперед на животе, поднимая вверх поясницу. Голова при этом опущена вниз. Ближе к пяти месяцам рефлекс угасает.

Ползанье на животе

• Пластунское ползание. Начиная с пяти месяцев, кроха начинает учиться ползать по-пластунски. Передвижение в данном случае осуществляется за счет подтягивания руками основной массы тела. Сначала ребенок ползает назад или вбок, перемещается всего на несколько сантиметров, но это большое достижение.

Ползание по-пластунски

• Правильное ползание. Досконально освоив навык пластунского передвижения, хорошо окрепнув, малыш постепенно переходит к ползанию на четвереньках. При данном способе ноги согнутые, нагрузка ложится на колени и выпрямленные руки. Такое ползание считается правильным и наиболее эффективным.
• Перекрестное ползание. Достигается развитым ощущением ритма и последовательности. Заключается в одновременном поднятии левой руки и правой ноги, которое чередуется с поднятием правой руки и левой ноги.

Ползанье на четвереньках

В идеале грудничок должен пройти все стадии ползания, но в жизни порыв к передвижению может угаснуть вместе с естественным рефлексом, и кроха будет стремиться сесть или встать. При желании родители могут попытаться вновь завлечь ребенка к этому процессу.

Абсолютное отсутствие порыва к ползанию может быть вызвано несколькими факторами, на которые следует обратить внимание:

• Темперамент. Не все дети одинаково активные – есть спокойные малыши, которым больше нравится наблюдать за происходящим, чем трогать предмет и изучать его.
• Проблемы, связанные со здоровьем. Недостаточно развит опорно-двигательный аппарат, слабые мышцы, отклонение в работе нервной системы.
• Отсутствие возможности научится ползать. Постоянное пребывание малыша в коляске, кроватке, манеже не позволяет ему попробовать свои силы, освоить новые навыки. Для попытки перемещения ребенку необходимы открытое пространство и свобода движения.
• Вес. Пухленькие детки зачастую активны, стремятся к постижению новых функций, но через лишний вес им сложно удержатся на руках и передвигаться.
• Отсутствие стимула. Первые попытки поползти малыш проявляет в стремлении получить понравившуюся вещь. Если родители по первому требованию подают ему этот предмет, пропадают интерес и потребность в движении.

Перечисленные факторы не являются критичными, и, вовремя выяснив, какая причина отказа от ползания, ситуацию можно исправить.

Как стимулировать активное ползание

Помочь ребенку, заинтересовать его ползанием можно простыми действиями:

• Поместить малыша в открытое пространство. Постелить на полу, предварительно позаботившись о безопасности: исключить наличие торчащих проводов, розеток, острых и мелких предметов. Позаботиться о гигиене: помыть пол, пропылесосить коврик.
• Заинтересовать любимой игрушкой. Лучший способ стимулировать ползание – поместить на глазах у малыша яркую игрушку. При этом есть один важный нюанс – она должна находиться неподалеку от младенца. Он должен понимать, что, приложив усилия, получит желаемое. Если предмет находится слишком далеко от ребенка, и он чувствует, что не дотянется до игрушки, то прекратит попытки передвижения.
• Показать личный пример. Это самый веселый и непосредственный способ научится ползать. Родитель принимает ту позу, в которой пытается ползти малыш (по-пластунски или на четвереньках) и, завлекая в такую игру, стимулирует желание повторить увиденное. Принять участие в игре могут также старшие братики или сестрички – будет еще интереснее.
• Дать возможность дотянутся до игрушки, при этом хвалить, поощрять и радоваться малейшим достижениям малыша.

Личный пример

Важной составляющей здорового физического состояние ребенка является развитие опорно-двигательного аппарата. Родители могут делать легкий укрепляющий и расслабляющий массаж. Если есть необходимость, следует обратиться к массажисту-профессионалу, он проведет курс развивающих процедур. С первых месяцев рождения с малышом нужно делать гимнастику: выполнять простые упражнения на укрепление мышц и суставов.

Отличным вариантом для развития ползания выступает упражнение «лягушка»: малыш ложится на животик, ножки поочередно сгибаются в коленках и разводятся в стороны. Для стимулирования движения вперед ножки упираются в мамину руку, ребенок отталкивается и проползает несколько сантиметров.

Упражнения на валике

Еще одно упражнение – хождение на руках. Применяется только в том случае, если ребенок крепко опирается на руки. Ножки одной рукой приподнимаются вверх, другая придерживает малыша в области животика. Легкие подталкивания ребенка вперед поощряют поочередное передвижение рук.

Хорошо зарекомендовали себя занятия с валиком и фитболом.

Важно! Заниматься с малышом, выполнять упражнения, делать массажи можно, только убедившись в его хорошем самочувствии.

Упражнения на фитболе

Некоторые советы от доктора Комаровского:

• Лучший пример для ребенка – другие детки. Игра со сверстниками, умеющими ползать, – отличный способ поощрить такой порыв.
• Дети не хотят делиться игрушками. При появлении на своей территории другого ребенка малыш захочет первым добраться до любимой игрушки, что отлично стимулирует передвижение.
• Нужно создать крохе комфортные условия: выбрать свободную одежду, которая не сковывает движения.

Главное, что следует помнить, – не важно, во сколько ребенок начинает ползать. Важно само стремление изучить эту функцию. Задача родителей – развить это навык.

Игра с детками

Чего не следует делать

Часто родители, пытаясь одарить малыша любовью и вниманием, во всем помочь, делают ему плохую услугу – лишают самостоятельности. Ребенок должен учиться на своих ошибках, пытаться сделать что-то сам. Если ему все подавать, исполнять желания, у малыша может пропасть желание развиваться, добиваться поставленных целей. Задача родителей – не сделать все за ребенка, а научить, наблюдать со стороны и в случае необходимости подсказывать.

Первое правило в процессе постижения навыков ползания – активное обучение допустимо только при абсолютном отсутствии порывов к передвижению. Если малыш пытается ползать любым способом (боком, отталкиваясь только одной ногой, прижимая голову к полу), не стоит вмешиваться в процесс. Постепенно ребенок научится контролировать свое тело и движения, сможет самостоятельно выбирать направление. Сколько на это ему потребуется времени, зависит от индивидуальных особенностей.

Часто, осваивая правильный способ ползания на четвереньках, ребенок подолгу замирает в одном положении. Не нужно торопить или подталкивать кроху – таким способом он учится чувствовать равновесие, координировать движение.

Ползание – только первый этап к самостоятельному исследованию окружающего мира. Сначала район перемещения можно ограничить полом в одной комнате – здесь легко обеспечить безопасность малышу, убрав мелкие, острые предметы, длинные шторы, закрыв доступ к розеткам и шкафам. По мере взросления ребенок будет интересоваться и изучать все доступные предметы. Постоянными запретами спасти ситуацию не получится – малыш еще не понимает смысла слова «нельзя». Для избегания истерик стоит научиться спокойно переключить внимание крохи в другом направлении.

Функция ползания важна для укрепления мышц и опорно-двигательного аппарата, помогает координировать движения, держать равновесие, чувствовать ритмичность. Этот навык естественный, малыш постепенно его осваивает в возрасте 5-8 месяцев. Если по каким-то причинам порыв к ползанию отсутствует, рекомендуется поощрять его появление специальными упражнениями и играми.

Видео

Во сколько дети начинают ползать и как им помочь

Ползание — первый огромный шаг ребёнка к самостоятельности. И каждый волен совершать его, как душе угодно.

Что нужно, чтобы дети начали ползать

Чтобы перемещаться в пространстве, малышу необходимо приложить немало усилий — интеллектуальных и физических. У него должны быть достаточно сильные мускулы спины, шеи, плеч, рук и живота. Во время ползания задействовано так называемое бинокулярное зрение: способность фокусировать оба глаза на одном предмете. Не последнюю роль играет и развитое зрительно‑пространственное восприятие.

Ползая, ребёнок учится ориентироваться и тренирует память. К примеру, он начинает понимать: чтобы добраться до корзинки с игрушками, нужно передвигаться вокруг столика.

Рэлли Макаллистер, доктор медицины, магистр здравоохранения, автор книг о здоровье детей

Во сколько дети начинают ползать

По данным ^{ВОЗ, большинство детей начинают ползать в возрасте от 6 до 11 месяцев. Примерно половина из них осваивает перемещение на четвереньках к 8,3 месяца от роду. А чуть более 4% вообще пропускают этап ползания, сразу встают на ножки и пробуют ходить.}

Есть несколько причин, почему некоторые дети начинают ползать раньше других:

• Генетика. Да, некоторые рождены, чтобы ползать чуть ли не с пелёнок.
• Вес. Худощавые дети с хорошо развитой мускулатурой вполне предсказуемо осваивают непростые движения раньше своих более пухлых сверстников.
• Время, проведённое на животе. Младенцы, которые чаще бодрствуют, лёжа на животе, в среднем начинают ^{ползать раньше. Они прикладывают больше усилий, чтобы приподняться и осмотреться, чем если бы лежали на спине. В результате укрепляются мышцы шеи, рук и спины, необходимые для ползания.}

Почему не все дети ползают одинаково

Младенцы не запрограммированы на то, чтобы ползать каким‑то определённым образом. Они просто экспериментируют с разными способами передвижения и в конце концов останавливаются на самом эффективном лично для себя. И это нормально.

На животе

Примерно половина детей начинает ползать, выбирая один из следующих стилей либо же чередуя их.

1. По‑пластунски

rivm.nl

Ребёнок опирается на локти и подтягивает себя вперёд то одной, то другой ручкой, немного заваливаясь на бок.

2. Стиль «тюлень»

kidspot.com.au

Младенец толкает себя одновременно обеими ручками, немного приподнимаясь, а потом ударяясь животом об пол.

3. Стиль «лягушка»

lovevery.com

Лёжа на животе, ребёнок отталкивается ступнями и «гребёт» ножками, как будто плывёт по‑лягушачьи.

На четвереньках

Как правило, малыши довольно быстро переходят от движений на животе к перемещению на четвереньках. Что вполне понятно: попробуйте сами проползти хоть немного по‑пластунски или как тюлень — и вы поймёте, какое это энергозатратное и даже болезненное занятие.

Некоторые дети щадят свои животы и сразу начинают ползать по‑взрослому, то есть опираясь на четыре конечности. И тут тоже возможны варианты.

1. Классический стиль

babycenter.com

Младенец перемещается, опираясь на согнутые ножки и вытянутые ручки.

2. Стиль «краб»

parenting.firstcry.com

Малыш пятится задом, заглядывая себе между ног, или двигается боком.

3. Стиль «медведь»

latinamoms.com

Похоже на классический способ, только ребёнок опирается не на колени, а на вытянутые ножки, поднимая ягодицы вверх.

4. Стиль «самокат»

youtube.com

Малыш опирается на руки, одну ногу сгибает в колене, а второй отталкивается, как будто едет на самокате.

Другие варианты

Ползать на животе сложно и неприятно, а для перемещения на четвереньках нужно развивать тонкое чувство баланса. Некоторые дети предпочитают идти более простым путём.

1. Перекаты

cherbebesleep.com

Ребёнок перемещается по комнате, перекатываясь с боку на бок.

2. Ёрзание

move2connect.com

Малыш ёрзает на ягодицах и таким образом передвигается из одной точки в другую, иногда помогая себе руками. По мнению антропологов ^{, эти движения, скорее всего, заменяли ползание у наших предков ещё до освоения земледелия и ведения оседлого образа жизни.}

Именно так происходит до сих пор в племени охотников и собирателей, проживающих в Папуа — Новой Гвинее. Там младенцы вплоть до года проводят 86% времени, сидя в слинге на спине у матери. Иногда их высаживают на ягодицы и почти никогда не выкладывают на живот. Понятно, что в таких условиях дети не могут научиться ползать. Но ничуть от этого не страдают.

Можно ли как‑то помочь ребёнку

Пожалуй, лучшее, что могут сделать родители, — перестать обращать внимание на достижения соседских детей. И радоваться успехам своего ребёнка. А чтобы их не омрачали неприятности, заранее позаботьтесь о безопасности малыша.

• Спрячьте провода, а розетки закройте заглушками.
• Убедитесь, что вся мебель хорошо закреплена. Лучше вообще на время уберите то, что легко опрокинуть: торшер, гладильную доску, лёгкую этажерку, комнатные растения в больших горшках.
• Переложите в недоступное место сувениры, деньги, косметику, лекарства, чистящие и моющие средства. В лучшем случае малыш что‑нибудь разбросает, разольёт, сломает или разобьёт. В худшем — проглотит.
• Ежедневно мойте полы и вытирайте пыль.
• Регулярно проверяйте, нет ли на полу монет, пробок и прочих мелочей. Помните, что юные исследователи обязательно тащат всё в рот.
• Застелите твёрдый пол (паркет, плитку) детским ковриком или покрывалом, чтобы снизить нагрузку на колени.
• Ставьте горячие блюда и напитки подальше от края стола.
• Убедитесь, что в пределах досягаемости ребёнка нет колющих и режущих предметов.

Конечно, предусмотреть всё невозможно. Но лучше направьте свою энергию на организацию дружелюбного пространства и выработку у себя полезной привычки не разбрасывать вещи. С остальными задачами малыш вполне справится сам.

В каких случаях стоит беспокоиться

Итак, совершенно неважно, умеет ли ребёнок ползать в классическом понимании этого слова. Часто юные экспериментаторы смешивают стили, переключаются с одного на другой или же вырабатывают свой особый метод. В любом случае важна не техника, а живой интерес к освоению пространства.

Повод для волнения — это отсутствие какого‑либо прогресса в передвижении. Если к 12 месяцам малыш так и не начал активно перемещаться по комнате, необходимо проконсультироваться с педиатром. Впрочем, необязательно ждать года. Если вас что‑то тревожит прямо сейчас, поговорите с детским врачом, которому доверяете, — и успокойтесь.

Читайте также 👶☀️🐣

«Во сколько дети начинают ползать?» – Яндекс.Знатоки

Обычно первые попытки ползти отмечаются у детей уже с пятимесячного возраста. Самые активные и настойчивые малыши к семи месяцам умеют ползком преодолевать довольно большие расстояния.

Такие данные о том, во сколько месяцев ребенок начинает ползать, нельзя считать нормой, поскольку в младенческом возрасте развитие детей происходит сугубо индивидуально.

Период, когда малыш станет ползать, зависит от нескольких критериев:

1. Степень развития опорно-двигательного аппарата. Чем быстрее окрепнут мышцы рук и спины, тем увереннее будет чувствовать себя ребенок, опираясь на ручки, и в скором времени начнет ползать.
2. Степень развития нервной системы. Осмысление принципа передвижения путем переползания – результат напряженной работы головного мозга. К этому моменту у младенца должны быть сформированы нейронные связи, отвечающие за координацию движений, развитие чувства пространства и расстояния.
3. Особенности развития. Каждый малыш осваивает окружающий мир в своем ритме. Некоторые отдают предпочтения тактильным ощущениям и тогда они раньше начинают ползать. Другие сразу хотят понаблюдать и только потом пытаются потрогать.

Кроме этого, считается, что временной период, во сколько начинают ползать девочки, наступает немного раньше, чем у мальчиков. Также установлено, что недоношенные дети делают это немного позже, примерно в десятимесячном возрасте.

1. Телосложение. Обычно пухленьким карапузам тяжелее научиться передвигаться ползком, поэтому у них данный процесс может занимать больше времени.
2. Стимулирование. Создание благоприятных условий для формирования умения ползать может поспособствовать более раннему развитию этого навыка.

Таким образом, нельзя точно спрогнозировать, когда малыш научится ползанию. Нередко бывает, что ребенок в 8 месяцев еще не ползает, а уже начинает учиться стоять, перешагивать от предмета к предмету. У него потребность в перемещении ползком может не появиться совсем.

как научить ребенка ползать в 5 месяцев, что делать, если не ползает и не сидит в 6, 7, 8 месяцев

Все дети очень индивидуальны. Развиваются все по-своему. Один начинает сидеть в 5 месяцев, а в 8 — уже пытается стоять и даже делать первые шаги по периметру кроватки, пока другой в этом возрасте еще только осваивает сидячую позу. Есть дети, которые сидеть будто бы вообще не собираются — они стремятся сразу ползать, поскольку в такой позе им наиболее удобно и безопасно.

О навыках

Если ребенок опережает календарное развитие, это вызывает гордость и восторг у родителей. А если он хотя бы незначительно отстает от своих сверстников, мамы начинают бить тревогу и винить во всем себя. Многие пытаются помочь своему малышу освоить новые навыки, и это правильно. С вопросами, как научить малыша ползать и стоит ли делать это вообще, они часто обращаются к врачам.

Евгений Комаровский призывает родителей отказаться от оценочных суждений в отношении собственного ребенка. Нормы и сроки развития у каждого малыша свои, они могут существенно отличаться от среднестатистических. Особенно сильно родителей волнует физическое развитие карапузов — один ребенок ползает в 5 месяцев, другой и в 7 месяцев не сидит и не ползает.

Самое лучшее, что родители смогут сделать для своего ребенка — перестать обращать внимание на соседок и подружек, которые упорно вселяют неуверенность в правильном развитии вашего чада. Если вы создаете все условия для нормального развития и роста ребенка, а также регулярно посещаете детского врача, и у него физическое развитие вашего отпрыска не вызывает никаких вопросов и опасений, то волноваться совершенно не о чем.

О ползании

Есть дети, которые не ползают. Совсем. Из положения сидя они сразу начинают вставать и делать первые шаги. Этап ползания, по мнению Евгения Комаровского, очень полезен и необходим для здоровья спины человека. Именно поэтому ползание нужно всячески поощрять и поддерживать. Если ребенок начал ползать сам, родителям будет проще. Если он категорически отказывается перемещаться по-пластунски или на четвереньках, это повод для родителей серьезно задуматься о том, все ли они сделали правильно.

Часто мамы и папы в стремлении как можно скорее увидеть своего карапуза прямоходящим игнорируют ползание в принципе. Они ставят чадо на ножки и ведут за ручку, покупают ему разные приспособления, которые помогают ребенку находиться в вертикальном положении (ходунки, прыгунки и прочее), а могли бы просто поползать вместе с ним. Пользы от этого было бы значительно больше.

Особенно опасны попытки вертикализировать полного, пухлого ребенка, малыша с лишним весом. У таких крох ползание надо поощрять с двойным энтузиазмом. А все ходунки и прыгунки от него (и его родителей) стоит спрятать как можно дальше.

Как научить?

Умение ползать заложено природой, родителям следует лишь немного помочь малышу «вспомнить» это. Обычно процесс перемещения в пространстве с помощью ползания начинается в возрасте от 5-6 до 8-9 месяцев. Если ребенок старше не сидит и не ползает, стоит проконсультироваться с врачом, чтобы выяснить, в чем причина — в мышечной слабости спинки и конечностей или в индивидуальных особенностях крохи. Стимулирование ползания — это необходимый комплекс мер.

Подготовительный этап

Подготовительный этап заключается в стимулировании, создании мотивации. Если ребенок не заинтересован в ползании, он не поползет. Значит, нужно создать ему потребность ползти. Положите перед ним красивую яркую игрушку или очень интересный предмет, до которого кроха не сможет дотянуться, не попытавшись продвинуть свое тело хоть немного вперед из положения лежа на животе. Если ребенок уже сидит, это облегчит задачу, если еще нет — не стоит усаживать его насильно, лучше стимулировать ползание.

Основной этап обучения включает в себя оздоровительный массаж для укрепления мышц спины, шеи и живота, а также сами занятия. Представления о том, в какой позе лучше всего ползать — всего лишь родительские представления. Малыши сами выбирают удобное для себя положение тела. Даже если со стороны кажется, что ребенок ползает неправильно, отталкиваясь только одной ногой (или елозит на животе, раскинув руки и ноги и размахивая ими), нет никаких оснований вмешиваться и что-то пытаться изменить.

Медленное ползание

Довольно часто дети, которым помогли встать на четвереньки, надолго «застывают» в этом положении. Они могут раскачиваться, как бы проверяя, держат ли они баланс, но делать движение вперед не спешат. Комаровский рекомендует таких «медленных» карапузов никуда не торопить. Они проходят важный этап, изучая вестибулярные возможности собственного тела.

Мудрые родители помогут им в этом — включат ритмичную музыку или начнут в такт движению декламировать стихи и считалочки.

Специалист рекомендует родителям не искать в интернете видео о том, как научить ребенка ползать в 5 месяцев по системе Комаровского (именно такой запрос является очень популярным). Такого видео не существует, поскольку возраст, в котором ребенок начинает ползать — разный. От родителей активная помощь карапузу нужна тогда, когда он сам уже готов к новому способу перемещения, а это часто происходит значительно позже, чем в 5 месяцев.

Однако несколько приемов, которые помогут научить малыша ползать, Евгений Комаровский все-таки подсказывает.

• Личный пример. Со стороны это смотрится смешно и порой даже нелепо, но лучшего способа научить ребенка чему-либо, чем личный пример, пока не придумано. Если ребенок лежит на животе, ползайте рядом с ним по-пластунски. Если он уже встал на четвереньки, вставайте рядом и показывайте, как нужно перемещаться. Деткам, которые боятся совершить движение вперед, можно помочь, поддерживая их ладонью под животик. Если на пару дней на четвереньки встанет вся семья, включая братьев и сестер, будет вообще идеально.
• Миссия должна быть выполнимой. Если вы ставите игрушку слишком далеко от ребенка, пытаясь заинтересовать его в ползании, кроха быстро поймет, что добраться до нее трудно, сложно или невозможно вообще. Тогда он перестанет предпринимать попытки и смирится с недосягаемостью желанного предмета. Как вариант — он может начать истошно орать, требуя эту игрушку. Но если вы будете ставить ее рядом, а с каждым днем немного отодвигать дальше, то процесс ползания будет происходить естественно, при обоюдной заинтересованности сторон.
• Обучение движениям. В ежедневную гимнастику или процедуры массажа стоит добавить новые упражнения, которые будут имитировать ползание и тренировать мышечную память. Можно положить чадо на спинку и поочередно сгибать и разгибать в коленочках ножки. Это не только полезная процедура, но и веселая игра. Можно положить ребенку под животик мягкий валик, взять его за ножки и немного «покатать» его животом по валику, при этом кроха должен упираться ручками в твердую поверхность пола.

Еще одно эффективное упражнение напоминает движения лягушки — положите кроху на живот на твердую поверхность, обе ножки попеременно сгибайте в коленях и слегка разводите в стороны (это будет похоже на манеру плавания лягушат). Через некоторое время в этой позе можно подставлять ладонь таким образом, чтобы стопы крохи упирались в нее, тогда малыш научится отталкиваться и совершать первое инерционное движение вперед.

Укрепить руки и плечевой пояс поможет хождение на руках. Если малыш хорошо опирается на руки во время лежания на животе, аккуратно возьмите его за ножки и слегка приподнимите их, легко подтолкните ребенка вперед, чтобы он начал «переступать» руками. Не делайте это слишком резко, иначе малыш может сильно удариться головой.

Достаточно повторять эти упражнения 2-3 раза в сутки по 15-20 минут. Если родители будут аккуратно соблюдать время и систематичность занятий, то ребенок освоит ползание за 4-6 недель.

Где ползать?

Тесный манеж или ограниченное пространство детской кроватки никак не способствуют развитию навыков ползания у ребенка. Чтобы процесс пошел быстрее, лучше всего организовать малышу место для физических упражнений на полу. Не стоит делать это на холодном полу, лучше всего застелить его теплым, но не очень толстым одеялом, а сверху постелить пеленки. Не стоит практиковать ползание на диване или кровати, иначе падения не избежать.

Безопасность

Доктор Комаровский советует мамам взглянуть на мир глазами ребенка, чтобы лучше понимать, чего он хочет и чего боится. Для этого он рекомендует мамам лечь на пол, сначала на спинку, потом на живот, и хорошенько оглядеться по сторонам. Сразу станет очевидно, где и что торчит и плохо лежит, что привлекает внимание ребенка. Провода, опасные углы, манящие ящики комодов — все это при взгляде снизу станет очевидно, и маме с папой будет проще понять, как обезопасить ребенка.

Некоторые родители, считают, что для обеспечения безопасности достаточно купить малышу манеж. Евгений Комаровский подчеркивает, что манеж — отличный способ создать крохе безопасное пространство, но только на то время, когда маме надо отлучиться (на кухню, в ванную комнату, в туалет).

Если мама свободна и находится в одной комнате с ребенком, в манеже нет необходимости. Пока мама читает или работает на компьютере, ребенку будет значительно полезнее ползать по полу.

Если уж решено купить манеж, то можно выбрать многофункциональную конструкцию, которая быстро трансформируется в пеленальный столик, в кроватку, в электронную качалку с музыкой и ночником. Многие манежи имеют на ножках колесики, с их помощью можно легко перемещать манеж с ребенком по квартире. Так кроха сможет вместе с мамой готовить ужин на кухне или пылесосить в гостиной.

Когда нужна консультация врача?

Если родители исправно делают упражнения, массаж на протяжении пары месяцев, а заметных результатов нет (к тому же ребенку уже 9-10 месяцев, а он не сидит и не ползает), это повод для визита к врачам — ортопеду и неврологу. Если никаких нарушений со здоровьем выявлено не будет, родителям придется пойти на определенные педагогические «хитрости».

Маленькие хитрости

• Все дети — жадины. Если вы пригласите в гости подругу с ребенком, который уже прекрасно ползает или даже ходит, и оставите детей поиграть в одном пространстве, гость, который более мобилен, довольно быстро завладеет всеми игрушками вашего маленького лентяя. Обычно чувство собственности берет верх, и ребенок начинает предпринимать попытки перемещаться, чтобы забрать свое имущество обратно. Может, это произойдет не в первый визит друзей (и не во второй), но произойдет обязательно.
• Все дети любят играть. Если вы сделаете из простыни небольшие вожжи, которые одеваются под мышки ребенку для поддержки сверху, а поверхность оборудуете по методу Глена (наклонная поверхность на основной), то такой досуг будет восприниматься ребенком как игра, и ползание станет естественным финалом этой игры.
• Удобство. Чтобы ползать с удовольствием, ребенок не должен чувствовать себя дискомфортно. Проверьте, насколько просторная на нем одежда, не мешают ли ему швы, ширинка, молнии и застежки-кнопочки. Летом лучше проводить такие упражнения в одном подгузнике. Зимой ребенка следует одевать легче, чем в состоянии покоя, ведь активные движения увеличат потоотделение.

Советы

Начать активно помогать ребенку осваивать ползание следует только в том случае, если малыш сам «ленится» или немного отстает в развитии. Крохам, которые самостоятельно выбрали манеру ползать и уже приступили к выполнению индивидуальной программы развития, лучше не мешать, даже если ребенок передвигается только с помощью одной ноги или вообще делает это задом наперед.

Педиатрическая практика показывает, что ребенок, который научился быстро ползать, позже начнет ходить. Поэтому переход от ползания к стоянию тоже должен быть своевременным, правильным и плавным.

Подробнее смотрите ниже в небольшом видео доктора Комаровского.

как научить грудничка в 4, 5, 6, 7, 8, 9 месяцев передвигаться на четвереньках и по-пластунски, а также комплекс упражнений

Когда на свет появляется долгожданный ребенок, хочется все и сразу: чтобы он подольше был маленьким, но при этом скорее научился говорить.

Поскорее обсудить с ним новости из школы, но и подольше наблюдать, как он лежит в детской кроватке.

Родители очень тонко чувствуют каждый этап развития ребенка и начинают беспокоиться, если появляется, как им кажется, задержка.

В каком возрасте малыши начинают ползать, как поспособствовать этому и какие советы дают опытные педиатры?

Во сколько месяцев дети приступают к ползанию

Ползание — это процесс, который связан не только с физической и двигательной активностью. Ползая, ребенок познает окружающий мир, у него развиваются органы чувств, мышление, логика, воображение.

Когда ребенок должен самостоятельно встать на четвереньки и поползти в сторону интересного предмета, вопрос довольно сложный. Очень важно понять, что возрастной диапазон широк, хотя бы потому, что вес и рост детей в одном возрасте разнится.

В целом же, нормой называют период от 5 до 9 месяцев, когда ребенок начинает переворачиваться и видеть отдаленные предметы.

Обратите внимание! Это совершенно не означает, что как только с момента выписки из роддома прошло 5 месяцев, надо бить тревогу.

Некоторые дети «созревают» к ползанию не раньше восьмимесячного возраста, и это совершенно нормально. К тому же, существует прямая взаимосвязь между «габаритами» младенца и сроком тяги к ползанию: чем крупнее ребенок, тем позже он начинает двигаться.

Возраст, когда дети начинают ползать, зависит еще и от типа передвижения.

По-пластунски

Это самый забавный вид ползания, который вызывает у родителей лишь смех и умиление. Тем не менее, ползание по-пластунски — это первые шаги ребенка к самостоятельному передвижению.

Суть его в том, что становиться на четвереньки ребенок не пытается, а ползет прямо на животе, опираясь на локоть и сгибая одну ножку. Происходит это обычно в 5-7 месяцев. Ползание по-пластунски называют промежуточным этапом между лежанием на животе, переворачиванием и ползанием на четвереньках.

На четвереньках

Ползание на четвереньках педиатры называют самым удобным, полезным и полноценным способом передвижения. Иногда малыши минуют этот этап, переходя от лежания на животе сразу к ходьбе: это не критично, но не желательно.

На четвереньках дети пытаются ползать, в основном, с полугода.

Мальчик

Развитие мальчиков чуть медленнее, чем девочек. Их интерес к ползанию может не проявляться вплоть до 10 месяцев, и страшного в этом ничего нет.

Девочка

Всем известно, что девочки опережают мальчиков в развитии, особенно на первом году жизни. Примерно в 3-4-месячном возрасте девочки начинают переворачиваться на животик, смотреть по сторонам, изучать окружающие предметы. Самые активные девочки могут начать ползать уже в 5 месяцев.

Как новорожденный начинает ползать поэтапно

Первые месяцы жизни малыш обычно проводит в закрытом пространстве: кроватке, например.

Когда родители начинают выпускать ребенка на коврик, на диван, да и вообще из кроватки, только тогда он обнаруживает, что есть еще что-то за ее пределами.

Он начинает разглядывать окружающий мир, предметы. Когда любопытство достигает пика, у ребенка возникает желание не только посмотреть, но и пощупать.

Примерно в 3-месячном возрасте малыш пытается перевернуться со спинки на животик. Так ему легче глазеть по сторонам.

После этого ребенок пытается двигаться к интересным штукам на животике, шевеля при этом ручками и ножками. Это может продолжаться целый месяц. Таким образом ребенок может перемещаться вперед, назад, влево и вправо.

Затем малыш пытается найти опору в локтях или коленках, пытается встать на четвереньки. Иногда перед этим он ползает на одной ножке, ручке, только на ручках — как ему удобно. Это может произойти и сразу после переворота на животик, и через несколько месяцев.

Иногда, если ребенка редко выпускают из кроватки, и он не знает, что там его ждет, он вообще не проявляет активности. Такое возможно и если опорно-двигательный и мышечный аппарат развиваются медленно.

После этого ребенок пытается встать и двигаться на четвереньках в разные стороны очень поздно, в 10-12-месячном возрасте, а иногда и вовсе сразу пытается встать на ноги сразу после переворота на живот.

Как быстро научить ползать

Обучать ребенку ползанию не обязательно, но некоторые родители нетерпеливы, и приступают к обучению рано.

В 3-4 месяца

В 3 месяца ребенок еще не способен к обучению, потому что плечевой пояс совсем не окреп.

 

В 4-месячном возрасте некоторые любопытные малыши уже пытаются встать на ручки.

Чтобы ребенок научился ползать, можно поспособствовать этому следующим образом:

• Делать специальный массаж: поглаживать от конечностей к центру животика.
• Взять малыша двумя руками так, чтобы руки оказались на грудной клетке, а ребенок смотрел вниз или вперед. В таком положении ребенка приподнимают и покачивают из стороны в сторону.
• Упражнения с фитболом. Уложить ребенка на мяч на животик и, придерживая за ножки, покачивать в разные стороны.

Теоретически, в 4 месяца ребенок еще не может ползать, но первый интерес к этому и попытки появиться могут.

В 5-6 месяцев

Залогом успеха в этом возрасте будет побуждение ребенка к ползанию и укрепление всех мышц. Для этого хорошо подходят упражнения:

• Сгибание и разгибание ручек.
• Поднимания ног, лежа на спине.
• Подъем за ручки в положение сидя из положения лежа.
• Переворачивание со спины на живот.
• Отведение плеч назад.
• Поочередное сгибание ножек, как езда на велосипеде.
• Отведение обоих ножек в сторону.
• Уложить ребенка на стол, взять за стопы и совершать поступательные движения, опуская стопы на стол полностью;
• Выбрать привлекательную игрушку, за которой ребенок будет с удовольствием ползти.

В 6-месячном возрасте многие детки совершают первые ползания.

Важно! Хорошо, если среди ваших знакомых есть малыш, который уже умеет ползать. Вы можете пригласить его в гости, и тогда ваш ребенок, следуя примеру гостя, может научиться этому навыку.

В 7-8 месяцев

В этом возрасте многие детки уже умеют ползать, но отсутствие стремления и попыток не говорит о задержке развития. Чтобы ваш малыш пополз в этом возрасте, можно помогать ему массажем, гимнастикой, новыми яркими игрушками и «живым» примером.

В 9 месяцев

Важно! Если в 9 месяцев ребенок еще не умеет ползать, следует показать его ортопеду. Если осмотр показал, что все в норме, значит, нужно придерживаться тех же правил: проводить упражнения, делать массаж.

Упражнения, помогающие освоить навык

1. Стойка на выпрямленных руках.

Малыша нужно уложить на пол и помочь опереться на ручки.

2. Работа руками.

Разложите любимые игрушки ребенка на полу. Сформируйте из одеяльца или полотенца валик, положите его недалеко от игрушек под грудь ребенка. Руки малыша будут свободны, и он будет пытаться дотянуться до игрушек.

3. Поза на четвереньках.

Для этого упражнения может понадобиться мягкий валик или надувной мячик. Опору помещают под животик малыша, чтобы ручки и ножки свободно свисали с обеих сторон.

4. Достать погремушку.

Ребенок укладывается на животик, а над ним вешают погремушку достаточно близко к лицу. Малыш будет пробовать достать ее ручками.

5. Стойка на коленях.

Иногда дети минуют стойку на коленях и предпринимают попытки сразу встать на стопу. Чтобы помочь им встать на четвереньки, нужно крепко ухватить его одной рукой в области подмышек, а второй согнуть колени и аккуратно опускать на мягкую поверхность (например, диван).

6. Упражнение с матрасом.

Уложите небольшой матрас на пол так, чтобы ребенок локтями опирался на него, а нижняя часть тела была за его пределами. Встаньте напротив ребенка, возьмитесь за край матраса и медленно двигайте его на себя. Ребенок, чтобы не упасть, начнет передвигать ноги, опираясь на колени.

Массаж

Массаж иногда играет ключевую роль в обучении ползанию, помогает стимулировать мышечный и опорно-двигательный аппарат, приводит в тонус.

Существуют некоторые правила проведения массажа:

• Проветрите помещение перед тем, как начать сеанс. Температура в комнате должна быть не сильно низкой, но свежесть и прохлада — лучшие спутники массажа.
• Обязательно подождите, чтобы после последнего приема пищи ребенка прошло минимум 60 минут.
• Не приступайте к массажу, если малыш сонный или капризный.
• Не переусердствуйте с массажными средствами: руки можно лишь слегка смочить массажным маслом или вазелином.
• Не делайте резких и грубых движений.
• Обязательно помойте руки перед началом массажа теплой водой, чтобы ребенку не было холодно от прикосновений.

Сама процедура массажа должна быть направлена на нормализацию кровотока. Ребенка нужно уложить на мягкую поверхность (плед или одеяло). Первые движения должны быть мягкие, аккуратные, плавные, а сам процесс в первое время должен не превышать 7-10 минут. Со временем длительность массажа можно повышать на 1-2 минуты.

• Массирующие движения вначале делаются на спине по направлению от плеч к бокам, с каждым разом руки массажиста должны опускаться ниже. На пояснице движения меняются на поглаживания: плавные ровные движения совершаются ладонями от пояса к подмышкам.
• Поглаживания должны чередоваться разминательными движениями. Каждую манипуляцию проводят 10-30 раз с равным интервалом между действиями.
• Обязательно нужно пройтись по спине ребром ладоней, не нажимая и не прилагая особых усилий.
• Затем карапуз переворачивается на спину, а массажист начинает аккуратно мять стопы и пальчики, двигаясь к паховой области.
• Руки массируются таким же способом — от ладошек к плечам.

Советы доктора Комаровского

Известный по всей стране доктор Евгений Комаровский дает один большой совет: не обращайте внимание на соседских карапузов и не торопитесь диагностировать у своего крохи отставание в развитии.

Каждый ребенок — уникален, и если он пропускает какую-то ступень развития или запаздывает, ничего страшного в этом нет, если врач не обнаружит патологии.

В целом же, это не очень хорошо, но поощрять такое поведение не стоит.

Комаровский говорит, что порой родители сами подгоняют ребенка, чтоб он быстрее встал и пошел, и заставляют тем самым пропустить стадию ползания.

«Ползание полезно, если безопасно» — говорит врач. По мнению доктора, ползание отлично влияет на состояние спины, и эти позывы ребенка нужно всячески поощрять.

Один из действенных способов научить и приучить ребенка ползать — ползать вместе с ним, а не пытаться взять его за руку и поставить на ножки, чтобы он быстрее пошел. Особенно важен этап ползания для детей с лишним весом.

Комаровский уверяет, что в норме ребенок должен начать проявлять интерес к ползанию в 5-6 или 7-8 месяцев, а после этого возраста его следует показать врачу, если он не торопится с этим навыком. Важно стимулировать желание ползти — мотивировать яркой игрушкой, к примеру, обязательно делать массаж.

Важно! Заставлять и насильно ставить ребенка на четвереньки нельзя — это лишь вызовет страх, протест и нежелание делать то, что от него требуют.

Родителям кажется, что они лучше знают, когда ребенок должен ползать, в какой позе ему будет лучше и удобнее, но это совсем не так. Малышу известно, когда и где ползать охотнее. Советы родителям от доктора Комаровского:

1. Обеспечьте мягкое просторное место на полу;
2. Продемонстрируйте личный пример;
3. Используйте игрушки для мотивации, но не кладите их на большом расстоянии;
4. Включайте веселую ритмичную музыку;
5. Делайте разнообразную гимнастику и массаж ежедневно, меняйте движения каждый день;
6. Не спешите. Не нужно класть ребенка на животик, включать музыку и подталкивать его, чтоб он скорее пополз. Дайте возможность полежать, посмотреть по сторонам, привыкнуть к пространству, заметить игрушки, и тогда ребенок сам проявит инициативу.

Дети — это маленькие личности, и все их характеристики, в том числе — физиологические, индивидуальны. Не обращайте внимания на соседских малышей, которые вовсю ползают и ходят, не требуйте от ребенка того, чего хотите вы.

Если врач-ортопед после осмотра сделал заключение, что с развитием все в порядке, продолжайте стимулировать ребенка, поощрять и помогать ему, но не принуждайте и не заставляйте.

«Во сколько дети начинают ползать?» – Яндекс.Кью

Обычно первые попытки ползти отмечаются у детей уже с пятимесячного возраста. Самые активные и настойчивые малыши к семи месяцам умеют ползком преодолевать довольно большие расстояния.

Такие данные о том, во сколько месяцев ребенок начинает ползать, нельзя считать нормой, поскольку в младенческом возрасте развитие детей происходит сугубо индивидуально.

Период, когда малыш станет ползать, зависит от нескольких критериев:

1. Степень развития опорно-двигательного аппарата. Чем быстрее окрепнут мышцы рук и спины, тем увереннее будет чувствовать себя ребенок, опираясь на ручки, и в скором времени начнет ползать.
2. Степень развития нервной системы. Осмысление принципа передвижения путем переползания – результат напряженной работы головного мозга. К этому моменту у младенца должны быть сформированы нейронные связи, отвечающие за координацию движений, развитие чувства пространства и расстояния.
3. Особенности развития. Каждый малыш осваивает окружающий мир в своем ритме. Некоторые отдают предпочтения тактильным ощущениям и тогда они раньше начинают ползать. Другие сразу хотят понаблюдать и только потом пытаются потрогать.

Кроме этого, считается, что временной период, во сколько начинают ползать девочки, наступает немного раньше, чем у мальчиков. Также установлено, что недоношенные дети делают это немного позже, примерно в десятимесячном возрасте.

1. Телосложение. Обычно пухленьким карапузам тяжелее научиться передвигаться ползком, поэтому у них данный процесс может занимать больше времени.
2. Стимулирование. Создание благоприятных условий для формирования умения ползать может поспособствовать более раннему развитию этого навыка.

Таким образом, нельзя точно спрогнозировать, когда малыш научится ползанию. Нередко бывает, что ребенок в 8 месяцев еще не ползает, а уже начинает учиться стоять, перешагивать от предмета к предмету. У него потребность в перемещении ползком может не появиться совсем.

Предлоги предложного падежа — Rus-learn.com

Предложный падеж существительных – единственный падеж русского языка, формы которого употребляются только с предлогами. К предлогам предложного падежа существительных относятся – в, во, на, о, об, обо, при.

Примеры существительных предложного падежа с предлогами: жалеть об утрате, писать о природе, работать при институте, купаться в реке, играть в песочнице, ездить на поезде, учиться на факультете.

Значение предлогов предложного падежа

Предлоги в предложном падеже при употреблении в словосочетаниях и предложениях могут иметь следующие значения:

• Объектное (О ком? О чем?): говорить о музыке, известить о решении, знать о правилах.
• Определительное (Какой? Какая? Какое?): змей о трех головах, пальто на шелковой подкладке, окно в узорах.
• Обстоятельство места (Где?): присутствовать на встрече, хранить в коморке, сидеть на стуле.
• Обстоятельство образа действия (Как?): играть на скрипке, готовить на масле.
• Обстоятельство времени (Когда?): обнаружить при осмотре, рассказать при встрече, познакомиться в юности.

• Вопросы ГДЕ? КУДА? ОТКУДА? не являются падежными вопросами. По этим вопросам нельзя определить падеж.
• Предлоги ПО и К указывают на ДАТЕЛЬНЫЙ падеж. Вопроса ПО ЧЁМ? НЕ существует. Есть только вопрос ПО ЧЕМУ ? Иду ( по чему?) по тропинке
• Предлоги В, НА с вопросами КОГО? ЧЕГО? (родительный падеж) не употребляются. Эти предлоги можно употребить только с вопросами КОГО? ЧТО? (винительный падеж) или В ЧЁМ? В КОМ? НА ЧЁМ? НА КОМ? (предложный падеж)
• Если сомневаетесь в принадлежности вопроса КОГО?, подставляйте волшебное слово МАМА и смотрите на окончание этого слова: МАМЫ – родительный падеж; МАМУ – винительный падеж.

Падежи и предлоги

• Предлоги ОТ, ДЛЯ, БЕЗ, ИЗ, употребляются только в родительном падеже – ОТ ЧЕГО? ДЛЯ КОГО? БЕЗ КОГО? ИЗ ЧЕГО?
• Предлоги ПОД и НАД употребляются только в творительном падеже – ПОД ЧЕМ? НАД ЧЕМ?
• Предлог О употребляется только в предложном падеже – О КОМ ?
• Предлоги В, НА употребляются как с винительным – В КОГО? ВО ЧТО? НА КОГО? НА ЧТО?, так и с предложным падежами – В КОМ? В ЧЁМ? НА КОМ? НА ЧЁМ?

Электронное строение атома

Так как при химических реакциях ядра реагирующих атомов остаются без изменений (за исключением радиоактивных превращений), то химические свойства атомов зависят от строения их электронных оболочек. Теория электронного строения атомапостроена на основе аппарата квантовой механики. Так, структура энергетических уровней атома может быть получена на основе квантовомеханических расчетов вероятностей нахождения электронов в пространстве вокруг атомного ядра (рис. 4.5).

Рис. 4.5. Схема подразделения энергетических уровней на подуровни

Основы теории электронного строения атома сводятся к следующим положениям: состояние каждого электрона в атоме характеризуется четырьмя квантовыми числами: главным квантовым числом n = 1, 2, 3, ; орбитальным (азимутальным)l=0,1,2,n–1;  магнитнымm_l = –l,–1,0,1,l;  спиновымm_s = -1/2, 1/2.

Согласно принципу Паули, в одном и том же атоме не может быть двух электронов, обладающих одинаковой совокупностью четырех квантовых чиселn, l, m_l, m_s; совокупности электронов с одинаковыми главными квантовыми числами n образуют электронные слои, или энергетические уровни атома, нумеруемые от ядра и обозначаемые какK, L, M, N, O, P, Q,  причем в энергетическом слое с данным значениемnмогут находиться не более, чем2n²электронов. Совокупности электронов с одинаковыми квантовыми числамиnиl ,  образуют подуровни, обозначаемые по мере удаления их от ядра какs, p, d, f .

Вероятностное нахождение положения электрона в пространстве вокруг атомного ядра соответствует принципу неопределенностей Гейзенберга. По квантовомеханическим представлениям, электрон в атоме не имеет определенной траектории движения и может находиться в любой части пространства вокруг ядра, а различные его положения рассматриваются как электронное облако с определенной плотностью отрицательного заряда. Пространство вокруг ядра, в котором наиболее вероятно нахождение электрона, называется орбиталью. В нем заключено порядка 90% электронного облака. Каждому подуровню1s, 2s, 2pи т.д. соответствует определенное количество орбиталей определенной формы. Например,1s— и2s-орбитали имеют сферическую форму, а2p-орбитали (2p_x, 2p_y, 2p_z-орбитали) ориентированы во взаимно перпендикулярных направлениях и имеют форму гантели (рис. 4.6).

Рис. 4.6. Форма и ориентация электронных орбиталей.

При химических реакциях атомное ядро не претерпевает изменений, изменяются лишь электронные оболочки атомов, строением которых объясняются многие свойства химических элементов. На основе теории электронного строения атома был установлен глубокий физический смысл периодического закона химических элементов Менделеева и создана теория химической связи.

Теоретическое обоснование периодической системы химических элементов включает в себя данные о строении атома, подтверждающие существование связи между периодичностью изменения свойств химических элементов и периодическим повторением сходных типов электронных конфигураций их атомов.

В свете учения о строении атома становится обоснованным разделение Менделеевым всех элементов на семь периодов: номер периода соответствует числу энергетических уровней атомов, заполняемых электронами. В малых периодах с ростом положительных заряда ядер атомов возрастает число электронов на внешнем уровне (от 1 до 2 в первом периоде, и от 1 до 8 во втором и третьем периодах), что объясняет изменение свойств элементов: в начале периода (кроме первого) находится щелочной металл, затем наблюдается постепенное ослабление металлических свойств и усиление неметаллических. Эта закономерность прослеживается для элементов второго периода в таблице 4.2.

Таблица 4.2.

В больших периодах с ростом заряда ядер заполнение уровней электронами происходит сложнее, что и объясняет более сложное изменение свойств элементов по сравнению с элементами малых периодов.

Одинаковый характер свойств химических элементов в подгруппах объясняется сходным строением внешнего энергетического уровня, как это показано в табл. 4.3, иллюстрирующей последовательность заполнения электронами энергетических уровней для подгрупп щелочных металлов.

Таблица 4.3.

Номер группы, как правило, указывает на число электронов в атоме, которые могут участвовать в образовании химических связей. В этом заключается физический смысл номера группы. В четырех местах периодической системы элементы расположены не в порядке возрастания атомных масс:  ArиK,CoиNi,TeиI,ThиPa . Эти отступления считались недостатками периодической системы химических элементов. Учение о строении атома объяснило указанные отступления. Опытное определение зарядов ядер показало, что расположение этих элементов соответствует возрастанию зарядов их ядер. Кроме того, опытное определение зарядов ядер атомов дало возможность определить число элементов между водородом и ураном, а также число лантаноидов. Ныне все места в периодической системе заполнены в промежутке отZ=1доZ=114, однако периодическая система не закончена, возможно открытие новых трансурановых элементов.

Квантовая теория строения атомов

Абсолютно все тела живой и неживой природы, несмотря на их строение и разнообразие, включают в себя мельчайшие частицы — атомы. Первым, кто высказал научное предположение об этом, считается философ Древней Греции Демокрит. Именно этот ученый определил атом как мельчайший неделимый элемент, который образует вещество.

Только в конце XIX столетия были сделаны уникальные открытия, которые смогли продемонстрировать сложность строения указанного элемента, распадающейся на более мелкие элементарные частицы. Тем не менее, это определение широко применяется в современной физике и химии, несмотря на несовпадение его этимологии нынешним представлениям о строении атома.

Демокрит утверждал, что если разделить яблоко на две равные половины, а затем одну из них еще на две части, и продолжать осуществлять деление подобным образом до того момента, как объект исследования перестанет быть яблоком, то мельчайшая частица будет выступать в данном случае атомом яблока.

Группу греческих мыслителей, которые поддерживали теорию о существовании аналогичных крошечных неделимых частиц, называли атомистами.

Определение 1

Атомизм — натурфилософская уникальная гипотеза, которая предполагала, что все чувственно материальные вещи состоят из определенных химически неделимых частиц — атомов.

В современной науке вопрос об атомизме считается до сих пор открытым. Некоторые теоретики выступают за принципы атомизма, однако под атомами подразумевают конкретные фундаментальные частицы, которые далее невозможно разделить.

Квантовая гипотеза строения атома

В основе квантовой теории строения атома можно выделить следующие ключевые положения:

• электрон имеет двойственную природу, следовательно, может вести себя и как волна, и как частица, обладающая определенным зарядом и массой;
• точно и одновременно измерить скорость и координату для электрона невозможно одновременно, так как, чем точнее будет данный показатель, тем больше неопределенности появится в самой координате;
• электрон в атоме не может двигаться по определенным траекториям, а может располагаться в любой части ядерного пространства, но возможность его нахождения в разных местах такой среды неодинакова.

Стоит отметить, что пространство вокруг ядра, в котором возможно наблюдать нахождение электрона с большой вероятностью, называют орбиталью.